到铁电存储器256 K (32 K × 8) 位 SPI MB85RS256B 数据手册
MB85RS256B 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS256B 与 SRAM 不同,无需备用电池即可保持数据。
MB85RS256B 中使用的存储单元可用于 1012次读/写操作,它的读/写耐久性大大超过FLASH和E2PROM。
MB85RS256B 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间,而且 MB85RS256B 不需要等待时间。
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