到铁电存储器256 K (32 K × 8) 位 SPI MB85RS256B 数据手册

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2018-10-10 FUJITSU 数据手册 英文
MB85RS256B 是 FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,配置32,768 × 8 位,通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
MB85RS256B 采用串行外设接口 (SPI)。

MB85RS256B 与 SRAM 不同,无需备用电池即可保持数据。

MB85RS256B 中使用的存储单元可用于 1012次读/写操作,它的读/写耐久性大大超过FLASH和E2PROM。

MB85RS256B 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间,而且 MB85RS256B 不需要等待时间。
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  • 用户21373340 普通会员 2022-08-23
    富士通铁电存储MB85RS256BPNF-G-JNERE全系列找一号联达科技
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