B3M042140Z SiC MOSFET

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发布时间： 2025-05-14 品牌：基本半导体资料类型：数据手册语言：英文

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该文档详细介绍了B3M042140Z型号的碳化硅MOSFET。该器件具有1400V的阻断电压和63A的连续漏极电流，典型导通电阻为42mΩ。它采用TO-247-4封装，具有低导通电阻、低电容、雪崩 ruggedness 和无卤素、符合RoHS标准等特点。适用于开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等应用。

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碳化硅功率器件·门极驱动芯片产品选型指南

2026-04-10 - 选型指南

基本半导体 - 工业级全碳化硅功率模块,混合碳化硅分立器件,汽车级全碳化硅功率模块,碳化硅MOSFET,碳化硅二极管,门极驱动芯片,驱动电源芯片,B3D80120W,B3M040120H,B2M080120Z,B3D40120HC,B3M040075Z,B2M080120R,B3M040120Z,B2M080120H,B3D03120E,B3D40120H2,B3D10065KF,B3M020120ZL,B3D30140H,B3D08065KS,B3M010C075H,B3D60006HC,B3M020120R,B2M600170HH,B3M008C075Z,B3M020120Z,B3M010C075Z,B2D02120K1,B3D10120HC,B3M020120ZN,AB2M040120Z,B4D40120H,B2M015120N,B3M025065Z,AB2M040120R,B3D40065HC,B3M010140Y,B3D20120HC,B3D25120H,B3D15120H,B3D10065KS,B2M040120T,B3M011C120Z,B3M011C120Y,B3D30065H,B3D40200H,B3D30065B,B3D30120HC,B3M040120ZL,B3D20065TF,B3M040120ZN,B3D120040HC,B3M011C120H,B3D04065KF,B3M042140Z,B3D40120H,B2M160120Z,B3DM100120N,B3D04065KS,B3D10120F,B2M160120R,B3D10120E,B3M025075Z,B3D10120H,B3D08065K,B2M600170H,B3D08065E,B3D06065E,B3D10120K,B3D50065H,B3D60065H2,B3D06065K,B3DM080120N,B3D20120H,B3D20120F,B2M160120H,B3M025065B,B3D30120H,B3M013C120H,B3DM060120N,B2M030120R,B3D04065E,B3M020140H,B2M011120HK,B2M030120Z,B3D80120HC,B3D60140H2,B3M025065R,B3M035120H,AB3M025065C,B3D50120H2,B3D04065K,B3D40065H,B3M025065H,B2M030120N,B2M030120H,B2M080120ZL,B3M013C120Z,B3D80120H2,B3D60140HC,B3M025065L,B3M040065L,B2D02120E1,AB3M025065CQ,B5D40120H,B3M040065H,B3D10065E,B3D10065F,BGH50N65HF1,B3D10065K,B3M040065B,B3D06065KS,B3D50120H,B3M040065Z,B3D20065K,AB3M040065C,B3D20065F,B3D06065KF,B3M040065R,B3D20065H,AB2M080120R,B3DM060065N,B3D20065HC,B3D05120K,B2M065120Z,B3D60120H2,B3D80065H2,AB2M080120H,B2M065120T,B3M006C120Y,B2M065120R,B2M065120H,B3M035120ZN,B3D40140H,B3M035120ZL,B3D60120HC,AB2M080120Z,B2M600170R,B3D80065HC,AB3M040120CQ,B3D05120E,B3D80140H2,B3M020140ZL,储能设备,光伏组串逆变器,光储一体机,充电桩,新能源汽车,新能源汽车电机控制器,医疗电源,车载电源,光伏发电,储能(ESS),家用电器,不间断电源,车载充电器(OBC),轨道交通,通信电源,UPS,光伏逆变器,PFC电源,PD快充

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B2M030120N 碳化硅MOSFET，内置碳化硅SBD封装：SOT-227

2025-11-18 - 数据手册该资料详细介绍了B2M030120N型碳化硅MOSFET的特性，包括其嵌入式碳化硅二极管、高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性等。资料还涵盖了产品的最大额定值、电气特性、热特性、封装特性、开关特性、嵌入式二极管特性以及典型性能曲线等。

基本半导体 - 碳化硅MOSFET,B2M030120N,开关电源,逆变器,感应加热,高压DC/DC转换器,焊接,电动汽车充电站,不间断电源,电机驱动器

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你好，国产的碳化硅MOSFET,现在有40毫欧的吗？我目前有个电驱项目想试试。

2021-02-02 - 技术问答可以评估基本半导体的B1M032120HC，详情：https://www.sekorm.com/doc/2133909.html

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B2M030120Z碳化硅MOSFET

2025-05-08 - 数据手册该资料详细介绍了B2M030120Z型号的SiC MOSFET产品，包括其特性、应用、电气参数、热特性、开关特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。产品具有低导通电阻、高阻断电压、低电容、雪崩 ruggedness 和无卤素、符合 RoHS 标准等特点。

基本半导体 - 碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,B2M030120Z,逆变器,开关电源(SMPS),电动汽车充电站,DC/DC转换器,电机驱动器

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B2M040120H碳化硅MOSFET

2023-07-27 - 数据手册本资料介绍了B2M040120H型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有低导通电阻和高阻断电压的特点，适用于高频操作，提高开关频率，增加功率密度并减少散热器需求。

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B2M160120Z碳化硅MOSFET

2024-03-20 - 数据手册本资料介绍了B2M160120Z型号的碳化硅(SiC) MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、开关特性、反向二极管特性和典型性能。该器件适用于高频操作，具有低导通电阻和高阻断电压等特点。

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B2M040120Z碳化硅MOSFET

2023-12-15 - 数据手册该资料介绍了B2M040120Z型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电气特性、热特性、开关特性、反向二极管特性和典型性能。它适用于各种高功率应用，如开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站。

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B2M030120H碳化硅MOSFET

2024-05-28 - 数据手册本资料介绍了B2M030120H型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有低导通电阻和高阻断电压的特点，适用于高频操作，提高开关频率，增加功率密度并减少散热器需求。

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B2M080120Z碳化硅MOSFET

2024-01-23 - 数据手册该资料详细介绍了B2M080120Z型号的SiC MOSFET产品，包括其特性、最大额定值、电气特性、热特性、开关特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。产品具有低导通电阻、高阻断电压、低电容、雪崩 ruggedness 等特点，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器、电动汽车充电站和DC/DC转换器等领域。

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B2M032120Y碳化硅MOSFET

2023-06-09 - 数据手册该资料详细介绍了B2M032120Y型号的SiC MOSFET产品，包括其特性、最大额定值、电气特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。产品具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和雪崩 ruggedness 等特点，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。

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B2M080120H碳化硅MOSFET

2024-02-22 - 数据手册该资料详细介绍了B2M080120H型号的SiC MOSFET产品，包括其特性、应用领域、电气特性、热特性、开关特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。产品具有低导通电阻、高阻断电压、低电容、雪崩 ruggedness 等特性，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器、电动汽车充电站和DC/DC转换器等领域。

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B2M600170H碳化硅MOSFET

2024-07-08 - 数据手册该资料详细介绍了B2M600170H型号的1700V SiC MOSFET的特性、应用领域和关键参数。资料涵盖了产品的最大额定值、电气特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。

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BMF60R12RB3 碳化硅MOSFET模块

2025-08-11 - 数据手册该资料介绍了BASiC Semiconductor公司生产的SiC MOSFET模块BMF60R12RB3，包括其电气特性、机械特性、潜在应用领域、封装类型、热特性等详细信息。

基本半导体 - SIC MOSFET MODULE,SIC MOSFET模块,BMF60R12RB3,感应加热,焊接机,DC-DC转换器

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基本半导体第三代碳化硅MOSFET顶部散热封装系列，解锁光储充与服务器电源能效新高度

2026-04-21 - 产品基本半导体推出基于第三代碳化硅MOSFET技术的QDPAK、TOLT、T2PAK-7顶部散热封装产品，覆盖650V及1200V电压段，具备低损耗、高效率及优异散热性能，适用于光储充、服务器电源及车载系统。

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基本半导体碳化硅肖特基二极管选型表

选型表 - 基本半导体基本半导体提供碳化硅肖特基二极管选型，涵盖650V与1200V电压等级。正向电流IF范围2A–100A，具备低正向压降(VF 1.3V–1.53V)、低反向恢复电荷(Qc 12nC–545nC)、高浪涌耐受(IFSM 20A–750A)及高功率处理能力(Ptot 45W–938W)。封装包括TO-220-2/3、TO-220F-2、TO-247-2/3、TO-252-2/3、TO-263-2/3、SOT-227、DFN 5*6等，适用于开关电源、PFC电路、光伏逆变器、工业电机驱动及新能源充电桩等高效率高频率应用场景。

产品型号	品类	Vʀʀᴍ（V）	Iғ(A)	Iғsᴍ(A)	Vғ(V)	Pᴛᴏᴛ(W)	Qᴄ(nC)	封装
B3D04065KS	碳化硅肖特基二极管	650V	4A	36A	1.37V	54W	12nC	TO-220-isolated