主控MCU通过C2接口对EFM8BB10F8G MCU的Flash存储器进行读写操作，存在概率性失败。从Flash存储器中读数据也是异常，请问这时什么原因导致的？_技术疑难_原厂技术支持_设计开发指引_真实项目答疑-世强元件电商

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主控MCU通过C2接口对EFM8BB10F8G MCU的Flash存储器进行读写操作，存在概率性失败。从Flash存储器中读数据也是异常，请问这时什么原因导致的？
主控MCU通过C2接口对EFM8BB10F8G MCU的Flash存储器进行读写操作，存在概率性失败，比如向EFM8BB10F8G MCU的Flash存储器烧写hex文件，按行写，一共有56行，写56次总是有4次左右的写操作失败，重写可成功。从Flash存储器中读数据也是这样，提示都是C2_Poll_OutReady或则C2_Poll_InBusy超时，请问这时什么原因导致的？
创建于2016-04-21

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134*****973_世强 (0)

检查程序中的中断设置，发现是有一处读操作没有关闭中断导致的，将中断关闭后，对EFM8BB10F8G MCU的Flash进行读、写，存在概率性失败的情况得到解决。因为主控MCU用的是ARM芯片，运行的是linux操作系统，所以主控MCU通过C2接口对EFM8BB10F8G MCU的Flash存储器进行读写操作的函数也是以驱动程序的形式存在的，并且系统中各种软硬中断也比较频繁，因此相对时序控制上也需要更加严格，才能保证可靠的读写操作。

创建于2016-04-21

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