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flash 操作失败可能是什么原因导致
2024-05-25 - 技术问答 该系列芯片在操作 FLASH 之前需要先初始化 HSI 时钟以及需等待 HSI 震荡就绪，建议参考开发套件中的例程，沿用 SDK 中已封装好的 flash 时钟初始化函数：FLASH_ClockInit()
为什么即使关闭了时钟源，Keysight N5120A软件CPRI窗格中显示的参考时钟锁定字段仍然指示锁定状态？
2020-03-03 - 技术问答 参考时钟锁定字段（在N5120A软件的CPRI窗格中）指示参考时钟被锁定或解锁的时间。如果此字段已被锁定，然后关闭参考时钟源，则该字段仍然可以指示参考时钟仍处于“锁定”状态。从N5103A HSSI后面板上的参考时钟输入连接器中取出电缆卡允许参考时钟锁定字段更改，显示“未锁定”状态。
N32G45X 采用内部 HSI 时钟，CPU 最高主频为什么只能到 128M Hz？
2024-05-25 - 技术问答 N32G45X 芯片内置 8M OSC 时钟，通过 2 分频后连接 PLL 模块，PLL 的倍频系数最高为 32 倍，因此使用内部的 HSI 时钟 CPU 的主频最高可配置为(8/2)*32=128MHz。
flash和eeprom的区别是什么？怎么选择
2018-10-29 - 技术问答 FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按页操作，EEPROM则按字节操作，FLASH在写之前必须要先整页擦除，EEPROM可以直接写。价格上EEPROM要比FLASH贵。
MCU里面带有ADC为什么我们还要用独立ADC。
2024-09-10 - 技术问答 独立ADC更稳定。精度更高。受影响小。
如何在 JLINK 中添加国民芯片设备？
2024-05-25 - 技术问答 方法 1：国民提供添加工具“JFlashAddDeviceTool”，运行后可添加国民相关芯片到 JLINK 的 Device 目录。工具请联系国民 FAE 团队提供。方法 2：直接在 JLINK 的安装目录下手动添加设备，修改 JLinkDevices.xml 并将设备文件复制到 Device 目录。设备文件请联系国民 FAE 团队提供。
Flash 下载程序异常，无法识别到芯片？
2024-05-25 - 技术问答 常见的情况有 3 种：1. 烧录端口在程序中被占用；2. 程序执行到低功耗模式；3. 芯片选项字节被修改，进入 L1、L2 或写保护。可以通过 SWD 从内置 SRAM 启动，来解除读/写保护和擦除 Flash 擦除程序解决下载异常，当选项字节被设置为 L2 保护则该模式被禁止，无法解除。具体硬件操作为：BOOT0 引脚拉高，芯片重新上电，解除 L1 保护或 Flash 全片擦除。
智能家居中控项目使用国民技术的N32G452，进行FLASH写操作时，会出现程序卡死的现象，有什么好的解决办法？
2025-03-12 - 技术问答 在进行Flash操作时，如果被中断打断，就可能会出现异常情况。建议进行Flash擦写操作时，关闭中断。
你好，我在用国民技术的32位MCU调试时，Flash 下载程序异常，无法识别到芯片，什么原因？
2023-01-06 - 技术问答 您好，可能有以下3种情况： 1. 烧录端口在程序中被占用； 2. 程序执行到低功耗模式； 3. 芯片选项字节被修改，进入 L1、 L2 或写保护。可以通过 SWD 从内置 SRAM 启动，来解除读/写保护和擦除 Flash 擦除程序解决下载异常，当选项字节被设置为 L2 保护则该模式被禁止，无法解除。 具体硬件操作 为： BOOT0 引脚拉高，芯片重新上电， 解除 L1 保护或 Flash 全片擦除。
烧录器能识别到芯片且 Flash 可以擦除，但烧录失败，报错信息：Flash Download failed - "Coretx M4"
2024-05-25 - 技术问答 大概率是开启的读保护功能导致，可以用 Nations MCU Download Tool 工具，通过串口或者 USB 解锁读保护（这两种方式需要切 boot），或者通过 SWD 接口解锁读保护（SWD 方式不需要切 boot）（该操作只有解锁 L1 等级可行，L2 不可恢复）
Flash 的操作时长？
2024-05-25 - 技术问答 1. Flash 支持字编程、页擦除和整片擦除，Flash 字编程时间约 175us，页（512 字节）擦除时间约 2.27ms，整片擦除时间 34.1ms（详情参考数据手册）；2. 读 Flash 的等待周期数可以通过寄存器配置，使用时需要结合 SYSCLK 时钟频率进行计算。比如：当 SYSCLK <=18MHz 时，等待周期数最小为 0；当 18MHz < SYSCLK <=36MHz 时，等待周期数最小为 1；当 36MHz < SYSCLK <=48MHz 时，等待周期数最小为 2。
请问国民技术的N32WB031 蓝牙SOC芯片的Flash操作的最小单位是多少、耗时多少？
2022-12-21 - 技术问答 您好，这颗芯片Flash擦除的最小单位4KB，耗时大概是16ms~30ms；写操作最小单位256B，耗时2ms~3ms；进行读的最小单位是4Byte；
我在使用国民N32G030时下载程序，JLINK可以识别到芯片但是烧录失败，显示：Flash Download failed-“Cortex-M0“，这种应该怎么解决呢？
2023-02-09 - 技术问答 你好，这种问题大概率是开启的读保护功能导致，可以用Nations MCU Dowmload Tool工具，通过串口或者USB解锁读保护或者通过SWD接口解锁读保护。
执行 FLASH 擦除和写操作时，有哪些注意事项？
2024-05-25 - 技术问答 1. 进行闪存编程操作时（写或擦除），必须打开内部的 RC 振荡器（HSI）；2. Flash 写操作仅支持 32 位操作，写操作之前需要先擦写 Flash；3. Flash 写操作需要地址字对齐，且地址范围不能超出芯片内存；4. 以防因电气干扰等原因产生对 Flash 的意外操作，对 Flash 的操作应按照解锁→操作→上锁顺序执行。
你好，应用在蓝牙语音遥控器中，需要一款国产蓝牙SOC芯片，要求主频高，功耗低，支持BLE5.1，有合适推荐吗？
2022-12-02 - 技术问答 您好，根据您的需求，这里推荐国民技术的N32WB031蓝牙SOC芯片，它是新一代高性能、超低功耗的蓝牙5.1芯片，拥有M0内核，最高工作主频64MHz，片上集成48KB SRAM，256/512KB Flash。支持BLE5.1协议栈。详细资料：https://www.sekorm.com/product/801463.html
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