Renesas（瑞萨电子）数字多相产品解决方案
本资料主要讲述的内容是Renesas（瑞萨电子）数字多相产品的解决方案，主要分为以下几点：
Complete Solution
▪ Family of products for any power level
▪ Digital POL scalable from 0A- 100A+
▪ Digital Multiphase scalable from 0A- 1000A+
Turnkey solutions
▪ Designs for any CPU/FPGA/ASIC on the market
▪ Complete solutions for all designs: Intel, AMD, IBM, Cavium, FPGA: GFX
▪ Single software solution for monitoring and debug
Full Digital
▪ All products utilize a full digital control loop
▪ Enables small solution size, high level of integration
▪ Fastest transient response for reduced output capacitance
▪ Easy to design, fast development time
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鲁光电子(LGE)TVS二极管选型表
选型表 - 鲁光电子 鲁光电子提供TVS二极管选型，封装含SOD-123FL、SMA、DO-41、DO-15。单向特性、Vwm：3.3-600V 、VBR：5.2-630V全范围可选，PPPM：200-500W，IPPM：0.46-54A，低IR：1-1000µA，极快响应，适用于电源、通信、汽车等过压保护。
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产品型号
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品类
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封装
|
Type
|
Breakdown Voltage VBR @IT Min (V)
|
Breakdown Voltage VBR @IT Max (V)
|
IT (mA)
|
Vwm(V)
|
IR（µA）
|
IPPM(A)
|
VC(V)
|
PPPM(W)
|
|
SMF3.3A
|
TVS Diodes
|
SOD-123FL
|
Unidirectional
|
5.2
|
6
|
10
|
3.3
|
400
|
23.5
|
8.5
|
200
|
华南微肖特基二极管选型表
选型表 - 华南微 华南微提供肖特基二极管选型表，涵盖650V/1200V/1700V/3300V多种电压等级，电流范围6A-60A，正向压降1.27V-1.7V，采用TO220-2/TO247-3等封装。产品包括SC3D、SC4D系列，适用于高频开关电源、续流二极管等场景。
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产品型号
|
品类
|
Blocking Voltage
|
Current Rating
|
VF(type)
|
Package
|
|
SC3D00665A
|
肖特基二极管
|
650V
|
6A
|
1.27V
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TO220-2
|
国民技术发布面向AI数据中心的3 kW数字电源参考设计方案NS3KW53V5P2L3
2025-07-10 - 产品 7月8日，国民技术正式发布AI数据中心数字电源参考设计方案——高性能单芯片3kW数字电源方案NS3KW53V5P2L3，该方案以其卓越的集成度和能效表现，助力客户快速构建高效、智能、可靠的电源系统。帮助开发者快速应对AI算力与新能源领域的关键电源挑战，为电力电子技术迈向数字化、智能化提供核心支撑。
真茂佳MOSFET选型表
选型表 - 真茂佳 真茂佳提供汽车级（Automotive）和工业级MOSFET选型，涵盖N/P沟道、单/双通道及SiC MOSFET，电压范围20V-3300V。产品包括Auto LnM系列（如ZMSA、ZMA等）和SiC系列（如ZMCA），可选参数：VDS 20V-3300V，VGS ±10V-±30V，ID 1.4A-475A（Tc=25℃），Rds(on)低至0.4mΩ（Vgs=10V）。优势特性包括低导通电阻、高开关速度（Qg 5.3nC-750nC）、高可靠性（AEC-Q认证），封装涵盖DFN3*3、TO-263、TO-247、TOLL等，适用于电机驱动、电源转换及新能源车载系统。SiC MOSFET支持高频高温应用，适用于充电桩和光伏逆变器。
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产品型号
|
品类
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Type
|
Product Status
|
Qualification
|
Technology
|
VDS（V）
|
VGS（V）
|
ID Tc=25℃（A）
|
PD
Tc=25℃（W）
|
EAS L=0.1mH（mJ）
|
Vth min/typ/max （V）
|
Rds(on) Vgs=10V max（mΩ
|
Rds(on) Vgs=10V typ/max（mΩ）
|
Rds(on)
Vgs=4.5V
max（mΩ）
|
Rds(on) Vgs=4.5V typ/max（mΩ）
|
Rds(on) Vgs=18V typ/max （mΩ）
|
Rds(on) Vgs=15V typ （mΩ）
|
Ciss（pF）
|
Coss（pF）
|
Crss（pF）
|
Rg（Ω）
|
Qg（nC）
|
Qgs（nC）
|
Qgd（nC）
|
Package Name
|
|
ZMCA88201M
|
Auto LnM MOSFET
|
N+P
|
MP
|
Automotive
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RobustFET
|
20
|
±12
|
-4
|
17
|
10
|
-0.5/-0.7/-1.2
|
-
|
-
|
100
|
65/100
|
-
|
-
|
495
|
64
|
51
|
8
|
5.3
|
1.5
|
2.4
|
DFN3*3 Dual
|
华南微SiC Mosfet选型表
选型表 - 华南微 华南微提供SiC Mosfet选型，覆盖650V至3300V电压范围，封装包括TO-247-4、TO-247-3、TO-252、TO-3PF等。核心优势为高电流（150A）和低导通电阻（13mΩ），细分品类涵盖高压（1200V/1700V/3300V）和中低压型号，适用于工业电源、电动汽车等高功率场景。
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产品型号
|
品类
|
Blocking Voltage
|
RDS(ON)at 25℃
|
Current Rating
|
Package
|
|
SC3M0015065D
|
SiC Mosfet
|
650V
|
15mΩ
|
120A
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TO-247-3
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WDJ（微电晶）电源管理器件&MOS选型表
选型表 - WDJ WDJ提供线性稳压器、电压检测芯片、监控IC、逻辑门及运放的完整选型。核心参数：耐压5.5-45 V、输出电流50 mA-1.2 A、静态电流0.6-85 µA、PSRR 70 dB、容差0.02-2%。封装覆盖SOT23/5/89、SOP-8/14/16、SC70、SSOP-48。输出固定1.8-15 V，可调三端稳压至30 V；逻辑支持1.65-5.5 V供电；接口支持RS-232/485/3485 2.5 Mbps。全系列民用级ROHS，最小包装1k-3k，满足便携、工业及通讯设计。
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产品型号
|
品类
|
封装
|
应用等级
|
欧盟强制性环保法规
|
最小包装量
|
耐压(V)
|
电流
|
|
AP7380-30Y-WDJ
|
线性稳压器
|
SOT-89
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民用级
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ROHS
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1000
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24V
|
150mA
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HDK力传感器和压力传感器选型表
选型表 - HDK HDK力传感器和压力传感器选型，涵盖型号HFD-500S、HPD-100G-R02、HPD-1000G-R02等。核心参数包括测定负荷范围0～10N，直线性±3%，使用温度范围-20～60℃，尺寸5.5×3.0×1.9mm至7.0×7.0mm，压力范围0～1000kPa，驱动电流1.5mA，输出口φ3.0×6.0mm，电源电压5.0V。适用于需要精确力和压力检测的应用场景，如工业自动化和环境监测。
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产品型号
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品类
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测定负荷范围(N)
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直线性(%FS)
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使用温度范围(℃)
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尺寸(mm)
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HFD-500S
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力传感器
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0～10
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±3
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-20～60
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5.5×3.0×1.9
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京东方华灿GaN功率器件选型表
选型表 - 京东方华灿 京东方华灿提供以下氮化镓功率器件选型：耐压605V、700V，内阻（典型值）150mΩ、240mΩ、480mΩ，内阻（最大值）180mΩ、300mΩ、600mΩ。产品涵盖高压和低压，以消费应用为起点，逐步布局工业车用。
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产品型号
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品类
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封装
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耐压
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内阻（典型值）
|
内阻（最大值）
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HC650CDB300A
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GaN功率器件
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DFN8*8_3L
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650V
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240mΩ
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300mΩ
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Xsemi稳压二极管选型表
选型表 - Xsemi Xsemi稳压二极管选型：电压3.3-550V，功率1-15000W，封装涵盖DO-41、DO-15、DO-201AD、R6、SOD-123FL、SMA/SMAF，芯片28-160MIL叠片/GPP/外延工艺，引线0.7-1.28mm，编带/盘装，适配通信、电源、车规、工业过压保护。
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产品型号
|
品类
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包装形式
|
封装
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引线线径
|
引线长度
|
芯片尺寸
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Vz(V)
|
最大耗散功率PPP(W)
|
|
P4KE6.8A
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稳压二极管
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编带
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DO-41
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0.7MM
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58MM
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50MIL GPP
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6.8
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400W
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安邦-TVS管选型表
选型表 - 安邦 安邦创新专利TVS管，小封裝大功率，覆盖市场多种主流贴片封装，选型表主要提供以下参数选型：Pppm (W)：200~15000W、VRWM (V)：5~800V、VBR@IT_Min (V)：6.4~896V、VBR@IT_Max (V)：7~989V、IPP_Max (A)：0.5~543V等 产品特点：1. 小封装,大功率: 完成业界未有的双晶粒封装,并取得相同封装双倍功率的创新专利。2. 高压延伸到800V: 在高压应用上此TVS可保护后端高价值的电路设备,如逆变器或是电源供应器的一次侧高压保护。3. 高可靠性的封装结构: 新产品使用了4点焊接工艺,在高温可靠性上的表现优于业内的2点式焊接工艺。应用：手机，便携式设备，数码相机，电源等领域。
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产品型号
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品类
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Package
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AEC-Q101 Qualified
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UNI/BI
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Pppm (W)
|
VRWM (V)
|
VBR@IT_Min (V)
|
VBR@IT_Max (V)
|
IT (mA)
|
IR@VRWM_Max (µA)
|
VC@IPP_Max (V)
|
IPP_Max (A)
|
|
SMF5.0A
|
TVS管
|
SOD-123
|
N
|
UNI
|
200
|
5
|
6.4
|
7.25
|
10
|
800
|
9.2
|
21.7
|
GDsicsemi碳化硅二极管选型表
选型表 - GDsicsemi GDsicsemi提供如下参数的碳化硅二极管选型,涵盖650V~3300V及3A~165A全系列碳化硅二极管,封装从贴片PDFN5×6到金属隔离TO-247-4(ISO) 共 10 种,一键匹配光伏,充电桩,车载OBC等高效高密度电源需求,同电压电流档优先选TO-247-4凯尔文版降低高频损耗,上管直接点“ISO”陶瓷隔离型号,省绝缘片与散热器空间
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产品型号
|
品类
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封装
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电压(V)
|
电流(A)
|
VF(V)
|
|
C3D10065A
|
碳化硅二极管
|
TO-220-2
|
650
|
10
|
1.4
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DACO TVS Diodes选型表
选型表 - DACO DACO提供TVS二极管（瞬态抑制二极管/突波吸收器）完整选型：涵盖SMA/SMB/SMC/SMF/1.0SMB/3.0SMC/5.0SMDJ等全系列封装DO-214AC/AA/AB及SOD-123FL，功率200 W-5 kW，反向截止电压5-600 V可选，击穿电压范围±5%精准，IPP 0.48-326 A，单双向通用；低漏电流、-55~150 °C宽温，满足电源保护、汽车电子、通信接口等ESD/浪涌抑制需求。
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产品型号
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品类
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PPPM(W)
|
VRRM(V)
|
VBR@IT(V)Min
|
VBR@IT(V)Max
|
IT(mA)
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IFSM(A)
|
Vc@IPP(V)Max
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IPP(A)
|
IR@VRWM(uA)Max
|
结温(℃)
|
封装
|
|
SMA6.8(C)A
|
TVS Diodes
|
400
|
5.8
|
6.46
|
7.14
|
1
|
40
|
10.5
|
38.1
|
500
|
-55°C~150°C
|
SMA(DO-214AC)
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SYNEXENS传感器选型表
选型表 - SYNEXENS SYNEXENS提供如下参数的传感器选型,最大测量距离:0.05m~60m,电源电压:2.8V~3.6V及多种不同的测量精度,可广泛运用于多个领域
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产品型号
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品类
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分辨率(mm)
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供电电压(V)
|
测量精度
|
|
SP10
|
激光雷达传感器
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1mm
|
3.3V
|
0.01
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电子商城
服务市场
捷配提供铝基板打样与批量定制服务，导热性强，UL认证保障品质。
提交需求>
朗能泛亚提供是德(Keysight)，罗德(R&S)等品牌的测试测量仪器维修服务，包括网络分析仪、无线通讯综测仪、信号发生器、频谱分析仪、信号分析仪、电源等仪器维修，支持一台仪器即可维修。
提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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