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|
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSS (V)
|
ID (A)
|
Pd(W)
|
VGS (V)
|
Ciss(pF)
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Vth(Min)(V)
|
Vth(Typ)(V)
|
Vth(Max)(V)
|
Rdson(mΩ) @VGS4.5V(Typ)
|
Rdson(mΩ) @VGS4.5V(Max)
|
Rdson(mΩ) @VGS2.5V(Typ)
|
Rdson(mΩ) @VGS2.5V(Max)
|
|
LW2302BM
|
MOSFET
|
Single
|
20
|
3
|
0.8
|
±10
|
172
|
0.45
|
0.68
|
1
|
38
|
45
|
50
|
70
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真茂佳中低压MOSFET选型表
选型表 - 真茂佳 真茂佳（ZMJSEMI）提供车规级与工业级中低压MOSFET选型，电压覆盖20V-500V，N沟道和P沟道，Rds(on)范围0.4mΩ-3600mΩ。产品涵盖SpeedFET（高频低FOM，开关速度快）、RobustFET（高雪崩耐量，鲁棒性强）、BPFET（高EAS能力，极致雪崩容差）及SJMOS（超结技术，高电压低导通电阻）四大技术系列，提供纯MOSFET及N+P、N+N组合型。关键参数包括VDS耐压、ID电流、Rds(on)导通电阻、Vth阈值电压、EAS雪崩能量、Ciss/Coss/Crss电容、Rg栅极电阻、Qg/Qgs/Qgd栅极电荷等。适用于BMS、电动工具、工业电源、电机驱动、DC-DC转换器、负载开关及汽车电子等场景。
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产品型号
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品类
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Type
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Product Status
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Qualification
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Technology
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VDS
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VGS min/max
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ID Tc=25℃
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PD Tc=25℃
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EAS L=0.1mH
|
Vth min/typ/max
|
Rds(on Vgs=10V
typ/max
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Ciss
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Coss
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Crss
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Rg
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Qg
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Qgs
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Qgd
|
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ZMSA012N03HNC
|
中低压MOSFET
|
N
|
Sample
|
Automotive
|
SpeedFET
|
30V
|
±20V
|
223A
|
150W
|
220mJ
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2.0/2.7/4.0V
|
1.3/1.6mΩ
|
2164pF
|
941pF
|
80pF
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1.6Ω
|
29.2nC
|
8.9nC
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5.4nC
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欧创芯（OCX）中低压MOS选型表
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产品型号
|
品类
|
封装
|
工艺
|
沟道
|
Vos_Max(V)
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DMax(A)
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Ves(t)Typ(V)
|
Ves_Max(V)
|
C iss_Typ(pF)
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Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)
|
Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
|
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OCT2N10TS
|
中低压MOS
|
SOT-23
|
Trench
|
N
|
100
|
2.0
|
1.5
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±20
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321
|
220
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250
|
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