铁电存储器128 K (16 K × 8) 位 I2 CMB85RC128A 数据手册
与 SRAM 不同， MB85RC128A 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC128A 非易失性存储单元读 / 写的耐久性进一步提升，至少为 1012（一万亿）次，明显超过 FLASH
和 E2PROM。
与 FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC128A 在写入存储器后无需轮询序列。
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FUJITSU Semiconductor FRAM 产品介绍
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FUJITSU（富士通）铁电随机存储器 FRAM 产品概览（中文）
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