威兆半导体(Vergiga Semiconductor)功率MOSFET/IGBT/SiC MOSFET选型表
●深圳市威兆半导体半导体有限公司(Vergiga Semiconductor Co.,LTD.)成立于2012年,总部位于深圳市南山志远,毗邻中国科学院深圳研究院、南方科技大学等研究机构,在北京、上海、台湾、珠海、成都、水原、韩国等地设有研发中心和办事处。它是国家级专业化的特种新“小巨人”企业
●VGSEMI自成立以来,一直专注于功率器件的研发和应用技术研究,经过多年的科研,已成为少数具有低压、中压、高压全系列功率MOSFET和IGBT分立器件和模块,以及特殊半导体工艺设计能力的先进半导体设计公司。其产品广泛应用于PC/服务器、消费电子、通信电源、工业控制、汽车电子和新能源行业等领域
选型目录
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型号 | 描述 | 供应商/品质保证 | 单价(含增值税) |
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N-Channel Advanced Power MOSFET VS4618AS-AP系列 45V/14A N-Channel Advanced Power MOSFET SOP8 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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Dual N-Channel Advanced Power MOSFET VS3640DP3系列 30V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET PDFN5x6 Dual 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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N-Channel Advanced Power MOSFET VS3606ATD系列 30V/140A N-Channel Advanced Power MOSFET TO-263 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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MOSFET VS3698AD-A系列 30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET TO-252 最小包装量:2,500 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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N-Channel Advanced Power MOSFET VS4618AS-A系列 45V/14A N-Channel Advanced Power MOSFET SOP8 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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Dual N-Channel Advanced Power MOSFET VS6614DS-K系列 65V/8A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET SOP8 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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Dual N-Channel Advanced Power MOSFET VS3622DP3系列 30V/40A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET PDFN5x6 Dual 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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Dual N-Channel Advanced Power MOSFET VS3622DP2系列 30V/42A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET PDFN5x6 Dual Opt2 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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N-Channel Advanced Power MOSFET VS3622AA4系列 30V/9.2A N-Channel Advanced Power MOSFET DFN2x2x0.5-6L 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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N-Channel Advanced Power MOSFET VS3622AA2系列 30V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET DFN2x2x0.45-6L 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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- 国内领先功率器件领导者——威兆半导体(Vergiga Semiconductor)
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