7554-0032-2710 N JACK, 4 HOLE FLANGE, PIN TERMINAL, EPOXY CAPTURED SPECIFICATION CONTROL DRAWING
●电气
■频率范围GHz:直流至12.4 GHz。
■电压驻波比(最大):1.07+。010 x FGHz。
■插入损耗(dB最大值):05分贝x√FGHz。
■标称阻抗(欧姆):50
■额定电压(最大VRMS):333
■射频泄漏(最低dB下降):-75 dB-FGHz。
■额定温度(摄氏度):-65℃至+165℃
■介质耐受电压(最大VRMS):1000
■绝缘电阻(最小兆欧):5000
■接触电阻
▲中心触点(最大毫欧姆):3.0
▲外部触点(最大毫欧姆):3.0
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|
产品型号
|
品类
|
封装/外壳/尺寸
|
PD(W)
|
ID
|
VDSS(V)
|
Polarity
|
Qg(nC)@10V(typ)
|
VGSS(V)
|
RDS(on)mΩ@10V
|
|
LGE1N60P
|
MOSFET
|
TO-220AB
|
40
|
1.2A
|
600
|
N
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5
|
±30
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9300
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产品型号
|
品类
|
ESD(Yes/No)
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(TH)(V)
|
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
|
Package
|
|
GPK1508
|
N Channel MOSFET
|
ESD
|
15
|
±10
|
8
|
0.7
|
8.5
|
11
|
SOT-23-3L
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产品型号
|
品类
|
Tᴊ(℃)
|
Vᴅss(V)
|
Vɢss(V)
|
Vɢs₍ᴛʜ₎ (V)Max.
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Rᴅs₍ᴏɴ₎(mΩ) @ 10VMax.
|
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BL12P15HB
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P沟道增强模式MOSFET
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150
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-150
|
±20
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-4
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