领奖方式:

●中奖用户直接登陆世强元件电商官网或APP领取奖品
领奖路径:保温杯中奖者搜索“SQ-8J001”,蓝牙音箱中奖者搜索“SQ-8J025”点击“立即领取”,  按提示完成领取
发货通知:礼品发货后,我们将通过邮件通知快递单号,也可以在APP我的礼品中查询
为保证您顺利领奖,请务必将APP升级至最新版本
获奖名单公布后两周内未领取将视为自动放


关于奖品领取发放声明
1、世强元件电商平台对获奖者及其各自奖品的决定具有最终约束力。
2、世强元件电商平台对于因奖品的接受、持有、使用或误操作而造成的任何形式的损失或损害,或者声称造成的所有伤害或损害不承担任何赔偿责任;世强元件电商平台也不承担因此而产生的任何相关费用(包括但不限于医疗费、空中或陆地交通工具转乘费用、住宿费用、机场税、保险等)。
3、具体获奖产品免责声明
(1)奖品的品牌和型号以最终发放时的为准,页面上所展示的奖品如果出现缺货,世强元件电商平台将会用同等价值的其他品牌或型号代替。
(2)获奖实物类奖品:因保修、质量瑕疵或发生的权属纠纷,世强元件电商不负任何法律责任。在奖品送递过程中发生奖品的损毁、偷换或其他情况,由承运方与中奖用户自行解决,世强元件电商平台不负任何法律责任。
(3)获奖代金券类奖品:因质量瑕疵发生纠纷或发生其他法律纠纷,世强元件电商平台不负任何法律责任。
4、活动过程中,若用户中奖,世强元件电商平台以最终中奖所留地址信息为准寄送奖品,由此引起的任何纠纷,世强元件电商平台免责。
5、活动过程中,若用户中奖后出现因黑客入侵、电脑病毒、信息泄露他人等个人原因而导致奖品被盗用情况发生,世强元件电商平台不负责追回及补偿。超出了代金券使用期限仍未使用,导致奖品作废,世强元件电商平台不负责追回及补偿。
6、用户不得使用任何舞弊手段谋求获奖。如发现有参加者使用任何不正当手段,一经证实作弊,活动主办方有权在不事先通知的前提下直接删除其活动相关记录,取消其活动资格。如为获奖者,则取消获奖资格。  活动中的作弊行为,包括但不限于:  
(1) 同一用户或者IP地址注册多个账号,利用专业软件或者人工方法违反活动规则以获取更多抽奖资格的行为。  
(2) 同一用户盗用、借用他人已有账号参与活动或者盗用、借用他人信息注册账号参与活动,提高中奖几率的行为。  
(3) 恶意利用活动规则或技术漏洞刷奖的行为。
(4) 其他活动主办方有合理理由认定为作弊的行为。

 

客服电话:400-887-3266(工作日 9:00-18:00)


 *世强元件电商平台活动免责及诚信声明


英诺赛科(Innoscience)创办于2015年12月,是第三代半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。英诺赛科(Innoscience)主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率与射频器件的研发与产业化,并已于2017年底建成了我国首条8英寸硅基氮化镓功率器件的量产线,产品性能达到国际领先水平,加上其IDM全产业链模式的商业模式,使得公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。


世强是英诺赛科(Innoscience)官方授权一级代理商,代理英诺赛科(Innoscience)旗下硅基氮化镓功率与射频器件等产品,库存丰富,正品保证。用户可以查询获取来自英诺赛科(Innoscience)的最新产品和技术资讯、官方资料库,以低于行业的价格,购买英诺赛科(Innoscience)最新产品,享受供货保障。


官方授权保证
英诺赛科(Innoscience)官方授权代理证明/分销协议/授权书


主要产品及亮点


单管GaN FET:最小尺寸1x1mm,WLCSP、ECP、TOLL、DFN多种封装,配合驱动IC使用
半桥GaN FET:上下管晶圆级集成,体积小,更易于PCB布板,具有更小的功率环路寄生电感
GaN IC:驱动IC和GaN FET晶圆级集成,易于PCB布板,具有更快驱动速度,更小驱动环路寄生电感


主要应用


快充,无人驾驶,新能源汽车,人工智能,数据中心,5G通讯,电源,充电设备等


选型参考



活动资料

1、英诺赛科(Innoscience)公司及产品介绍

2、Innoscience(英诺赛科)INN40W01-40V E-Mode GaN FET Preliminary Datasheet

3、Innoscience(英诺赛科)INN40W02-40V E-Mode GaN FET Preliminary Datasheet

4、Innoscience(英诺赛科)INN100W01 -100V E-Mode GaN FET Preliminary Datasheet

5、Innoscience(英诺赛科)INN100W02 -100V E-Mode GaN FET Preliminary Datasheet

6、Innoscience(英诺赛科)INN100W03 -100V E-Mode GaN FET Preliminary Datasheet

7、英诺赛科(Innoscience)INN650D01—650V 增强型氮化镓场效应晶体管数据手册

8、英诺赛科(Innoscience)INN650D02—650V 增强型氮化镓场效应晶体管数据手册



评论

   |   

提交评论

最新评论

  • Lion Lv3 . 高级工程师 2019-04-26
    一直在支持
  • NASA911 Lv7 . 资深专家 2019-04-15
    支持世强的活动
  • Jonylee Lv3 . 高级工程师 2019-05-06
    没中
  • 用户18039833 Lv3 . 高级工程师 2019-05-05
    未中
  • 用户34442393 Lv4 . 资深工程师 2019-05-05
    未中
  • 用户28667666 Lv3 . 高级工程师 2019-05-05
    未中
  • 用户40038450 Lv3 . 高级工程师 2019-05-05
    没中
  • 好运常伴吾 Lv6 . 高级专家 2019-05-05
    支持
  • brian Lv4 . 资深工程师 2019-05-03
    学习下
  • 燕南天20171202 Lv4 . 资深工程师 2019-05-01
    学习了
点击查看更多