Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BCN DDR3数据手册

知识图谱
2016-09-19 ALLIANCE 数据手册 英文

2Gb双数据速率3 DRAM是双数据速率架构,以实现高速运行。它在内部配置为8 bank的DRAM。
2Gb芯片被组织成16Mbitx16I/OSx8Bank设备。对于一般应用,这些同步设备可实现高达1866mb/sec/pin的高速双数据传输速率。
该芯片设计符合DDR3 DRAM的所有关键特性,所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入锁定在差分时钟的交叉点(CK上升和CK下降)。所有I/O都以源同步方式与差分DQ对同步。
这些设备使用单个1.5V±0.075V电源工作,并可在BGA封装中使用。

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系列型号: AS4C128M16D3A-12BCN; AS4C128M16D3A-12BIN

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2016年05月01日  - 测试报告 本报告为AS4C128M16D3A-12BCN DDRIII SDRAM的可靠性测试报告。报告内容包括产品信息、可靠性测试总结、寿命测试、环境测试、ESD测试和闩锁测试。测试结果表明,该产品在高温、湿度、电压等极端条件下均表现出良好的可靠性,符合可靠性标准。

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系列型号: AS4C128M16D3-12BAN; AS4C128M16D3-12BCN; AS4C128M16D3-12BIN; AS4C128M16D3-25BIN

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2016年05月01日  - 数据手册 该资料为AS4C128M16D3A-12BAN型DDR3同步动态随机存取存储器(SDRAM)的技术规格书。文档详细介绍了该产品的特性、功能描述、操作模式、寄存器定义和命令说明等内容。

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ALLIANCE  -  存储器,AS4C128M16D3A-12BIN,AS4C128M16D3A-12BCN,AS4C128M16D3A-12BAN,AS4C128M16D3A,工业电子,汽车电子,通信设备

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Alliance Memory 2G DDR3产品变更通知(PCN252018102)

2018年1月25日  - 产品变更通知及停产信息 本资料主要讲述的内容是关于2G DDR3产品变更通知。(PCN252018102)

ALLIANCE  -  DDR,DDR3,AS4C128M16D3LA-12BAN,AS4C256M8D3LA-12BANTR,AS4C128M16D3A-12BCN,AS4C256M8D3LB-12BCN,AS4C128M16D3A-12BAN,AS4C256M8D3A-12BINTR,AS4C128M16D3LB-12BIN,AS4C128M16D3LB-12BINTR,AS4C128M16D3A-12BIN,AS4C128M16D3LA-12BINTR,AS4C128M16D3B-12BCN,AS4C256M8D3LA-12BIN,AS4C128M16D3LB-12BCNTR,AS4C128M16D3LA-12BANTR,AS4C128M16D3LA-12BCNTR,AS4C256M8D3LA-12BAN,AS4C256M8D3LA-12BCN,AS4C128M16D3A-12BANTR,AS4C128M16D3A-12BCNTR,AS4C256M8D3A-12BANTR,AS4C128M16D3LB-12BCN,AS4C256M8D3A-12BCNTR,AS4C256M8D3A-12BIN,AS4C128M16D3B-12BCNTR,AS4C256M8D3LA-12BINTR,AS4C256M8D3LB-12BIN,AS4C256M8D3LB-12BCNTR,AS4C128M16D3A-12BINTR,AS4C256M8D3A-12BAN,AS4C256M8D3LA-12BCNTR,AS4C256M8D3LB-12BINTR,AS4C256M8D3A-12BCN,AS4C128M16D3LA-12BCN,AS4C128M16D3LA-12BIN

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产品特性:1.双倍数据率架构,每时钟周期进行两次数据传输。 2.组织结构:16M words x 16 bits x 8 banks。 3.双向差分数据使能(DQS和DQS)与数据同步发送/接收。 4.电源电压:VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 5.数据速率:1600Mbps。 6.DLL自动调整DQ和DQS转换与CK转换的对齐。 7.页大小:1KB或2KB。 8.命令在正CK沿输入;数据和掩码参考DQS的两边边缘。 9.八个内部银行以并发方式运行。 10.内部端接(ODT)以提高信号质量。 11.支持突发长度(BL):8和4,带突发分割(BC)。 12.多用途寄存器(MPR)用于预定义模式的读取。 13.CAS延迟(CL):5, 6, 7, 8, 9, 10, 11。 14.ZQ校准用于DQ驱动和ODT。 15.CAS写入延迟(CWL):5, 6, 7, 8。 16.复位引脚用于上电序列和复位功能。 17.预充电选项:每个突发访问的自动预充电。 18.SRT范围:正常/扩展。 19.驱动强度:RZQ/7, RZQ/6(RZQ = 240 Ω)。 20.可编程输出驱动阻抗控制。 21.刷新:自动刷新、自刷新。 22.平均刷新周期: 23.0°C ≤ Tc ≤ +85°C 时为 7.8 μs 24.+85°C < Tc ≤ +95°C 时为 3.9 μs 25.工作温度范围:商业级 Tc = 0°C至+95°C。;

系列型号: AS4C128M16D3B-12BCN; AS4C128M16D3B-12BCNTR

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Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BIN DDR3数据手册

2016年05月01日  - 数据手册 该资料为AS4C128M16D3A-12BIN型号的DDR3同步动态随机存取存储器(SDRAM)的数据手册。文档详细介绍了该产品的技术规格、功能特性、操作模式、寄存器定义和初始化流程。

ALLIANCE  -  存储器,128M X 16位DDR3同步DRAM(SDRAM),128M X 16 BIT DDR3 SYNCHRONOUS DRAM (SDRAM),AS4C128M16D3A-12BIN,AS4C128M16D3A,工业电子,汽车电子,通信设备

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ALLIANCE MEMORY 产品目录 2026

2026  - 选型指南

ALLIANCE  -  EMMC,NAND闪存,NAND FLASH,DRAM,PSRAM,SDRAM,NOR FLASH,FLASH,SRAM,FLASH,NOR闪存,AS4C4M32S,AS4C64M8D2,AS4C128M16D2,AS4C64M8D3,AS4C32M16D1,AS4C64M16D1A,AS4C64M8D1,AS4C512M8D4,AS4C128M8D3LB,AS4C256M8D3LC,AS4C256M16D3LD,AS4C16M32SC,AS4C64M16D3LB,AS4C64M16D3LC,AS4C256M16D4A,AS4C16M32SB,AS4C64M16D1,AS4C32M16SC,AS4C32M16D2A,AS4C32M16D2C,AS4C32M16SB,AS4C8M16D1A,AS4C128M16D3LC,AS4C4M32D1A,AS4C128M8D2A,AS4C64M8SC,AS4C2M32D1A,AS4C1M16S,AS4C64M8SD,AS4C1G8D3LA,AS4C2M32S,AS4C64M16D2B,AS4C4M16SA,AS4C64M16D2A,AS4C64M8D3L,AS4C4M16SB,AS4C64M4SA,AS4C2M32SA,AS4C32M16D3L,AS4C128M16D3C,AS4C8M32SA,AS4C128M8D3B,AS4C512M8D4A,AS4C256M16D4,AS4C32M8SA,AS4C512M8D3LC,AS4C64M16D3B,AS4C8M32S,AS4C16M16D1A,AS4C16M16SB,AS4C16M16SA,AS4C128M16D2A,AS4C64M16D3W,AS4C8M16D1,AS4C64M16D3LW,AS4C4M32SA,AS4C256M16D3C,AS4C16M16D1,AS4C512M16D3LB,AS4C512M16D3LC,AS4C32M16D1A,AS4C16M16D2,AS4C32M16D3,AS4C512M16D3LA,AS4C8M16SB,AS4C8M16SA,AS4C4M16D1A

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ALLIANCE 存储器选型表

选型表  -  ALLIANCE 提供存储器、存储芯片、SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3、DDR4选型,VCC(V):0.6-5,MSL LEVEL:0-5,CLOCK(MHz):133-1866,可支持商业级/工业级/汽车级。

产品型号
品类
DENSITY
VCC(V)
TEMPERATURE RANGE(°C)
ORGANISATION
CLOCK(MHz)
AS4C128M16D3A-12BCN
存储器
2G
1.5V
Commercial (Extended) (0 ~ 95°C)
128M x 16
800MHz
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【方案】车载DVR优选元器件方案

优选器件方案 本方案介绍了瑞萨RL78\F13系列集成1路CAN。器件通过AEC-Q100车规级认证的MCU,使得系统运行更安全可靠。

RICOH,RENESAS,ROHM,LITTELFUSE,KYOCERA,TE CONNECTIVITY,ALLIANCE,中科微  -  FUSE,重力传感器,TVS阵列,SKYOCERAOC,单片机,保险丝,DC-DC,TVS,G-SENSOR,定位模块,晶振,LDO,天眼,温度传感器,MCU,DDR3,TP1.5KE,RCAR-E2,CX3225GA,TPSMA6L,SM24-02HTG/SPHV_C,SLD,AS4C256M8D3A\LA,ATGM336H-5N31,AS4C128M16D3A\LA,TPSMF4L,TP6KE,SLD8S,KX123-6000,SM24CANB-02HTG,TP5KP,TPSMC,TPSMB,TPSMD,R5F10BBGKNA,0287010.PXC,R1245X,TSYS02D,RL78/F13,R1524H033B,SM24CANA-02HTG,车载DVR,DVR,数字录像机

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企业数据存储定制

聚焦企业数据存储定制需求,支持定制分布式存储、集中式存储存储架构、TB至PB级存储容量及读写速度、并发处理能力等性能指标优化,助力企业数据高效管理。

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带连接器分流器/分流铜排定制

可定制分流器电阻范围20uΩ~100uΩ,可自由设计铜排形状尺寸,电镀:镀锡/镀镍。支持RoHS指令 、AEC-Q200。认证资格:IATF16949;ISO9001;检测精度:0.1%。

最小起订量:100个 提交需求>

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品牌:MICRON

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价格:¥2,000.0000

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品牌:复旦微电子

品类:带电可擦可编程只读存储器

价格:¥0.8600

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品牌:复旦微电子

品类:带电可擦可编程只读存储器

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