• 时钟发生器Si51210电源输入端怎样设置去耦电容?去耦电容阻值一般选择多大?

  • 创建于2016-06-13

4个回答

  • 139*****302_世强 (0)

    使用Si51210芯片时,在VDD和VSS引脚之间需要增加0.1uF的去耦电容,布板时这个电容尽量放置在靠近芯片VDD的引脚位置,且VDD和去耦电容之间不能布置过孔。另外靠近VDD电源侧也需要增加一个10uF的电容,这个电容靠近外部电源输入端。

    创建于2016-06-13
  • 5454547 Lv8 . 研究员 (0)

    越小的电容越靠近芯片管脚

    创建于2017-11-19
  • joyhw Lv5 . 技术专家 (0)

    去耦电容提供低阻抗,电流变化的频率在电容的容性处,不通电容的组合形成较宽的低阻抗。可以借助一些软件选格式的值。

    创建于2017-11-18
  • 小蛮大人 Lv9 . 科学家 (0)

    nF级别和uF级别的电容也是我们最常用的。

    创建于2017-11-16
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