英诺赛科(Innoscience)高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表

2022-11-15

英诺赛科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体,拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压(30V-650V)的氮化镓功率器件,产品设计及性能均达到国际先进水平。

英诺赛科已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等方面发布产品方案,并与国内多家应用头部企业开展深度合作,实现量产。英诺赛科作为技术全球领先的第三代半导体公司,在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域已实现重大突破,建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化镓量产平台,实现了中国第三代半导体零的突破。

英诺赛科选型指南

英诺赛科

INN650TA030AINN650TA080AINN650D080BINN650DA150AINN650D150AINN650DA190AINN650D190AINN650DA260AINN650D260AINN650DA350AINN650D350AINN650DA04INN40W08INN040LA015AINN040W048AINN100W08INN100W14INN100W032AINN150LA070AINN650N140AINN650N240AINN650N500AINN650N150AINN650N260A

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Part#

高压氮化镓场效应晶体管低压氮化镓场效应晶体管晶圆

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选型指南

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TOLL;DFN;WLCSP;FCLGA;Solder Bar WLCSP

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2022/11/15

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