• EOS和esd的区别是什么?

  • 创建于2017-03-27

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TVS瞬态抑制二极管与ESD静电抑制器的区别是什么

2018-12-28 -  技术问答 原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样. ESD和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高.

你好,请问TVS和ESD有什么区别?在电路保护中一般优先选择哪个呢?

2021-01-21 -  技术问答 TVS属于功率型器件,主要是作为板级的浪涌防护,能量比较大的防护,ESD是属于阵列TVS器件,主要是用作静电防护,静电是瞬间能量属于高压冲击,两者的防护应用方向不同。电路保护中没有明确的界定优先顺序,如果需要防护能量较大的浪涌防护则选择TVS,如还需要静电防护,就需要增加ESD器件。

高特ESD防护优化方案,正好近期能用到,不知道效果怎么样? 提问来源:https://www.sekorm.com/news/26929598.html

2020-10-12 -  技术问答 针对EOS及ESD防护,高特的防护解决方案符合IEC61000-4-2和IEC61000-4-5的测试标准,可以根据以下推荐进行免费样品申请测试,https://www.sekorm.com/news/75402428.html。

TVS跟ESD管的区别?

2018-10-26 -  技术问答 TVS 是瞬变电压抑制二极管,用于瞬态电压抑制;ESD是静电放电,用于静电放电保护,他们应用的场合不同,TVS一般用于处级和次级保护,而ESD主要用于板级保护。

请问kyocera SAW器件静电放电:ESD(Electro Static Discharge)的规格。

2019-07-19 -  技术问答 50V以上。(累积故障率10%)

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昆泰芯微电子霍尔传感器选型表

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产品型号
品类
封装
电压范围(V)
磁场阈值(Gs、mT)
开关频率
功耗
KTH2501QA-SS3
霍尔效应传感器
SOT23
2.7~32V
±15Gs
-
-
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2017-08-07 -  设计经验 Melexis的三轴霍尔位置传感器芯片MLX90333摇杆编程及调试过程中遇到的问题的解决办法和注意事项。

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选型表  -  紫芯微 紫芯微(高华科技全资子公司)提供压力传感器选型,覆盖压力传感芯片全谱系解决方案。产品系列包括ZXP710(35KPa-5MPa,5V,精度0.3%FS)、ZXP720(0-30bar)、ZXP730(0-1.5MPa)、ZXP740(-100KPa-1MPa)、ZXP750(-100KPa-100KPa,-40~125℃宽温)及ZXP760(-50mmHg-300mmHg医疗专用)。供电电压涵盖3V、5V及3V/5V可选,ZXP710系列全温区精度达0.3%FS,长期稳定性±0.1%FS/year;ZXP720/730/740/750/760系列精度1%FS,长期稳定性±30mbar/year。产品可广泛应用于工业控制、汽车电子、医疗设备(有创医疗压力芯片)及商业航天等领域。

产品型号
品类
压力量程
供电电压
全温区精度
长期稳定性
工作温度
ZXP710-35K
压力传感器
35KPa-5MPa
5V
0.3%FS
±0.1%FS/year
-20~85℃
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SigmaStar SoC选型表

选型表  -  SigmaStar SigmaStar(星宸科技)提供面向智能显示与影像处理应用的SoC芯片选型。该系列涵盖从入门显示控制到高性能AI视觉处理的多款产品,核心配置包括ARM Cortex-A7/A35/A53/A55及RISC-V等处理器,集成2D图形引擎或ARM Mali G52 GPU,部分型号搭载NPU(最高3TOPS算力)。视频编解码能力覆盖JPEG至H.264/H.265,分辨率最高支持4K@60fps。图像信号处理器(ISP)性能覆盖2M@30fps至8M@30fps。接口方面全面支持MIPI DSI/CSI、LVDS、HDMI、USB 2.0/3.0、以太网及多路UART/PWM/ADC,适用于对显示效果、视觉处理及连接性有综合要求的嵌入式场景。

产品型号
品类
CPU
GPU
IPU
MCU
ISP
Audio Codec
Encoder
Decoder
UART
ADC
PWM
USB
display port
input port
SDIO
SSU9353Q
SoC
4*CA35
NA
0.5T
RISC-V
2M@30
A+D
JPEG
JPEG
11
24
28
2*U2
NA
2*MIPI CSI
SDIO2.0
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度邦导热硅胶片CP系列选型表

选型表  -  度邦 本系列为高可靠性导热界面材料,用于填充电子元件与散热结构间的空隙,在压缩形变下提供稳定的热传导路径,同时具备电气绝缘特性。导热系数覆盖1.0W/m·K~ 15W/m·K;硬度10~50;厚度0.3mm~16mm;压缩率10%~50%。硬度厚度颜色可定制,可模切成品,颜色默认灰白色,阻燃绝缘,低热阻,证书齐全。

产品型号
品类
导热系数(W/m·K)
硬度(Shore C)
颜色
厚度(mm)
压缩率
规格
CP-100-T03-H10
导热硅胶片
1.0W/m·K
10
灰白
0.3mm
15~50%
200*400mm
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macrocore semiconductor SiC MOSFET选型表

选型表  -  macrocore semiconductor macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的SiC MOSFET选型:涵盖650V至2000V耐压范围,导通电阻从13mΩ至560mΩ,支持最大电流8A至125A,产品封装形式多样,包括TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7L、DFN8*8、TOLL等,满足不同功率密度需求。所有型号均支持-40℃至175℃工作温度范围,部分型号通过车规级认证。具备低导通电阻、高开关速度及低栅极电荷量(QG最低13nC),优化系统效率和热性能。产品线交期为3个月,支持灵活起订量,助力客户快速量产。

产品型号
品类
PKG
VDS(V)
RDSON(mΩ)
RDSON(mΩ)
ID(A)
Vth (V)
CISS(pF)
COSS(pF)
CRSS(pF)
QG(nC)
Operating Junction Temperature(℃)
Qualification
产品状态
产品线交 leadtime
MPQ 最小包装)
SPQ(标准包装)
MOQ (最小订单)
HX1M040065D
SiC MOSFET
TO-247-3L
650
33
35
71
2.6
2200
196
12
105
-40℃~175℃
工业级
量产
3个月
600EA
3000EA
600EA
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晟矽微电子MCU选型表

选型表  -  晟矽微电子 晟矽微电子MCU产品划分为通用类MCU、专用类MCU和ASIC产品三个类别,涵盖64×8bit、128×16bit、256×8bit等多种可编程存储器类型;工作电压(V)适用于1.2V~5.5V;CPU最高频率可达48MHz,具有看门狗和低压检测功效,晟矽MCU可广泛应用于遥控器、锂电数码、小家电、消费类等领域并逐步拓展到智能家居、工业控制、汽车电子等领域。

产品型号
品类
封装
程序存储器(bit)
数据存储器(bit)
工作电压(V)
通用 I/O(个)
系统时钟源
CPU最高频率(MHz)
定时器(个)
唤醒端口(个)
看门狗
MC30P6230
8位 RISC OTP 芯片
SOP8,DIP8,SOT23-6
1K×14bit OTP
50×8bit
2.0V~5.5V
6 个
IRC(8M/32K)
4MHz
8位1个
6 个
WDT
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豪帮高科压力传感器模组选型表

选型表  -  豪帮高科 豪帮高科压力传感器模组选型:涵盖表压(正压、负压、双向)、绝压、差压等系列,量程覆盖500Pa~2000kPa,含模拟量输出及IIC数字输出两种信号类型。封装形式包括SOP6/8、DIP6、LGA8、SOIC16、FR4等,尺寸从2.3mm×2.6mm~29.85mm×29.34mm可选。供电电压1.8V~5.5V,精度1%FS(可选),工作温度-20℃~+85℃,适用于空气及非腐蚀性气体测量。支持量程、精度、输出方式、防腐等参数定制化开发。

产品型号
品类
Model
Range
Pressure Type
Output Type
Package Type
Measured Media
Input Voltage(Vdc)
Accuracy
Size(mm)
Work Temperature(℃)
Feature
HBP1101A001GPS6
压力传感器模组
HBP1101A
1kPa
Gauge Pressure
Analog
SOP6
Air or Non-corrosive Gas
3.6V~5V
1%SF/Optional
7*7
-20~+85
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