【选型】EPC(宜普)硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南

2018-07-02

EPC(宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商。

  ● 为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管。

  ● 其目标应用包括直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达(LiDAR)及D类音频放大器等,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。

  ● EPC正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。


      本资料主要涉及产品及优势:

单路eGaN FET:电压等级15V~350V,LGA/BGA封装,业界尺寸最小0.9x.0.9mm,AEC-Q101认证。

半桥eGaN FET:超低的导通电阻(RDS(ON)),低功耗高效率。

同步启动的双路eGaN FET:高可靠性,800万器件小时应力测试无失效。

GaN FET与驱动器集成IC:单、双路GaN FET集成,低电感,频率高达7MHz,更高功率密度。


      本资料所涉及产品主要应用于:

无线充电、DC/DC转换器、激光雷达(LiDAR)、电源设备、包络跟踪、射频传送、电机控制、工业控制、马达驱动、功率逆变器、军工、D类音频放大器、汽车电子、电动汽车、充电桩、医疗应用技术等。

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