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AP18N20 N-Channel Enhancement Mosfet DATA SHEET

2022-11-07 铨力半导体 数据手册 英文


■特点:
●200V,18A
◆RDS(ON)<150mΩ@VGS=10V典型值:120 mΩ
●快速开关
●100%雪崩测试
●改进的DV/DT能力

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品类
Package Type
VDS (V)
ID(A) Tc=25℃
MOSFET Type
Configuration
Vth (V)
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
VGS (V)
AP18N20
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TO-220
200
18
N
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120/150
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