WOLFSPEED
相关结果约2525条Wolfspeed(原Cree Power)— SiC市场的领头羊,在电源转换和无线通信设备市场中处于领导地位。在产品技术上,CREE一直以“SiC技术”见长,世界上超过90%的SiC晶片都由它制造,是当之无愧的半导体行业巨头。 查看更多
wolfspeed产品选型帮助
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【选型】Wolfspeed(科锐) SiC功率器件选型指南
本资料主要为SiC功率器件选型,主要涉及产品为SiC 肖特基二极管,SiC Mosfet,SiC Mosfet模块。
【选型】Wolfspeed(科锐)SiC碳化硅材料选型指南
【选型】Wolfspeed(科锐)RF射频产品选型指南
型号 | 描述 | 价格(含增值税) | |
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1A, 600V SiC Schottky Diode Tape and Reel 原厂认证 世强代理 |
现货7,500 最小包装量2,500 价格¥ 3.8091 |
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ZRecTM 6A, 600V SiC Schottky Diode 原厂认证 世强代理 |
现货6,003 最小包装量1,000 价格¥ 10.8071 |
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ZRecTM 2x5A 1200V SiC Schottky Diode 原厂认证 世强代理 |
现货6,000 最小包装量600 价格¥ 41.8985 |
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ZFETTM SiC DMOSFET, 1200V Vds, RDS On 80 mOhm 原厂认证 世强代理 |
现货5,473 最小包装量600 价格¥ 116.3049 |
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ZRecTM 1.7A, 600V SiC Schottky Diode 原厂认证 世强代理 |
现货5,000 最小包装量5,000 价格¥ 3.2774 |
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ZRecTM 10A 1200V SiC Schottky Diode 原厂认证 世强代理 限量折扣(3600PCS) |
现货3,600 最小包装量3,600 价格¥ 49.8644 |
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ZRecTM 4A, 600V SiC Schottky Diode Tape and Reel 原厂认证 世强代理 |
现货3,200 最小包装量2,500 价格¥ 7.1750 |
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ZRecTM 3A, 600V SiC Schottky Diode 原厂认证 世强代理 限量折扣(3100PCS) |
现货3,100 最小包装量3,600 价格¥ 4.3237 |
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ZRecTM 8A, 600V SiC Schottky Diode 原厂认证 世强代理 |
现货3,000 最小包装量1,000 价格¥ 14.3499 |
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ZRecTM 8A, 600V SiC Schottky Diode Tape and Reel 原厂认证 世强代理 |
现货2,400 最小包装量2,400 价格¥ 14.3499 |
Cree和安森美半导体宣布推出多年碳化硅晶圆供应协议
Cree公司和安森美半导体公司宣布了一项为期多年的协议,其中Cree公司将生产和供应Wolfspeed®碳化硅晶圆给安森美半导体公司。安森美半导体是全球半导体领导者,为各种电子应用领域的客户提供服务。该协议价值超过8500万美元,用于向安森美半导体公司供应Cree公司先进的150mm碳化硅(SiC)裸晶圆和外延晶圆,用于目前的高增长市场,如电动汽车和工业应用。
Wolfspeed推出SiC参考设计和评估板,有助于减少设计周期时间
本文介绍了Wolfspeed(原Cree Power)的6个SiC参考设计和评估板。包括半桥门级驱动CGD15HB62P、六块评估板CGD15FB45P、通用驱动模块CRD-001、碳化硅分立元件评估板KIT8020-CRD-8FF1217-1、CRD060DD12P 60W 辅助电源与C2MTM MOSFET、50W boost 变换器。
【产品】具有超高正向浪涌能力且反向漏电流较低的Wolfspeed® SiC肖特基二极管
Wolfspeed®二极管除了拥有SiC的优点之外,Wolfspeed®二极管基于混合PIN/肖特基(MPS)技术,较标准的肖特基设计更稳健、更可靠。其现场使用超过2兆小时,组合故障率(FIT)明显低于1次/10亿器件小时。几乎无切换损耗,可提高系统效率。
Wolfspeed(cree)CRD15DD17P(CPWR-AN22)应用指南
【产品】Wolfspeed® SiC MOSFET,较Si IGBTs和超结MOSFET具有更低的导通/关断切换损耗
Wolfspeed® SiC MOSFET为高速、多数载流子器件,对于硬切换逆变器/变换器,可使得设计人员在相同切换频率的情况下能够获得更高的效率,或者在相同净损耗的情况下能够实现更好的切换频率。由于与Si同类产品相比,其阻断电压较高,导通电阻较低,以及导热性较好,从而使得采用SiC MOSFET的电源变换器具有更高的功率密度。
请问Wolfspeed(原CREE)的SIC MOSFET C2M0080120D有何功能特点?
在设计一款高效率充电桩电源模块,选用Wolfspeed(原CREE)的SiC MOS管C3M0120100J,请问在PCB布板设计时,如何进行合理的布线满足安规要求,以及降低环路干 扰?
WOLFSPEED公司1200V 40A SIC SBD C4D30120D,是否有对应产品推荐?
为什么wolfspeed有的器件,在产品询价里面搜索不到?例如:GTRA362802FC-V1
Wolfspeed的C3D04060A的电流浪涌能力是多少?
如果50w开关电源上开关管选用Wolfspeed的C2M1000170J SIC MOSFET,请问对散热器有何要求?
Wolfspeed的SiC二极管C3D16060D能承受的正向浪涌电流是多少?
Wolfspeed碳化硅MOSFET管C2M0080120D的驱动电压范围是多少?
Wolfspeed碳化硅MOSFET管C2M0080120D的内部栅极电阻是多少?
Wolfspeed SiC Power Products Introducing Wolfspeed’s new E-Series™ SiC MOSFETs and Diodes 快速参考指南
【产品】Wolfspeed推出碳化硅功率MOSFET CPM3-1200-0032A, 采用C3M MOSFET技术
Wolfspeed公司推出的碳化硅功率MOSFET CPM3-1200-0032A, 采用C3M平面MOSFET技术和N沟道增强模式。这款新器件实现导通电阻Rds(on)低到仅32mΩ,并且在整个工作温度范围内具有1200V阻断电压,从而大大降低了降额要求。它可以应用于太阳能逆变器,EV充电器,高压DC / DC转换器,开关模式电源和负载开关。
【产品】WolfSpeed推出了全新的、完全集成的SiC MOSFET裸片、分立模块和模块产品组合
2019年5月7日,WolfSpeed推出了一个全新的、完全集成的产品组合,其中包括在德国纽伦堡的PCIM Europe2019的裸芯片、分立模块和模块。端到端部件针对电动车辆、工业和可再生能源应用进行了优化,并为设计工程师提供最大的灵活性,利用SiC实现高功率应用中的最高功率密度。
Wolfspeed(科锐)
Cree, Inc. Celebrates 15 Years of GaN MMIC Technology Leadership
XGD15HB62LP Dual Channel Isolated Gate Driver Optimized for Cree XAS325M12HM2 CPM2 SiC Half Bridge Module
Wolfspeed(科锐) 电源手册
Wolfspeed(科锐) 晶圆服务--供应商介绍
Wolfspeed(科锐) 宽带大功率产品销售手册
Wolfspeed(科锐) 功率器件包装盒船运参考卡
Wolfspeed(科锐) 针对每种等级的SiC功率模块选型指南.
Wolfspeed(科锐) 第二代Z-FET® SiC MOSFET销售手册
Wolfspeed(科锐) Z-Rec® SiC家族肖特基二极管销售手册.
Cree将投资10亿美元,扩大SiC碳化硅产能、满足EV电动汽车和5G市场需求
CREE先进的制造园区,将加速从Si硅向SiC碳化硅的产业转型,满足EV电动汽车和5G市场需求。此次产能扩大,将带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和SiC碳化硅材料生产的30倍增长,以满足2024年之前的预期市场增长。科锐是Wolfspeed功率和RF射频半导体、照明级LED、照明产品的创新者。Wolfspeed产品包括了SiC碳化硅材料、功率器件、射频器件,广泛应用于电动汽车、快速充电等。
【应用】采用Wolfspeed SiC肖特基二极管替代传统硅二极管优化Boost PFC整体性能的应用方法
采用Wolfspeed 推出的SiC 肖特基二极管替代Si肖特基二极管,重新设计Boost PFC,能够提高开关频率,降低体积,获得更高的效率和功率密度。
Wolfspeed(科锐) KIT-CRD-3DD12P降压升压评估板介绍
本资料为Wolfspeed(科锐)KIT-CRD-3DD12P降压升压评估板介绍。
Wolfspeed(科锐) CGHV96100F2 RoHS声明
Wolfspeed(科锐)1200V肖特基二极管扩展设施可靠性认证报告
Wolfspeed(科锐)600V/650V肖特基二极管扩展设施可靠性认证报告
Wolfspeed(科锐) CPW2/CPW4/C2D/C4D系列资质报告
Wolfspeed(科锐) RoHS Compliance
Wolfspeed(科锐) HEMT封装产品RoHS声明
Wolfspeed(科锐) C2D20120D 材质成分声明
Wolfspeed(科锐) C2D20120D 材质成分声明
Wolfspeed(科锐) HEMT-Chip封装产品RoHS声明
Wolfspeed(科锐) HEMT封装产品RoHS声明
Wolfspeed(科锐)KIT-CRD-3DD12P降压升压评估套件应用笔记(AN27)
本资料为Wolfspeed(科锐)KIT-CRD-3DD12P降压升压评估套件的应用笔记。
Recommended Solder Profiles for Cree Inc.Power Products
CGD15SG00D2 Gate Driver for Cree’s Generation 3 (C3MTM) SiC MOSFET
APPLICATION NOTE Load Pull Validation of Large Signal Cree GaN Field Effect Transistor (FET) Model
Design Considerations for Designing with Cree SiC Modules Part 1.Understanding the Effects of Parasitic Inductance
KIT8020-CRD-5FF0917P-2 Evaluation Board for Cree’s SiC MOSFET in a TO-247-4 Package Application Note
Wolfspeed(科锐) 共晶固晶过程应用笔记
Wolfspeed(科锐) SiC MOSFET 门极驱动应用笔记
Wolfspeed(科锐) 功率产品推荐的焊接型材--应用笔记.
Wolfspeed(科锐) SIC MOSFET独立门极驱动应用笔记
Wolfspeed SiC and GaN Materials Catalog
Wolfspeed(科锐)授权分销价格表
Breakfast with John Palmour of Wolfspeed(科锐)
Wolfspeed SiC and GaN Materials Industry-Leading Portfolio, Innovation and Scale
Cree Power Tube and T&R Pack-and-Ship Reference Card
Cree Power Tube and T&R Pack-and-Ship Reference Card Schottky Diodes
High Efficiency Class-E Amplifier Utilizing GaN HEMT Technology Cree Inc., Durham, NC 27703 USA
【技术】Wolfspeed 采用独立Kelvin驱动源极引脚封装,降低SiC MOSFET 开关损耗3.5倍
Wolfspeed 开发了两种分立SiC MOSFET 封装TO-247-4L和TO-263-7,采用独立Kelvin驱动源极引脚。,应用于SiC MOSFET,突破了传统封装对di/dt的限制,能够发挥出SiC MOSFET开关速度快和开关损耗低的特点。
【选型】Wolfspeed sic mos帮助实现LED驱动电源高效化,体积缩小1/3
LED驱动电源技术越来越成熟,市场对于电源体积价格要求也越来越高。驱动电源外壳也占有很大成本,较少外壳体积,提高驱动电源效率成为技术提升关键。Wolfspeed公司sic mos取代传统si mos方案,提高开关频率,减小变压器体积,从而达到电源整体成本的降低。
KIT-CRD-CIL12N-XM3 WOLFSPEED 的 XM3 半桥模块动态评估板用户指南
【应用】Wolfspeed碳化硅功率MOSFET帮助降低电机驱动功率损耗,导通延迟仅5.2ns
电动机能耗占整个工业用电的63%,可以依靠Wolfspeed SiC器件来降低功率损耗并提高电力转换的效率。本文推荐Wolfspeed的一款C2M0280120D的碳化硅功率MOSFET,的一款N沟道增强型碳化硅功率MOSFET,具有延迟极短、超高耐压、小封装等优势,为电动机驱动提供解决方案,具有巨大的市场前景。
【应用】Wolfspeed SiC N沟道增强型MOSFET单管用于电焊机,实现高精度焊接
在电焊机市场,逆变模块通常采用IGBT模块来设计,开关频率一般在10kHz到75KHz。然而越来越多传统焊接客户要求高精度焊接,这就需要开关频率提高至250kHz左右,只能采用高开关频率SiC器件,Wolfspeed 碳化硅 MOSFET提供相关器件解决方案。
Wolfspeed TO247-4封装SIC MOSFET在大功率直流充电桩上的应用
Wolfspeed公司生产的SiC-MOSFET功率管 C3M0075120K漏源阻断电压高达1200V,连续导通电流可达30A,导通电阻仅75mΩ,输出电容仅58pf,采用新型低阻抗封装TO247-4,适合应用在直流充电桩功率单元中。
【产品】Wolfspeed高性能电源模块和栅极驱动器板,实现超低损耗
Wolfspeed的电源模块可以将SiC MOSFET和肖特基二极管带入更高功率(千瓦至兆瓦)应用,并保持原有的性能优势。由于它们采用标准工业外壳封装,因此系统设计人员可以快速评估Wolfspeed全SiC模块的系统级优势,作为电源模块的补充, Wolfspeed的栅极驱动板进一步增强了评估功能。
Wolfspeed(科锐) SIC市场领跑者
Wolfspeed(科锐)碳化硅产品介绍
限时6折!Wolfspeed授权代理商现货供应SIC模块CAS300M17BM2!
Wolfspeed的官方授权代理商世强,限时6折!现货供应SIC模块CAS300M17BM2!CAS300M17BM2是轨道交通变流器高压逆变核心功率模块,性能最好。目前,在世强元件电商购买CAS300M17BM2,不仅享受6折超低折扣,还可保障快速到货。
Wolfspeed参考设计、技术资料、SIC解决方案等,免费下载
世强及世强元件电商作为Wolfspeed的官方授权一级分销商,除了可提供库存丰富、有正品保障的元件采购外,还可提供Wolfspeed相关的官方资料,包括选型指南、数据手册、应用白皮书、参考设计、SIC解决方案等,以及由世强根据龙头企业的成功案例打造的优选器件方案等。
Wolfspeed授权分销商,可提供demo板、测量服务及技术支持服务
作为Wolfspeed官方授权分销商,世强及世强元件电商代理销售其旗下产品。目前,世强元件电商除了提供库存丰富、有正品保障的元件采购外,还支持Wolfspeed有关的技术难题解答及测试服务。
【产品】Wolfspeed推出专为超宽带性能而设计的PTNC210604MD两级LDMOS集成功率放大器
Wolfspeed推出的PTNC210604MD两级LDMOS集成功率放大器,器件采用LDMOS制造工艺,拥有薄尺寸的优势。集成有温度补偿功能,可以有效减少由温度变化产生的影响,还具有静电释放(ESD)保护功能,可以减少静电释放(ESD)对产品的威胁,提高产品的可靠性。。主要应用于移动通信设备、航空电子设备以及雷达系统等领域。
用于电源、光伏逆变上的Wolfspeed SiC二极管,现货充足交期快
作为Wolfspeed(原CREE POWER独立更名)的官方授权代理商,世强及世强元件电商销售Wolfspeed旗下产品,在保证正品和供货稳定的同时,还可提供样品支持和技术支持等服务。
Wolfspeed(科锐)Qualification of Expanded 150mm Wafer Manufacturing Facility for Packaged SiC Schottky Diode Products(PCN-PW070)
Qualification of Expanded 150mm Wafer Manufacturing Facility for Packaged SiC Schottky Diode Products.
Wolfspeed(科锐)功率模块激光标记变更通知(PCN-PW075)
Wolfspeed(科锐) SiC MOSFET Driver CGD15HB62P产品变更通知
Wolfspeed(科锐)Qualification of Expanded 150mm Wafer Manufacturing Facility for All Bare Die SiC Schottky Diode Products(PCN-PW071)
Wolfspeed(科锐)C3M0075120K/C3M0075120J产品变更通知(PCN-PW064)
Wolfspeed(科锐) C3M0075120K/C3M0075120J产品变更通知(PCN-PW064)
现货供应Wolfspeed SiC模块,可用于轨道交通、感应加热等领域
世强是Wolfspeed(原CREE POWER独立更名)官方授权代理商,在世强/世强元件电商上大批量采购Wolfspeed的SiC MOSFET模块,不仅可享优惠的价格,还可享受稳定的供应链服务。
Wolfspeed代理商,现货供应原装进口的SiC MOSFET
世强及世强元件电商作为Wolfspeed的官方授权代理商,可现货供应原装进口的Wolfspeed SiC MOSFET,并提供相应的技术支持服务。
基于为全球供应超过90% SiC晶片的SiC技术平台的Wolfspeed Sic Mosfet
Wolfspeed SiC MOS坚固、可靠,低电容,可高速切断;具备低RDS(on),高阻断电压。关断延迟小于13ns;工作电压 900-1700V;工作频率可达400KHz; 降低系统成本,提高系统可靠性,实现更高的系统效率,减少散热要求。世强是WOLFSPEED分销商,可供应wolfspeed Sic MOSFET产品,提供wolfspeed Sic MOSFET数据手册、技术支持等
pin to pin替换Wolfspeed C4D40120D的碳化硅二极管LSIC2SD120E40CC,交期短不缺货
碳化硅二极管供应紧张,交期持续延长。对于需要短时间内拿货,同时想要提高效率和可靠性的应用而言,Littelfuse推出经过扩展的碳化硅二极管产品LSIC2SD120E40CC是理想的选择,可以pin to pin替换Wolfspeed公司的C4D40120D。
Cree SiC Power White Paper: The Characterization of dV/dt Capabilities of Cree SiC Schottky diodes using an Avalanche Transistor Pulser
Cree Silicon Carbide Power White Paper: Highly Efficient, and Compact ZVS Resonant Full Bridge Converter Using 1200V SiC MOSFETs
十大本土分销商世强代理Wolfspeed/Cree
Wolfspeed是SiC市场的领头羊,由原CREE的POWER事业部独立更名。世强是Wolfspeed官方授权一级分销商,代理Wolfspeed旗下产品,库存丰富,正品保证。在世强元件电商,用户除了获取免费的资料和技术支持服务,还可以以低于行业的价格购买到Wolfspeed的产品。
Wolfspeed 1700V MOSFET and Diode Product sheet
Wolfspeed C5D25170H Silicon Carbide Schottky Diode 数据手册
Wolfspeed C5D05170H Silicon Carbide Schottky Diode 数据手册
Wolfspeed C5D10170H Silicon Carbide Schottky Diode 数据手册
KIT8020-CRD-5FF0917P-2 EVALUATION BOARD FOR CREE'S (C3M) SIC MOSFET IN A TO-247-4 PACKAGE
Wolfspeed(科锐) CGH40180PP数据手册
【产品】Wolfspeed全新SiC功率器件WAS300M12BM2,可替换Si功率器件
Wolfspeed全新的WAS300M12BM2功率模块在高湿度条件下表现出优异的性能,这是第一款通过HV-H3TRB测试验证具有长期使用寿命的,并针对恶劣环境应用的全SiC功率器件,其在可再生能源和交通运输等户外功率转换应用中的使用打开了大门。
Wolfspeed(原Cree Power)官方授权代理证明/分销协议/授权书
世强是Wolfspeed官方授权一级分销商,代理Wolfspeed旗下Power产品,库存丰富,正品保证。用户可以查询获取来自Wolfspeed的最新产品和技术资讯、官方资料库,以低于行业的价格,购买Wolfspeed最新元器件和零件产品,享受供货保障。
【产品】性能优异的Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管
Wolfspeed(原CREE POWER独立更名)成立于1987年,一直以“SiC技术”见长。该品牌的 SiC肖特基二极管具有可高温高频工作,可忽略的开关损耗, dV/dt最高可达200V/ns等产品特性。产品可应用于开关电源(SMPS),电机驱动,AC/DC转换等场景中。
AWR® Success Story Cree Speeds Development of High-Performance GaN Doherty Amplifi ers by 70%
AWR® Success Story Cree Speeds Development of High-Performance GaN Doherty Amplifi ers by 70%
Wolfspeed(原Cree Power)——SiC市场的领头羊
世强是WOLFSPEED官方授权一级分销商,代理Wolfspeed旗下Power产品,库存丰富,正品保证。用户可以查询获取来自Wolfspeed的最新产品和技术资讯、官方资料库,以低于行业的价格,购买Wolfspeed最新元器件和零件产品,享受供货保障。