CMPDM8002A SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
中央半导体CMPDM8002A是一种P沟道增强型MOSFET，采用P沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
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Central Semiconductor晶体管选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）晶体管选型。产品参数如下：漏源电压（Vdss）：20V~800V，25°C时电流连续漏极 (Id)：100mA（Ta）~11A（Ta）。此产品广泛应用于小信号、通用开关等应用
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产品型号
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品类
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Vgs（最大值）
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不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）
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驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）
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漏源电压（Vdss）
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不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）
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25°C时电流 连续漏极 (Id)
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不同Id时Vgs(th)（最大值）
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不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）
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CMPDM7002AG BK PBFREE
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晶体管
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40V
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50pF@25V
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5V，10V
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60V
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0.59nC@4.5V
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280mA（Ta）
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2.5V@250µA
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2欧姆@500mA，10V
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【应用】低导通内阻MOS管 CMPDM203NH和CMPDM202PH在定位产品电池电压采集控制电路中的应用
2019-09-12 - 应用方案 笔者有参与一款定位产品的开发，产品采用3.6V的锂亞电池ER18505加超级电容SPC电池组进行供电，产品设计中为了让用户实时了解产品电池电量剩余情况，采用Central Semiconductor（中央半导体）的NMOS管CMPDM203NH和PMOS管CMPDM202PH设计电池电压采集控制电路。CMPDM203NH和CMPDM202PH具有非常低的导通电阻，是能量敏感型应用的理想选择。
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产品型号
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品类
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不同If时电压正向(Vf)
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电流平均整流(Io)
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速度
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不同Vr时电流反向泄漏
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电压DC反向(Vr)（最大值）
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CMPD2004 TR PBFREE
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整流器
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1.25V@200mA
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200mA
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小信号=<200mA（Io），任意速度
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100nA@240V
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240V
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电子商城
服务市场
可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数，插拔寿命达100万次以上。
最小起订量：1 提交需求>
可定制插座连接器的间距1.25mm~2.54mm；列数：单列/双列/三列/四列；端子类型：直焊针、直角焊针、表面贴装式、无焊柔性针压接、绕接、载体.；镀层、车针长度/直径、连接针长度等参数可按需定制。
最小起订量：1 提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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