X电容和y电容各有什么作用，接法是怎样的，一般怎么选取容值？
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创建于2018-10-25
12个回答
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- 用户60391885 Lv6 . 高级专家 (0)
- 还要保证最大工作电压时电容存储能量W=0.5*C*U*U <0.2J
- 创建于2018-10-26
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- 会飞的狼 Lv7 . 资深专家 (3)
- 在电源回路中，x电容吸收差模干扰信号，y电容吸收共模干扰信号，但是为了限制漏电流的大小，Y电容不能太大，电容越大，漏电流越大，针对漏电流，有相关安规要求。
- 创建于2018-10-26
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- 风犬小狗 Lv6 . 高级专家 (0)
- X电容用在LN之间，y电容用在L对地之间。
- 创建于2018-10-26
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- 飞熊 Lv6 . 高级专家 (0)
- X主要用来消除差模干扰，y电容用来消除共模干扰
- 创建于2018-10-26
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- 我心永恒 Lv6 . 高级专家 (0)
- 从EMC的角度来讲，X电容常常用来解决差模干扰，y电容常常用来解决共模干扰！都属于安规电容类别！
- 创建于2018-10-25
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- 承毅 Lv8 . 研究员 (0)
- 简单的理解，零火线对地的电容是y电容；
零火线之间的电容是X电容。 - 创建于2018-10-25
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- WallE Lv7 . 资深专家 (0)
- 就是安规电容，接在交流电源输入端，用来抑制EMI传导干扰；
X电容是接在火线、零线之间的；
y电容是接在火线-地线、零线-地线之间的；
Y电容的位置必须符合安全标准，容值不能太大，耐压要高，电路上的Y电容总容量不能超过4700pF；
X电容容值可以比Y电容稍大，但此时必须在X电容两端并联一个安全电阻，以免电源线插拔时，该电容长时间带电，安全标准为2秒必须放电完成。 - 创建于2018-10-25
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- Semon Lv4 . 资深工程师 (0)
- 一般X电容处理差模干扰，使用2个串联。y电容处理共模干扰，单个使用。
- 创建于2018-10-25
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- Jamie Lv7 . 资深专家 (0)
- X电容用于LN端，y电容用于初次级的跨接，Y电容可以初级地对次级地，初级高压端对次级地等
- 创建于2018-10-25
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- 吊个天 Lv7 . 资深专家 (0)
- 在做电磁兼容的时候才知道具体取值。
- 创建于2018-10-25
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2018-12-21 - 技术问答 X电容也叫安规电容通常放于LN2端，Y电容多用于初级地与次级地之间的链接
macrocore semiconductor SiC MOSFET选型表
选型表 - macrocore semiconductor macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的SiC MOSFET选型:涵盖650V至2000V耐压范围，导通电阻从13mΩ至560mΩ，支持最大电流8A至125A，产品封装形式多样，包括TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7L、DFN8*8、TOLL等，满足不同功率密度需求。所有型号均支持-40℃至175℃工作温度范围，部分型号通过车规级认证。具备低导通电阻、高开关速度及低栅极电荷量（QG最低13nC），优化系统效率和热性能。产品线交期为3个月，支持灵活起订量，助力客户快速量产。
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产品型号
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品类
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PKG
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VDS(V)
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RDSON(mΩ)
|
RDSON(mΩ)
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ID(A)
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Vth (V)
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CISS(pF)
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COSS(pF)
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CRSS(pF)
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QG（nC）
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Operating Junction Temperature（℃）
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Qualification
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产品状态
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产品线交 leadtime
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MPQ 最小包装）
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SPQ（标准包装）
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MOQ （最小订单）
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HX1M040065D
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SiC MOSFET
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TO-247-3L
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650
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33
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35
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71
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2.6
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2200
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196
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12
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105
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-40℃~175℃
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工业级
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量产
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3个月
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600EA
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3000EA
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600EA
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选型表 - 安信可科技 提供安信可科技无线模组选型,封装:DIP/SMD,尺寸:10.3mm*9.9mm*2.4(±0.2)mm-120.0mm*120.0mm*30.0mm,通信接口:UART/GPIO/ADC/PWM/I?C/SPI/Touch senser/PSRAM/SDIO/Duplex I²S/麦克风/扬声器,最大速率:2.5mW-100mW,参考距离:80m-5km,供电电压:1.9V-5.25V
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产品型号
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品类
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封装
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尺寸(mm)
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通信接口
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最大速率(mW)
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参考距离(m/km)
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供电电压(V)
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空中速率(Kbps/Mbps)
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天线形式
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工作温度(℃)
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NF-01-S
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2.4G模组
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DIP-8
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28.6mm*15.3mm
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SPI
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5mW
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240m
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1.9V-3.6V
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250Kbps-2Mbps
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板载天线
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-20℃～70℃
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选型表 - 可锐 可锐提供以下多层片式压敏电阻的参数选型：包含0402、0603、0805、1206、1210五种标准贴片封装，适用于不同空间与防护等级的电路设计。交流工作电压范围覆盖3.5V至75V，直流工作电压范围覆盖5V至100V。压敏电压（@1mA DC）范围从19V至120V，限制电压（@8/20μs 1A）范围从30V至250V。额定脉冲耐量（@10/1000μs）从0.05J至1.5J，峰值浪涌电流（@8/20μs）最高可达300A，电容值（@1MHz 0.5V）最低至2.5pF，兼顾高速信号线路的保护需求。
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产品型号
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品类
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交流工作电压
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直流工作电压
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压敏电压@1mA DC
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限制电压@8/20µs 1A
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额定脉冲耐量@10/1000µs
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电容值@1MHz 0.5V
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KRMV0402SD260C0R5YAT083T
|
压敏电阻
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20V
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26V
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130V
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210V
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0.01J
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0.5pF
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真茂佳MOSFET选型表
选型表 - 真茂佳 真茂佳提供汽车级（Automotive）和工业级MOSFET选型，涵盖N/P沟道、单/双通道及SiC MOSFET，电压范围20V-3300V。产品包括Auto LnM系列（如ZMSA、ZMA等）和SiC系列（如ZMCA），可选参数：VDS 20V-3300V，VGS ±10V-±30V，ID 1.4A-475A（Tc=25℃），Rds(on)低至0.4mΩ（Vgs=10V）。优势特性包括低导通电阻、高开关速度（Qg 5.3nC-750nC）、高可靠性（AEC-Q认证），封装涵盖DFN3*3、TO-263、TO-247、TOLL等，适用于电机驱动、电源转换及新能源车载系统。SiC MOSFET支持高频高温应用，适用于充电桩和光伏逆变器。
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产品型号
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品类
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Type
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Product Status
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Qualification
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Technology
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VDS（V）
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VGS（V）
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ID Tc=25℃（A）
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PD
Tc=25℃（W）
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EAS L=0.1mH（mJ）
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Vth min/typ/max （V）
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Rds(on) Vgs=10V max（mΩ
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Rds(on) Vgs=10V typ/max（mΩ）
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Rds(on)
Vgs=4.5V
max（mΩ）
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Rds(on) Vgs=4.5V typ/max（mΩ）
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Rds(on) Vgs=18V typ/max （mΩ）
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Rds(on) Vgs=15V typ （mΩ）
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Ciss（pF）
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Coss（pF）
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Crss（pF）
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Rg（Ω）
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Qg（nC）
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Qgs（nC）
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Qgd（nC）
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Package Name
|
|
ZMCA88201M
|
Auto LnM MOSFET
|
N+P
|
MP
|
Automotive
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RobustFET
|
20
|
±12
|
-4
|
17
|
10
|
-0.5/-0.7/-1.2
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-
|
-
|
100
|
65/100
|
-
|
-
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495
|
64
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51
|
8
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5.3
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1.5
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2.4
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DFN3*3 Dual
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黑金刚铝电解电容&超级电容选型表
选型表 - Nippon Chemi-Con 提供黑金刚（Nippon Chemi-Con）铝电解电容以及超级电容产品选型。安装方式分为贴片型（SMD），引线型（Radial lead），基板自立型（牛角电容），螺丝端子型（Screw）；常规品范围在-40℃~150℃，1000小时~20000小时寿命保证，额定电压范围在2.5V～700V；尺寸范围最小规格：贴片型电容5mm*5.2mm，容量范围从1uF~3150000000uF。
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产品型号
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品类
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系列
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直径(mm)
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长度(mm)
|
引脚类型
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电压(V)
|
容值(uF)
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电容容差
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最小工作温度(℃)
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最大工作温度(℃)
|
MOQ/SPQ(pcs)
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EGVD250ELL622MM30H
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高温品引线型铝电解电容器
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GVD Series
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18mm
|
30mm
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Radial lead
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25V
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6200uF
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±20%(M)
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-40℃
|
135℃
|
200
|
森尼克-电流传感器模组选型表
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产品型号
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品类
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额定值
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精度
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工作电压
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线性度
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工作模式
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SCB-DSR5
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电流传感器模组
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06A-50A
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0.70%
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+5V
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0.10%
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闭环
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灿阳科技瞬态电压抑制二极管&低电容TVS选型表
选型表 - 灿阳科技 该选型表提供灿阳科技瞬态电压抑制二极管&低电容TVS产品选型，涵盖SMA、SMB、SMC以及DO形态多种封装，PPK (W)范围：400~100000。EIC 提供极其广泛的分立产品选择，拥有 10,000 多个部件号和 40 多种封装类型。所有产品的制造都严格注重高质量和可靠性。
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产品型号
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品类
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封装
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PPK(W)
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VBR(V)Min.
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VBR(V)Max.
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IT(mA)
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VRWM(V)
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IR(µA)
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IRSM(A)
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VRSM(V)
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Maximum Junction Capacitance@ 0 Volt(pF)
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SMAJLCE28A
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LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
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SMA
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1000
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31.1
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35.1
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1
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28
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5
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21.05
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47.5
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100
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Puya(普冉)Flash选型表
选型表 - Puya Puya提供Flash存储器选型表，提供从1Mb至1Gb不同容量的高性能非易失性存储解决方案，适用于各类需要快速读取、代码执行与数据存储的嵌入式系统。各主要参数范围如下，存储容量：1Mb~1Gb，工作电压：1.05V～3.6V，工作温度：-40℃～+125℃，时钟频率：70MHz~133MHz，擦写次数：100k次。该系列Flash具备高读取速度、丰富的接口模式、宽电压支持与强温度适应性，适合各类对启动速度、数据可靠性及系统集成度有较高要求的嵌入式应用。
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产品型号
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品类
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封装尺寸
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Density
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Max CLK
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Vcc
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Temp
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IO Bus
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ESD
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Cycle
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Retention
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P25D09H-SSH-UR
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Flash
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SOP8(150mil)
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1Mb
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85MHz
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2.3V～3.6V
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-40℃~85℃
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Single/Dual
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2kv
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100k
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20Y
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云镓半导体氮化镓晶体管选型表
选型表 - 云镓半导体 云镓半导体提供氮化镓（GaN）功率器件选型，涵盖氮化镓单管、氮化镓晶体管、低压氮化镓晶体管及低压双向氮化镓晶体管等细分品类。产品电压覆盖40V-700V，其中高压系列650V-700V Rds(on)低至12mΩ-350mΩ，电流能力6A-60A；低压系列40V-100V Rds(on)低至2.5mΩ-7mΩ。封装形式多样，包括DFN 5x6/8x8、TO220F、TO252-3L/4L、TOLL、TOLT、WLCSP及裸片等，适用于消费电子、工业电源、汽车电子及高频高效电源系统。
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产品型号
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品类
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Volt.(V)
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RON,Typ (mΩ)(Tc=25)
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RON,Max (mΩ)(Tc=25C)
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ID (A)(Tc=25C)
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IDpulse(A)(Tc=25C)
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Package
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CG65200DAA
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氮化镓单管
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650
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160
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200
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10
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18
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DFN 8x8
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KENDEIL铝电解电容选型表
选型表 - KENDEIL KENDEIL提供以下技术参数的电解电容选型：额定电压16V-500V，直径22mm-162mm，长度30mm-335mm
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产品型号
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品类
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Capacitance(uF)
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Rated Voltage DC(V)
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Diameter(mm)
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Length(mm)
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Ripple Current(A)
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ESR(mΩ)
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K01016223__M0E060
|
铝电解电容
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22000
|
16
|
35
|
60
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6.6
|
18
|
电子商城
服务市场
拥有中等规模的SMT、DIP以及成品组装产线；支持PCBA及成品OEM/ODM代工组装制造；在嵌入式系统、物联网系统等具备专业性量产制造的项目组织和服务能力。
提交需求>
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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