H9G3336M12Q 14W, 3.3-3.6 GHz Doherty Amplifier

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发布时间： 2024-05-17 品牌：华太资料类型：数据手册语言：英文

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●描述
■H9G3336M12Q是一款LDMOS集成的不对称多尔蒂3级功率放大器，专为蜂窝基站应用而设计，平均输出功率为1.58 W，频率范围为3.3至3.6 GHz。

●特征
■工作频率范围：3.3至3.6 GHz
■工作漏极电压：+28 V
■饱和输出功率：14W
■集成输入分配器
■高效
■频率范围内的高增益
■小型封装，6mm x 6mm QFN

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H9G3438M15P 15W，3.4-3.8 GHz 多尔蒂放大器

2025/03/04 - 数据手册该资料详细介绍了H9G3438M15P 15W, 3.4-3.8 GHz Doherty放大器的产品特性、应用领域和电气规格。该放大器是一款基于3级拓扑结构的LDMOS MMIC非对称Doherty放大器，输出功率达15W，工作频率范围为3.4-3.8 GHz，具有50Ω输入/输出匹配和紧凑的7x7 mm封装，适用于3GPP 5G NR和4G-LTE等应用。

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H9G4850M12Q 12W，4.8-5.0 GHz Doherty放大器

07/2023 - 数据手册该资料为H9G4850M12Q 12W, 4.8-5.0 GHz Doherty功率放大器（PA）的产品数据表。介绍了该产品的特性、典型性能、绝对最大额定值、电气规格、射频特性、热信息、参考设计、引脚配置与描述、封装标记与尺寸、包装信息和处理注意事项。

华太 - LDMOS集成不对称DOHERTY三级功率放大器,LDMOS INTEGRATED ASYMMETRICAL DOHERTY 3-STAGE POWER AMPLIFIER,多尔蒂放大器,DOHERTY AMPLIFIER,H9G4850M12Q,H9G4850M12QEVB,达斯,CELLULAR BASE STATION,MICRO BASE STATIONS,ACTIVE ANTENNA ARRAY,REPEATERS,5G MMIMO,5G MMIMO,宏基站,有源天线阵,蜂窝基站,SMALL CELLS,小细胞,DAS,中继器,MACRO BASE STATIONS,微基站

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H9G0810M06P 5W，859-960 MHz Doherty放大器

05/2024 - 数据手册

华太 - 多尔蒂放大器,DOHERTY AMPLIFIER,H9G0810M06P,小型基站功率放大器,3GPP 5G NR FR1 N5/8/18/26 AND 4G-LTE BAND B5/8/18/26,DRIVER AMPLIFIER FOR MICRO AND MACRO BASE STATIONS,REPEATERS/DAS,中继器/分布式天线系统,POWER AMPLIFIER FOR SMALL CELLS,5G大规模多输入多输出（MMIMO）的有源天线阵列,3GPP 5G NR FR1 N5/8/18/26 和 4G-LTE 频段 B5/8/18/26,用于微基站和宏基站的驱动放大器,ACTIVE ANTENNA ARRAY FOR 5G MMIMO

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H9G3540M14P 14W，3.5-4.0 GHz Doherty放大器

08/2025 - 数据手册

华太 - 多尔蒂放大器,DOHERTY AMPLIFIER,H9G3540M14P,小型基站功率放大器,3GPP 5G NR FR1 N77/78,4G-LTE BAND B42/43,DRIVER AMPLIFIER FOR MICRO AND MACRO BASE STATIONS,ACTIVE ANTENNA ARRAY FOR 5G MMIMO,4G-LTE频段B42/43,5G大规模多输入多输出（MMIMO）的有源天线阵列,用于微基站和宏基站的驱动放大器,POWER AMPLIFIER FOR SMALL CELLS

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H9G2527M10Q 10W，2.5-2.7 GHz Doherty放大器

07/2023 - 数据手册该资料为WATECH公司生产的H9G2527M10Q型号10W、2.5-2.7 GHz Doherty功率放大器产品数据手册。该放大器适用于蜂窝基站应用，具有1.26瓦的平均输出功率，覆盖2.5至2.7 GHz频率范围。

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H9G2324M10Q 10W，2.3-2.4 GHz Doherty放大器

07/2023 - 数据手册该资料为WATECH公司生产的H9G2324M10Q型号的10W、2.3-2.4 GHz Doherty功率放大器产品数据手册。介绍了该产品的技术规格、性能参数、应用领域和包装信息。

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H9G2122M10Q 10W，2.11-2.2 GHz Doherty放大器

07/2023 - 数据手册该资料为H9G2122M10Q 10W, 2.11-2.2 GHz Doherty放大器产品数据手册。介绍了该放大器的技术规格、性能参数、应用领域和包装信息。

华太 - LDMOS集成不对称DOHERTY两级功率放大器,LDMOS INTEGRATED ASYMMETRICAL DOHERTY 2-STAGE POWER AMPLIFIER,多尔蒂放大器,DOHERTY AMPLIFIER,H9G2122M10Q,H9G2122M10QEVB,达斯,MICRO BASE STATIONS,CELLULAR BASE STATION,ACTIVE ANTENNA ARRAY,REPEATERS,5G MMIMO,5G MMIMO,宏基站,有源天线阵,蜂窝基站,SMALL CELLS,小细胞,DAS,中继器,MACRO BASE STATIONS,微基站

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H9H0608M40P 40W Doherty放大器产品数据手册

2025-09 - 数据手册

华太 - 功放,POWER AMPLIFIER,多尔蒂放大器,DOHERTY AMPLIFIER,H9H0608M40P EVB,H9H0608M40P,CELLULAR BASE STATION,DRIVER AMPLIFIER FOR MACRO BASE STATIONS,REPEATERS/DAS,中继器/分布式天线系统,蜂窝基站,宏基站用驱动放大器,多载波和多标准GSM、W-CDMA及LTE基站,3GPP 5G NR FR1 N12/N14/N17/N71,MULTI-CARRIER AND MULTI-STANDARD GSM, W-CDMA AND LTE BASE STATIONS

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H9G1819M10Q 10W，1.805-1.88 GHz Doherty放大器

07/2023 - 数据手册该资料为WATECH公司生产的H9G1819M10Q型号10W、1.805-1.88 GHz Doherty功率放大器（PA）的产品数据手册。该产品适用于蜂窝基站应用，具有高效率、高增益等特点，并提供了详细的电气规格、典型性能、封装尺寸和应用信息。

华太 - LDMOS集成不对称DOHERTY两级功率放大器,LDMOS INTEGRATED ASYMMETRICAL DOHERTY 2-STAGE POWER AMPLIFIER,多尔蒂放大器,DOHERTY AMPLIFIER,H9G1819M10Q,H9G1819M10QEVB,达斯,MICRO BASE STATIONS,CELLULAR BASE STATION,ACTIVE ANTENNA ARRAY,REPEATERS,5G MMIMO,5G MMIMO,宏基站,有源天线阵,蜂窝基站,SMALL CELLS,小细胞,DAS,中继器,MACRO BASE STATIONS,微基站

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H9G0708M06P 5W，758-821 MHz Doherty放大器

10/2024 - 数据手册

华太 - 功放,POWER AMPLIFIER,H9G0708M06P,CELLULAR BASE STATION,MICRO AND MACRO BASE STATIONS,微基站和宏基站,REPEATERS/DAS,中继器/分布式天线系统,5G MMIMO,5G MMIMO,蜂窝基站,SMALL CELLS,小细胞

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H9H0710M50P 50W、0.73-0.96 GHz Doherty放大器产品数据手册

2025-08 - 数据手册

华太 - LDMOS集成不对称DOHERTY两级功率放大器,LDMOS INTEGRATED ASYMMETRICAL DOHERTY 2-STAGE POWER AMPLIFIER,H9H0710M50P,H9H0710M50P EVB,DRIVER AMPLIFIER FOR MACRO BASE STATIONS,REPEATERS/DAS,中继器/分布式天线系统,3GPP 5G NR FR1,宏基站用驱动放大器,多载波和多标准GSM、W-CDMA及LTE基站,MULTI-CARRIER AND MULTI-STANDARD GSM, W-CDMA AND LTE BASE STATIONS

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H9G4750M12P 12W，4.7-5.0 GHz LDMOS微波单片集成电路放大器

03/2023 - 数据手册 H9G4750M12P是一款由Watech Electronics生产的12W，工作频率范围为4.7至5.0 GHz的LDMOS MMIC放大器。该放大器采用不对称Doherty架构，具有高饱和输出功率、高效率和低功耗等特点，适用于3GPP 5G NR FR1 n79、小基站、微/宏基站驱动放大器、5G mMIMO有源天线阵列等领域。

华太 - LDMOS集成不对称DOHERTY三级功率放大器,LDMOS INTEGRATED ASYMMETRICAL DOHERTY 3-STAGE POWER AMPLIFIER,LDMOS微波单片集成放大器,LDMOS MMIC AMPLIFIER,H9G4750M12P,H9G4750M12PEVB,达斯,MICRO BASE STATIONS,ACTIVE ANTENNA ARRAY,REPEATERS,5G MMIMO,5G MMIMO,宏基站,有源天线阵,SMALL CELLS,小细胞,DAS,中继器,MOBILE INFRASTRUCTURE,MACRO BASE STATIONS,移动基础设施,微基站

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SHINDENGEN功率模块选型表

选型表 - SHINDENGEN SHINDENGEN功率模块选型：VCES(V)：650~1250，IC(A)：50~400，VCE(sat.)(typ.)(V)：1.45~1.85，toff (typ.)(µs)：0.358~1.09，Diode trr (typ.)(µs)：0.13~0.25。

产品型号	品类	Series	VCES(V)	IC(A)	VCE(sat.)(typ.)(V)	ton(typ.)(µs)	toff (typ.)(µs)	IGBT Rthj-c (Max.)(℃/W)	使用温度范围(Max.)	UL
K38IH100P065TAA	功率模块	PHMB	650	100	1.5	0.085	0.48	0.39	150	UL

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UMS CHA8254-99F Three-Stage GaN Doherty Power Amplifier In The Frequency Band 17.3‑20.3GHz

2026-04-07 - 产品 The CHA8254-99F is a three-stage GaN Doherty Power Amplifier in the frequency band 17.3‑20.3GHz. This DPA typically provides 10W of output power associated to 31% of Power Added Efficiency. Thanks to Doherty architecture, it also provides 27% Power Added Efficiency at 6dB of input back-off. The small signal gain reaches more than 29dB. The overall power supply is 15V/210mA (quiescent current). Due to a low drain voltage biasing, the CHA8254-99F provides a junction temperature below 160°C even in saturation.

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2300-2700 MHz高级Doherty对准模块：MMDS25254H

Apr 8, 2022 - 应用及方案 MMDS25254H是一款先进的Doherty对准模块（ADAM），专为优化现代Doherty放大器的性能而设计。该模块能够对Doherty放大器的载波和峰值路径中的射频性能进行对准和优化，从而提升整体基站性能。与Airfast®功率晶体管结合使用时，该技术可提高制造良率和功率附加效率。适用于700 MHz至2700 MHz的频段，具有提高生产良率、优化Doherty带宽、提升系统效率等优势。

NXP - 亚当,ADAM,ADVANCED DOHERTY ALIGNMENT MODULE,高级DOHERTY对准模块,MMDS25254H,DOHERTY AMPLIFIERS,多尔蒂放大器