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IGBT模块损坏的原因都有哪些呢？
2017-11-24 - 技术问答 一般IGBT损坏多为过压，过流，过温导致。
igbt模块怎么验证寿命？
2018-03-30 - 技术问答 利用功率循环测试造成组件故障，同时在不同的稳态之间进行热瞬态测量，这样可以仿真测试模块的生命周期，间接预测IGBT模块的寿命。
IGBT模块应用时，死区时间怎么预留？
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碳化硅的效率比普通igbt模块高多少？
2018-04-10 - 技术问答 从效率的角度，SIC是可以设计的比IGBT效率高，在开高频的情况下，SIC可以做到低的损耗，另外也可以减小滤波的体积，具体效率高多少，这个需要设计后去实测对比。
【技术大神】小谈USB Type C接口的ESD保护方案
2017-02-09 - 器件选型 本文分析了ESD故障的三种类型，并以实际的案例总结了工业类产品选择ESD器件的原则和注意事项。
【经验】双向TVS管在IGBT门极驱动电路中的功能分析及选型
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KINCARRY(晶凯瑞)大功率TVS选型表
选型表 - KINCARRY KINCARRY提供如下大功率TVS二极管选型，封装覆盖SOD-123FL、SMAG、SMBG、SMCG、DO-41/DO-15/DO-27、R-6。反向工作电压VRWM 5V-440V，峰值脉冲功率PD 200W-5000W，峰值脉冲电流IPP 0.5A-543A，含单向(A)与双向(CA)两种极性，工作结温-55℃~+175℃，适用于电源端口、通信接口、工业控制及汽车电子等浪涌保护场景。
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产品型号
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品类
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封装
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PD(W)
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VRWM(V)Max
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IR(µA)
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IR@VR(V)
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VBR(V)Min
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IT（mA）
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VC@IPP(V)
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IPP(A)
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Tj(℃)
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SMF5.0A
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大功率TVS
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SOD-123FL
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200
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5
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800
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6.4
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6.4
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10
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9.2
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21.7
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-55~+150
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【选型】为RS232串口数据线（TxD、RxD、GND）通信选择合适的TVS管
2019-08-20 - 器件选型 RS232通信一般由三条数据线组成，即TxD、RxD和GND，为保证RS232串口数据通信免受ESD影响，一般需要在TxD与GND、RxD与GND间加入一颗TVS管做ESD防护设计，本文推荐选用高性能版littelfuse的双向TVS管SPHV15-01ETG-C，或者选择低成本版高特双向TVS管GSD15C，两者的最大反向工作电压均为15V，均为小尺寸贴片封装，均可满足设计需求。
固锝TVS选型表
选型表 - 固锝 固锝提供TVS选型，PPPM(W) ：400~5000，VZ min(V)：5.2~522.5，Vz max(V)：1~577.5
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产品型号
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品类
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Package
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PPPM(W)
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VZ min(V)
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Vz max(V)
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1.5KE10
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Transient Voltage Suppressors
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DO-201AE
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1500
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9
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11
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鑫飞宏MOS管选型表
选型表 - 鑫飞宏 鑫飞宏提供MOSFET功率器件选型，涵盖N沟道、P沟道、N+P双沟道及半桥驱动等细分品类，电压覆盖±12V至500V，电流范围0.7A-330A，Rds(on)低至0.8mΩ。产品支持2.5V/4.5V/10V多栅极驱动电压，部分型号集成ESD保护。封装形式多样，包括SOT-23/523、DFN2x2/3x3、PDFN3.3x3.3/5x6、TO-252/263、TOLL及WLCSP等，适用于消费电子、电机驱动、电源管理及工业控制领域。
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产品型号
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品类
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VDS
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ID
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Vgs (±V)
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Vth(V)
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ESD
Diode
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RDS(on) mΩ 10V(Typ)
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RDS(on) mΩ 10V(Max)
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RDS(on) mΩ 4.5V(Typ)
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RDS(on) mΩ 4.5V(Max)
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RDS(on) mΩ 2.5V(Typ)
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RDS(on) mΩ 2.5V(Max)
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Ciss Typ(pF)
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Qg Typ(nC)
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Type
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Package
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FHC1208
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MOS管
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12(Vss)
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8(Is)
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8
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0.4~1.4
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Yes
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/
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/
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4.7(Rss)
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5.5(Rss)
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6.8(Rss)
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9.0(Rss)
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2760
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24.7
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N+N
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WLCSP6-2.14x1.67x0.1
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【经验】ESD抑制器和TVS管的重要参数定义及选型注意事项
2018-07-07 - 设计经验 Littelfuse的ESD抑制器和TVS管。ESD抑制器有PESD，PULSE-GUARD ESD，XTREME-GUARD ESD系列，这几个系列是保护高速数据线路应用的理想选择，可以提供极低的电容，且外形小巧，可在确保ESD保护的同时保证了数据的完整性。TVS管有SD,SM等系列，低的钳位电压，多用于低频信号端。
美丽微半导体TVS选型表
选型表 - 美丽微半导体 美丽微半导体TVS/瞬态电压抑制管选型，PPP(W)：200W-30000W；VRWM(V)：5V-510V；IPP(A)：0.5V-606V.
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产品型号
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品类
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PPP(W)
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VRWM(V)
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VBR min(V)
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IPP(A)
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PACKAGE
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30KPA288CA
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Transient Voltage Suppression Diode
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30000
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288
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321.7
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64.5
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P600
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长晶科技瞬态电压抑制二极管选型表
选型表 - 长晶科技 长晶科技提供瞬态电压抑制二极管（TVS Diode，又称瞬变电压抑制二极管） 选型，含 1776 个型号，专注电路浪涌防护。核心参数：峰值脉冲功率 Ppp 200-15000W、反向工作电压 VRWM 5.0-513.0V、击穿电压 VBR 6.4-630.0V、钳位电压 VC 9.2-828.0V、峰值脉冲电流 IPP 0.3-652.2A、反向漏电流 IR 1-5000uA。封装共 5 种，为 R-6、SMAG、SMBG、SMCG、SOD-123FL。产品优势：抗浪涌能力强、电压保护范围宽、电流承受量大、保护精度高，适用于电源接口、通信设备、消费电子等场景，抵御雷击、静电等瞬态电压干扰。
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产品型号
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品类
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Ppp(W)
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VRWM(V)
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VBR Min (V)
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VBRMax (V)
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IR(uA)
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it(mA)
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VC(V)
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IPP(A)
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Package
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SMDJ440CA_SMCG
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TVS Diode
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3000
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440
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492
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543
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1
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1
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713
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4.21
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SMCG
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MDD TVS选型表
选型表 - MDD 提供MDD电子保护器件TVS选型，覆盖功率200W/400W，电压:5V-440V，包含双向和单向，IPP电流:0.56A-44A，商品分类：保护器件、TVS、单向TVS、双向TVS
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产品型号
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品类
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Uni/Bi
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封装
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PPk(W)
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VBR Min.(V)
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VBR Max.(V)
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IT(mA)
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IR(uA)
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VRWM(V)
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IPP(A)
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VC(V)
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IFSM(A)
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工作温度(℃)
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SMF5.0A
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TVS
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Uni
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SOD-123FL
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200W
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6.4V
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7V
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10mA
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200uA
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5V
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21.7A
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9.2V
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30A
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-55℃~150℃
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电子商城
服务市场
集泰提供双组份有机硅灌封胶的定制服务，主要用于保护电子元器件免受湿气、震动、化学腐蚀和热冲击的影响，是电子电气领域最主流的防护材料之一。
提交需求>
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量：1 提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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