Alliance Memory 同步动态随机存储器AS4C16M16SA-Automotive数据手册

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2016-04-20 ALLIANCE 数据手册 英文

128mbsdram是一种包含128mbit的高速CMOS同步DRAM。它内部配置为4组2M字x16DRAM,带有同步接口(所有信号都注册在时钟信号的正边缘,CLK)。对SDRAM的读写访问是面向突发的;访问从一个选定的位置开始,并按编程顺序在一个已编程的位置继续进行。访问首先注册BankActivate命令,然后注册一个读或写命令。
SDRAM提供1、2、4、8或整页的可编程读或写突发长度,并提供突发终止选项。可以启用自动预充电功能以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。刷新功能,无论是自动刷新还是自刷新都很容易使用。
通过有一个可编程模式寄存器,系统可以选择最合适的模式,以最大限度地提高其性能。这些设备非常适合于需要高内存带宽的应用,特别适合高性能PC应用。

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【产品】ALLIANCE AS4C16M16SA系列 SDRAM

产品特性:1.快速时钟周期:5纳秒 2.高时钟频率:166兆赫兹 3.全同步操作 4.AEC-Q100符合性 5.内部流水线架构 6.4M字x 16位x 4银行结构 7.可编程模式寄存器 8.CAS延迟:2或3 9.布尔长度:1、2、4、8或全页 10.布尔类型:顺序或交错 11.布尔停止功能 12.自动刷新和自刷新 13.每32毫秒8192次刷新周期 14.CKE掉电模式 15.汽车环境温度:-40至105摄氏度 16.单+3.3伏±0.3伏电源供电 17.接口:LVTTL 18.54针400密耳塑料TSOP II封装 19.无铅和无卤素;

系列型号: AS4C16M16SA-6BINTR; AS4C16M16SA-6TIN; AS4C16M16SA-6TAN; AS4C16M16SA-6BIN; AS4C16M16SA-6TINTR; AS4C16M16SA-6BANTR; AS4C16M16SA-6BAN; AS4C16M16SA-6TANTR; AS4C16M16SA-6TCN; AS4C16M16SA-6TCNTR; AS4C16M16SA-7BCNTR; AS4C16M16SA-7TCNTR; AS4C16M16SA-7TCN; AS4C16M16SA-7BCN

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Alliance Memory AS4C16M16SA-C&I数据手册

2015年03月01日  - 数据手册 该资料为AS4C16M16SA-C&I型同步动态随机存取存储器(SDRAM)的数据手册。内容包括产品概述、特性、关键规格参数、引脚分配图、功能框图、引脚描述、操作模式、命令说明等。

ALLIANCE  -  256M – (16MX16BIT) SYNCHRONOUS DRAM (SDRAM),256M–(16MX16BIT)同步DRAM(SDRAM),存储器,AS4C16M16SA-6TIN,AS4C16M16SA-6BIN,AS4C16M16SA-6TAN,AS4C16M16SA-6BAN,AS4C16M16SA-6TCN,AS4C16M16SA-C&I,AS4C16M16SA,AS4C16M16SA-7TCN,AS4C16M16SA-7BCN,工业电子,汽车电子,通信设备

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Alliance Memory AS4C16M16SA-7TCN/6TCN/7BCN可靠性报告

2014年04月18日  - 测试报告 本报告详细介绍了AS4C16M16SA-7TCN/6TCN/7BCN 16M x 16 SDR SDRAM的可靠性测试结果。报告涵盖了寿命测试、环境测试、ESD测试和闩锁测试等多个方面,确保产品在特定条件下能够稳定运行。测试结果显示,该产品在短期和长期运行中的故障率均低于标准要求,且通过了所有环境测试和ESD测试,证明了其高可靠性和稳定性。

ALLIANCE  -  16M*16 BITS HIGH-SPEED CMOS SINGLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY,SDR SDRAM,16M*16位高速CMOS单数据速率同步动态随机存取存储器,存储器,AS4C16M16SA-6TIN,AS4C16M16SA-6BIN,AS4C16M16SA-6TAN,AS4C16M16SA-6TCN,AS4C16M16SA-6BAN,AS4C16M16SA,AS4C16M16SA-7TCN,AS4C16M16SA-7BCN,工业电子,HIGH PERFORMANCE PC APPLICATIONS,高性能PC应用,汽车电子,通信设备

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AS4C16M16SA-6TIN PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

2024/2/19  - CAD模型库

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28 FEBRUARY 2015  - 产品变更通知及停产信息 Alliance Memory Inc. 发布产品变更通知,宣布其 SDRAM 产品线将进行技术升级,从 72nm 过渡到 63nm 工艺。此次变更涉及多个产品型号,包括不同容量和组织的 SDRAM。新产品的样品已于 2015 年 2 月 28 日提供,并可在公司网站上找到更新后的数据表。最后购买日期为 2015 年 8 月 1 日,最后发货日期为 2016 年 3 月 1 日。所有 72nm 产品将在 2016 年第一季度停产。

ALLIANCE  -  AS4C16M16SA-6TIN,AS4C4M16SA-6TIN,AS4C8M16S-6TAN,AS4C16M16S-6BIN,AS4C16M16SA-6TAN,AS4C4M16SA-6TAN,AS4C8M16S-7BCN,AS4C16M16SA-6TCN,AS4C4M16SA-6TCN,AS4C8M16SA-7BCN,AS4C16M16SA-6BIN,AS4C8M16SA-6TIN,AS4C4M16S-6TAN,AS4C8M16SA-6TCN,AS4C16M16S-7TCN,AS4C8M16SA-6TAN,AS4C4M16S-6TCN,AS4C8M16S-7TCN,AS4C4M16S-6TIN,AS4C8M16SA-6BIN,AS4C16M16S-6TAN,AS4C8M16S-6BIN,AS4C4M16SA-7TCN,AS4C16M16SA-7TCN,AS4C16M16S-7BCN,AS4C4M16SA-6BIN,AS4C4M16S-6BIN,AS4C8M16SA-7TCN,AS4C8M16S-6TIN,AS4C16M16S-6TIN,AS4C8M16S-6TCN,AS4C16M16S-6TCN,AS4C4M16S-7TCN,AS4C16M16SA-7BCN

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Alliance Memory AS4C16M16SA-7TCN/6TCN/7BCN IBIS模型源程序文件

2016年09月08日  - 开发代码 本资料为Alliance Memory, Inc.提供的16Mx16 SDRAM元器件的IBIS文件,版本为3.2。文件包含元器件的详细电气特性,包括引脚信号、模型参数、电压范围、温度范围等。资料旨在为建模和仿真提供数据支持,但不保证数据的准确性。

ALLIANCE  -  存储器,AS4C16M16SA-6TIN,AS4C16M16SA-6BIN,AS4C16M16SA-6TAN,AS4C16M16SA-6TCN,AS4C16M16SA-6BAN,AS4C16M16SA,AS4C16M16SA-7TCN,AS4C16M16SA-7BCN,工业电子,汽车电子,通信设备

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【产品】ALLIANCE AS4C8M16SA系列 SDRAM

产品特性:1.快速访问时间:5纳秒 2.高时钟频率:166兆赫兹 3.符合AEC-Q100标准 4.全同步操作 5.内部流水线架构 6.2M字x 16位x 4银行结构 7.可编程模式寄存器 8.CAS延迟:2或3周期 9.布尔长度:1、2、4、8或全页 10.布尔类型:顺序或交错 11.布尔停止功能 12.自动刷新和自刷新 13.4096次刷新周期/32毫秒 14.汽车温度范围:-40至105摄氏度 15.单+3.3伏±0.3伏电源供电 16.接口:LVTTL 17.封装类型:54球FBGA或54针TSOPII 18.无铅和无卤素;

系列型号: AS4C8M16SA-6TIN; AS4C8M16SA-6TAN; AS4C8M16SA-6TCN; AS4C8M16SA-7TCN; AS4C8M16SA-6BIN; AS4C8M16SA-6BINTR; AS4C8M16SA-6TANTR; AS4C8M16SA-6TINTR; AS4C8M16SA-6BANTR; AS4C8M16SA-6BAN; AS4C8M16SA-6TCNTR; AS4C8M16SA-7BCN; AS4C8M16SA-7BCNTR; AS4C8M16SA-7TCNTR

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AS4C16M16SA汽车

Mar./2015  - 数据手册 该资料为AS4C16M16SA汽车级同步动态随机存取存储器(SDRAM)的技术规格书。介绍了其高速访问时间、全同步操作、AEC-Q100合规性、内部流水线架构等特点,适用于高带宽内存需求的应用。

ALLIANCE  -  256M–(16M X 16位)同步DRAM(SDRAM),256M – (16M X 16 BIT) SYNCHRONOUS DRAM (SDRAM),AS4C16M16SA-6TAN,AS4C16M16SA-6BAN,AS4C16M16SA,WELL SUITED FOR APPLICATIONS REQUIRING HIGH MEMORY BANDWIDTH AND PARTICULARLY WELL SUITED TO HIGH PERFORMANCE PC APPLICATIONS,非常适合需要高内存带宽的应用,尤其适合高性能PC应用

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Alliance Memory AS4C16M16SA-6TIN/6BIN可靠性报告

2014年04月18日  - 测试报告 本报告为Alliance Memory公司生产的16M×16位高速CMOS单数据速率同步动态随机存取存储器(SDR SDRAM)AS4C16M16SA-6TIN/6BIN的可靠性测试报告。报告详细介绍了产品信息、可靠性测试方法、环境测试、ESD测试和闩锁测试等内容,并对测试结果进行了分析和总结。测试结果表明,该产品在高温、湿度、电应力等恶劣环境下均表现出良好的可靠性,符合相关标准要求。

ALLIANCE  -  16M*16 BITS HIGH-SPEED CMOS SINGLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY,SDR SDRAM,16M*16位高速CMOS单数据速率同步动态随机存取存储器,存储器,AS4C16M16SA-6TIN,AS4C16M16SA-6BIN,AS4C16M16SA-6TAN,AS4C16M16SA-6BAN,AS4C16M16SA-6TCN,AS4C16M16SA,AS4C16M16SA-7TCN,AS4C16M16SA-7BCN,工业电子,HIGH PERFORMANCE PC APPLICATIONS,高性能PC应用,汽车电子,通信设备

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Alliance Memory SDRAM(x16)PCN通知(PCN-28022015v2)

2016年09月07日  - 产品变更通知及停产信息 Alliance Memory Inc.发布产品变更通知,宣布其72nm技术产品线即将停产。新产品采用63nm技术,提供更好的成本和性能。具体变更包括产品编号、数据表更新、可追溯性指南等。最后购买日期为2015年9月1日,最后发货日期为2016年3月1日。

ALLIANCE  -  存储器,AS4C4M16S-6TIN,AS4C8M16S-6TAN,AS4C16M16S-6TAN,AS4C16M16S-6BIN,AS4C8M16S-6BIN,AS4C8M16S-7BCN,AS4C16M16S,AS4C8M16S,AS4C4M16S,AS4C16M16S-7BCN,AS4C4M16S-6BIN,AS4C8M16S-6TIN,AS4C16M16S-7TCN,AS4C16M16S-6TIN,AS4C8M16S-6TCN,AS4C16M16S-6TCN,AS4C4M16S-7TCN,AS4C4M16S-6TCN,AS4C8M16S-7TCN,工业电子,汽车电子,通信设备

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Alliance Memory AS4C16M16SA-6TIN/AS4C16M16SA-6BIN IBIS模型源程序文件

2016年09月08日  - 开发代码 本资料为Alliance Memory, Inc.生产的16Mx16 SDRAM元器件的IBIS文件,版本为3.2。文件包含元器件的详细信息,包括封装尺寸、引脚定义、电气特性等。资料提供了元器件的电压范围、温度范围、功耗等关键参数,并详细描述了各个引脚的电气特性,如电容、电阻等。此外,还包含了元器件的上升和下降波形图,用于模拟和分析元器件的电气行为。

ALLIANCE  -  存储器,AS4C16M16SA-6TIN,AS4C16M16SA-6BIN,AS4C16M16SA-6TAN,AS4C16M16SA-6BAN,AS4C16M16SA-6TCN,AS4C16M16SA,AS4C16M16SA-7TCN,AS4C16M16SA-7BCN,工业电子,汽车电子,通信设备

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【产品】ALLIANCE AS4C16M16S系列 SDRAM

产品特性:1.快速访问时间:5/5.4纳秒 2.高时钟速率:166/143兆赫兹 3.内部流水线架构 4.4M字x 16位x 4银行结构 5.可编程模式寄存器 6.自动刷新和自刷新功能 7.单一+3.3V ±0.3V电源供电 8.工作温度: 9.商用:0 ~ 70°C 10.工业:-40 ~ 85°C 11.接口:LVTTL 12.封装类型: 13.54针400毫米塑料TSOP II封装 14.54球8.0 x 8.0 x 1.2毫米FBGA封装(无铅和无卤素);

系列型号: AS4C16M16S-6TCN; AS4C16M16S-6BIN; AS4C16M16S-6TIN; AS4C16M16S-7TCN; AS4C16M16S-7BCN; AS4C16M16S-6BINTR

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ALLIANCE MEMORY 产品目录 2026

2026  - 选型指南

ALLIANCE  -  EMMC,NAND闪存,NAND FLASH,DRAM,PSRAM,SDRAM,NOR FLASH,FLASH,SRAM,FLASH,NOR闪存,AS4C4M32S,AS4C64M8D2,AS4C128M16D2,AS4C64M8D3,AS4C32M16D1,AS4C64M16D1A,AS4C64M8D1,AS4C512M8D4,AS4C128M8D3LB,AS4C256M8D3LC,AS4C256M16D3LD,AS4C16M32SC,AS4C64M16D3LB,AS4C64M16D3LC,AS4C256M16D4A,AS4C16M32SB,AS4C64M16D1,AS4C32M16SC,AS4C32M16D2A,AS4C32M16D2C,AS4C32M16SB,AS4C8M16D1A,AS4C128M16D3LC,AS4C4M32D1A,AS4C128M8D2A,AS4C64M8SC,AS4C2M32D1A,AS4C1M16S,AS4C64M8SD,AS4C1G8D3LA,AS4C2M32S,AS4C64M16D2B,AS4C4M16SA,AS4C64M16D2A,AS4C64M8D3L,AS4C4M16SB,AS4C64M4SA,AS4C2M32SA,AS4C32M16D3L,AS4C128M16D3C,AS4C8M32SA,AS4C128M8D3B,AS4C512M8D4A,AS4C256M16D4,AS4C32M8SA,AS4C512M8D3LC,AS4C64M16D3B,AS4C8M32S,AS4C16M16D1A,AS4C16M16SB,AS4C16M16SA,AS4C128M16D2A,AS4C64M16D3W,AS4C8M16D1,AS4C64M16D3LW,AS4C4M32SA,AS4C256M16D3C,AS4C16M16D1,AS4C512M16D3LB,AS4C512M16D3LC,AS4C32M16D1A,AS4C16M16D2,AS4C32M16D3,AS4C512M16D3LA,AS4C8M16SB,AS4C8M16SA,AS4C4M16D1A

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ALLIANCE 存储器选型表

选型表  -  ALLIANCE 提供存储器、存储芯片、SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3、DDR4选型,VCC(V):0.6-5,MSL LEVEL:0-5,CLOCK(MHz):133-1866,可支持商业级/工业级/汽车级。

产品型号
品类
DENSITY
MSL LEVEL
VCC(V)
PACKAGE
TEMPERATURE RANGE(°C)
ORGANISATION
Product Family
CLOCK(MHz)
AS4C16M16SA-7BCN
存储器
256M-A die
3
3.3V
54ball FBGA
Commercial (0 ~ 70°C)
16M x 16
SDRAM-MT48
143Mhz
立即选型
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2026年产品目录 全球传统存储器领域的领导者

Not specified  - 选型指南 本资料为Alliance Memory的产品目录,涵盖了2026年推出的DRAM、SRAM、FLASH和eMMC等 Legacy Memory产品。目录详细介绍了各种产品的规格、性能参数、封装类型和温度选项,并提供了与竞争对手产品的交叉参考信息。资料强调了Alliance Memory作为领先Legacy Memory供应商的高质量产品、最小晶圆缩减和长期支持。

ALLIANCE  -  EMMC,DRAM,FLASH,SRAM,FLASH,AS4C2M32SA-6/7 TXN,AS4C16M16SB-6/7 TXN/BXN,AS4C16M16SA/B-6/7 TXN/BXN,AS4C4M16SB-6TIN,AS4C16M16SA-6/7 TXN/BXN,ETC.,AS4C2M32S-6/7 BXN,AS4C8M16SA-6/7 TXN/BXN,AS4C1M16S-6/7 TXN,AS4C4M16SA-5/6/7 TXN,AS4C8M16SB-6TIN,各种电子设备和系统,VARIOUS ELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS

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