UL94 Flame Classifications of Mold Compound BD52E23G-TR

【产品】ROHM BD52E23G系列 Voltage Detector IC

系列型号： BD52E23G-TR

Voltage Detector IC Series Free Delay Time Setting CMOS Voltage Detector IC Series BD52Exxx series BD53Exxx series

22.May.2013  - 数据手册 Rohm推出的BD52Exxx和BD53Exxx系列电压检测IC具有高精度、低电流消耗的特点，可通过外部电容器控制延迟时间。该系列产品包括N通道开漏输出的BD52Exxx器件和CMOS输出的BD53Exxx器件，适用于特定检测电压范围。

ROHM  -  高精度低功耗电压检测芯片,HIGHLY ACCURATE, LOW CURRENT CONSUMPTION VOLTAGE DETECTOR ICS,BD52E56,BD53E24,BD52E55,BD53E23,BD52E54,BD52E53,BD52E52,BD52E51,BD52E42G,BD52E50,BD53E27G,BD53E29,BD53E28,BD52E59,BD53E27,BD52E58,BD53E26,BD52E57,BD53E25,BD53E42G,BD52E27G,BD52E45,BD53E57,BD52E44,BD53E56,BD52E43,BD53E55,BD52E42,BD53E54,BD52E41,BD53E53,BD52E40,BD53E52,BD53E51,BD52E23G-TR,BD53E50,BD52E49,BD52E48,BD52E47,BD53E59,BD52E46,BD53E58,BD53E23G,BD53E60,BD52E34,BD53E46,BD52E33,BD53E45,BD52E32,BD53E44,BD52E31,BD53E43,BD52E30,BD53E42,BD53E41,BD53E40,BDXXEXXX-TR,BD52E39,BD52E38,BD52E37,BD53E49,BD52E36,BD53E48,BD52E35,BD53E47,BD52E23,BD53E35,BD53E34,BD53E33,BD53E32,BD53E31,BD53E23G-TR,BD53EXXX,BD53E30,BD52E60,BD52E29,BD52E28,BD52E27,BD53E39,BD52E26,BD53E38,BD52E25,BD53E37,BD52E24,BD53E36,BD52EXXX,CIRCUITS USING MICROCONTROLLERS OR LOGIC CIRCUITS THAT REQUIRE A RESET,使用微控制器或需要重置的逻辑电路的电路

RoHS委员会授权指令（2015/863/EU）BD52E23G-TR

2.Nov.2015  - 测试报告 ROHM公司宣布，其列出的LSI产品BD52E23G-TR符合RoHS指令。该指令涵盖了包括镉、铅、汞等在内的多种有害物质。ROHM强调，在使用其产品时，用户应遵守相关安全规范，并确保产品符合环境法规要求。

ROHM  -  BD52E23G-TR

BD52E23G-M PSPICE模型

2014/04/07  - 设计模型

ROHM  -  BD52E23G-M

【产品】ROHM BD52E23G-M系列 Voltage Detector IC

系列型号： BD52E23G-MTR

Voltage Detector IC Series for Automotive Free Delay Time Setting CMOS Voltage Detector IC Series BD52Exxx-M series BD53Exxx-M series

27.Aug.2013  - 数据手册 Rohm公司推出的BD52Exxx和BD53Exxx系列电压检测IC具有高精度、低电流消耗的特点，可通过外部电容控制延迟时间。该系列产品包括N通道开漏输出的BD52Exxx器件和CMOS输出的BD53Exxx器件，适用于从2.3V到6.0V的特定检测电压。

ROHM  -  FREE DELAY TIME SETTING CMOS VOLTAGE DETECTOR IC SERIES,自由延迟时间设置CMOS电压检测器IC系列,BD52E56,BD53E24,BD52E55,BD53E23,BD52E54,BD52E53,BD52E52,BD52E51,BD52E50,BD53E29,BD53E28,BD52E59,BD53E27,BD52E58,BD53E26,BD52E57,BD53E25,BD53E42G-M,BD52E27G-M,BD52E45,BD53E57,BD52E44,BD53E56,BD52E43,BD53E55,BD52E42,BD53E54,BD52E41,BD53E53,BD52E40,BD53E52,BD53E51,BD53E50,BD52E49,BD53E27G-M,BD52E48,BD52E47,BD53E59,BD52E46,BD53E58,BDXXEXXX-MTR,BD53E60,BD52E34,BD53E46,BD52E33,BD53E45,BD52E32,BD53E44,BD52E31,BD53E43,BD52E30,BD53E42,BD53E41,BD53E40,BD52E39,BD52E38,BD52E37,BD53E49,BD52E36,BD53E48,BD52E35,BD53E47,BD53EXXX-M,BD52E23,BD53E35,BD53E34,BD53E33,BD53E32,BD53E31,BD53E30,BD52E42G-M,BD52E60,BD52E29,BD52E28,BD52E27,BD53E39,BD52E26,BD53E38,BD52E25,BD53E37,BD52E24,BD53E36,BD52EXXX-M,CIRCUITS USING MICROCONTROLLERS OR LOGIC CIRCUITS THATREQUIRE A RESET FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS (CAR NAVIGATION, CAR AUDIO, METER PANEL, EXTERIOR LAMP ETC.),使用微控制器或逻辑电路的电路需要重置汽车应用（汽车导航、汽车音频、仪表板、外部灯等）

BD52E23G-TR无铅镀层的抗晶须形成

02.Nov.2015  - 测试报告 本资料主要针对无铅板金抗锡须形成进行了评估。内容包括产品类型、镀层类型、镀层颗粒大小、浴液类型、表面处理、预处理条件、应力条件、测试流程和结果。测试结果显示，在所有测试条件下，锡须长度均未超过40µm，符合标准要求。

ROHM  -  BD52E23G-TR

自由延迟时间设置CMOS电压检测器IC系列

17.Jun.2020  - 数据手册 Rohm推出的BD52Exxx和BD53Exxx系列高精度、低功耗电压检测IC具有可控延迟时间。该系列产品包含N通道开漏输出的BD52Exxx器件和CMOS输出的BD53Exxx器件，适用于特定检测电压范围。

ROHM  -  高精度低功耗电压检测芯片,BD52E56,BD53E24,BD52E55,BD53E23,BD52E54,BD52E53,BD52E52,BD52E51,BD52E50,BD53E29,BD53E28,BD52E59,BD53E27,BD52E58,BD53E26,BD52E57,BD53E25,BD53E42G-M,BD52E27G-M,BD53E57,BD52E45,BD53E56,BD52E44,BD53E55,BD53E54,BD52E42,BD53E53,BD52E41,BD53E52,BD52E40,BD53E51,BD53E50,BD52E49,BD53E27G-M,BD53EXXX-M SERIES,BD52E48,BD53E59,BD52E47,BD52EXXX-M SERIES,BD53E58,BD52E46,BDXXEXXX-MTR,BD53E60,BD53E46,BD52E34,BD53E45,BD52E33,BD53E44,BD52E32,BD53E43,BD52E31,BD53E42,BD52E30,BD53E41,BD53E40,BD52E39,BD52E38,BD53E49,BD52E37,BD53E48,BD52E36,BD53E47,BD52E35,BD52E4,BD53EXXX-M,BD53E35,BD52E23,BD53E34,BD53E33,BD53E32,BD53E31,BD53E30,BD52E42G-M,BD52E60,BD52E29,BD52E28,BD53E39,BD52E27,BD53E38,BD52E26,BD53E37,BD52E25,BD53E36,BD52E24,BD52EXXX-M,CIRCUITS USING MICROCONTROLLERS OR LOGIC CIRCUITS THAT REQUIRE A RESET,使用微控制器或需要重置的逻辑电路的电路,汽车,AUTOMOTIVE

可靠性试验结果报告BD52E23G-TR

2016.03.01  - 测试报告 本报告为ROHM公司BD52E23G-TR型号LSI的可靠性测试结果。报告详细列出了包括耐湿热、压力锅、温度循环、高温存储、低温存储、温度湿度存储、温度湿度偏置、高温操作寿命等在内的多项可靠性测试项目及结果，均符合JEITA ED4701标准。此外，还包括了强度测试项目，如端子强度、可焊性、静电放电等，均通过测试。

ROHM  -  BD52E23G-TR

REACH SVHC非使用声明BD52E23G-TR

25.Dec.2015  - 测试报告 ROHM公司声明，其LSI产品BD52E23G-TR不含SVHC（高度关注物质）清单中列出的物质，浓度均不超过0.1wt%。声明中列出了SVHC清单中的具体物质及其CAS号，并提供了相关产品的浓度限制。此外，声明中还包含了对产品使用、安全措施、技术信息、应用范围、可靠性要求、法律法规遵守等方面的注意事项。

ROHM  -  BD52E23G-TR

符合ELV指令（2011/37/EU）BD52E23G-TR

02.Nov.2015  - 测试报告 ROHM公司宣布，其列出的LSI产品BD52E23G-TR符合ELV指令（2011/37/EU）。产品中包含的有害物质包括镉、铅、汞、六价铬及其化合物。部分产品含有符合ELV指令豁免规定的铅。此外，资料中还包括了关于产品使用、技术信息、应用范围、责任声明、法律法规遵守等方面的注意事项。

ROHM  -  BD52E23G-TR

符合ELV指令（2011/37/EU）BD52E23G-MTR

02.Nov.2015  - 测试报告 ROHM公司宣布其列出的LSI产品符合ELV指令（2011/37/EU）。产品包含有害物质如镉、铅、汞、六价铬等，但部分产品含有免于ELV指令规定的铅。ROHM强调产品适用于一般电子设备，并提醒用户在设计电路时考虑外围条件，并遵守相关环境法规。

ROHM  -  BD52E23G-MTR

【选型】ROHM（罗姆）工业设备用产品选型指南（中文）

工业自动化产品框图    能源框图    基础设施框图    推荐产品    IC产品    电源管理    传感器/MEMS    无线通信用LSI    存储器    放大器/比较器    电压检测器(复位IC)数据转换器/显示驱动器    微控制器    分立式元器件/模块产品    功率元器件    分立式元器件    无源元器件（电阻器）    LED/LED显示器    无线通信模块    型号索引   

2019年03月  - 选型指南 ROHM  -  AC/DC转换器,智能功率开关,IPM,超级结MOSFET,8位微控制器,电容式开关控制器IC,OP AMP,2点触摸屏控制器IC,TVS,底边开关,高亮度LED数字显示器,快速恢复二极管,特定小功率无线通信LSL,第4代快速恢复二极管,电池管理IC,SIC AC/DC,通信模块,触摸控制器,晶体管,绝缘型栅极驱动器,非接式电流传惑器,肖特基势垒二极管,A/D转换器,特定小功率无线通信LSI,数据转换器,AC/DC,标准稳压器,接地检测运算放大器,齐纳二极管,电阻器,储能系统用库仑计IC,LED显示器,功率元器件,SIC SBD,电容式开关控制IC,过电压检测用电压检测器,放大器,数据发信专用LSI,SIC MOSFET,ENOCEAN通信模块,电源模块,通用段码驱动器,加速度传感器,发光二极管,标准型CMOS电压检测器,栅极驱动器,无源元器件,输入输出全振幅运算放大器,低饱和稳压器,看门狗计时器复位IC,推挽输出比较器,显示用驱动器,16位微控制器,绝缘电源,WI-SUN,双电源运算放大器,蓄电元件电池平衡IC,小型高边开关IC,贴片电阻器,分立元器件,显示驱动器,集电极开路比较器,AC/DC转换器控制IC,功率MOSFET,负载开关IC,绝缘型DC/DC控制器,微控制器,绝缘型反激式DC/DC转换器,高边开关,功率 MOSFET,隔离型DC/DC,非绝缘型栅极驱动器,FERAM,触摸屏控制IC,贴片LED,三轴加速度传器,WI-SUN通信模块,SDRAM,数字电源降压DC/DC转换器,中功率肖特基势垒二极管,锂电池监控LSI,低阻值电阻器,电源管理开关IC,电容式开关,低耐压MOSFET,储能元件(EDLC)电池平衡IC,AC/DC二次侧同步整流控制IC,LPWA无线,漏极开路比较器,晶体管阵列,ENOCEAN®通信模块,通用16位微控制器,运算放大器,高边/低边柵极驱动器,储能元件电池平衡IC,分流电阻器,线性稳压器,FRD,低功耗16位微控制器,大功率双通道MOSFET,电流检测用贴片电阻器,二极管,MOSFET,智能功率元器件,抗硫化贴片电阻,内置FET的开关稳压器,方形贴片电阻器,SIC功率元器件,通用EEPROM,SIC驱动用AC/DC转换器控制IC,达林顿晶体管阵列,智能功率模块,DRAM,MEMS,绝缘型DC/DC转换器IC,LDO稳压器,低电压工作8位微控制器,近距离无线通信用LSI,电源管理,第3代沟槽型场截止IGBT,抗硫化贴片电阻器,电池监测,特定小功率无线模块,TN/STN液晶显示用驱动器,SUB-GHZ,非接触式电流传感器IC,厚膜型电阻器,HV DC/DC,大功率贴片电阻器,模块,升压DC/DC控制器,复位IC,输出全振幅运算放大器,触摸屏控制器IC,SIC肖特基势垒二极管,数据收发信LSI,无线通信用LSI,高EMI耐受力集电极开路比较器,非绝缘型电源,微机电系统,保护二极管,外置MOSFET的开关稳压器,TVS二极管,存储器,传感器,电池管理,MCU,无线通信模块,锂离子电池监测LSL,DRAM SDRAM,复合型电压检测器,SIC场效应晶体管,库仑计IC,高耐压DC/DC转换器,光学元器件,IGBT IPM,低静态电流LDO稳压器,WL-CSP EEPROM,厚膜贴片电阻器,高EMI耐受力接地检测运算放大器,有源钳位绝缘型DC/DC转换器,32位微控制器,MOS-IPM,蓄电系统用库仑计IC,数字电源,LSI,电流传感器IC,绝缘型柵极驱动器,AC/DC转换器IC,高耐压同步整流降压DC/DC转换器,SIC MOSFET,库仑计,锂离子电池监测LSI,LED数字显示器,EEPROM,双极型电压检测器,三轴加速度传感器,电压检测器,比较器,小功率无线模块,高边/低边栅极驱动器,非接触式电流传感器,高边NMOSFET控制器IC,开关稳压器,DC/DC,高边栅极驱动器,IGBT,绝缘型电源,SBD,非绝缘电源,分立式元器件,铁电存储器,绝缘型DC/DC,无线通信LSI,LED,降压DC/DC转换器,串行EEPROM,3引脚稳压器,SI MOSFET,IPD,ENOCEAN,BD7673AG,SMLEN3BC8T,BA4560RFVM,RBQ20NS65A,RFN20NS6S,BM2LB300FJ-C,BA4560RFVT,RASMID,BD7602GUL,RFUH20NS3S,BD82001FVJ-LB,SMF26V,MD56V72161C-XXTAP,RB058LAM150,SDR,BD50FA1MG-M,BD9109FVM-LB,RB088LAM-60,RB238NS150,SML-D12Y8W,BR25H128,SML-P11DT,VS17VUA1LAM,GMR50/5025,RFUH20NS4S,RGTH40TK65,STM 431J,SCT2280KE,BA82904YFVM-C,CSL1301R2T,ECO 200,BA2902YF-LB,BA4560YFV-M,RB298T100,BD46EXX1G-M,SMF24V,BU7250G,SML-D12U1W,BD71L4LG-1,BR25H160,SFR,BR25A512,RGCL80TK60,RGPR20BM36HR,BD12732FVM,BD12732FVJ,PTM 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REACH SVHC非使用声明BD52E23G-MTR

25.Dec.2015  - 测试报告 ROHM公司声明，其LSI产品BD52E23G-MTR不含SVHC（高度关注物质）候选清单中所列物质，浓度均不超过0.1wt%。此声明适用于特定产品，并附有SVHC清单。声明中还包括了产品使用注意事项、技术信息、应用范围、责任限制以及法律法规遵守等内容。

ROHM  -  BD52E23G-MTR