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产品型号
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品类
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反向重复电压 (V)
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正向平均电流 (A)
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正向压降VF (V) 25℃- (typ.)
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正向压降VF (V) 25℃- (max.)
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封装
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GW3-S12020
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碳化硅芯片
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1200
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20
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1.42
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1.7
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bare chip
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泰科天润（GPT）SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南
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产品型号
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品类
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晶圆尺寸
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Package
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Config.
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VRRM(V)
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IF(A)(Tc=160℃)
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IF(A)(Tc=125℃)
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IF(A)(Tc=25℃)
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IFSM(A)(Tc=25℃)
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RTH-JC(Typ.)(℃/W)
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Qc(nc)(Tj=25℃)
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Ptot(W)(Tc=25℃)
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Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
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VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
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IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
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IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
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G51XT
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碳化硅肖特基功率二极管
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4寸
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SOD123
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单芯
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650
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0.65
|
1
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1.84
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18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
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1.38
|
1.6
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1.57
|
2
|
0.07
|
50
|
0.2
|
100
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G5S12002C PCBLIB&SCHLIB&INTLIB
2024/12/10 - CAD模型库
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