AP180N03G N-Channel Power MOSFET DATA SHEET
■特性
●30V，180A
▲RDS（ON）=1.7 mΩ（典型值）@VGS=10V
▲RDS（ON）=3.2 mΩ（典型值）@VGS=4.5V
●总栅极电荷低
●反向传输电容低
●DV/DT能力提高
●开关速度快
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产品型号
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品类
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Package Type
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VDS (V)
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ID(A) Tc=25℃
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MOSFET Type
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Configuration
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
Vth (V)
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
VGS (V)
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|
AP180N03G
|
Trench Mos
|
PDFN5*6
|
30
|
180
|
N
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Single
|
3.2/4
|
1-2.5
|
1.7/2.1
|
±20
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