在设计dcdc电路时，出现辐射干扰和传感干扰时如何解决？

选型表  -  兆讯 兆讯掌握射频无源芯片和SIP芯片的核心工艺与设计技术。拥有业界专业的模型算法，工艺开发，封装测试等方面的专家团队，能批量提供包括基于IPD，LTCC，MEMS，陶瓷混压板材等工艺设计开发的滤波器、功分器、耦合器、3dB电桥、巴伦、双工器、多工器、滤波器组件、射频模块等产品，频率覆盖10M~100GHz。产品尺寸小、集成度高，广泛应用于无线通讯、导航、雷达、无人机等领域。

选型表  -  华联电子 提供华联电子MOS继电器、高压光MOS固态继电器、低阻容MOS继电器选型，负载电压：60V~1500V，连续通态电流：0.02A~2A，导通电阻：0.1Ω~100Ω。

选型表  -  海明微半导体 海明微半导体提供多款碳化硅 MOSFET 选型，电压量程覆盖 650V、700V 、1200V，脉冲漏极电流 IDM 范围 18A 至 309A，漏源导通电阻 RDS 为 16m~260mR ，最大功率范围 47W 至833W。该系列 SiC MOSFET 具有高击穿电压、高抗干扰能力、高可靠性、低反向漏电流、低米勒电容、低优值因子（QGD*RDS）以及高温下更低导通电阻等优势。顶部散热产品具有卓越的散热能力较小的占板面积，适用于新能源汽车电源、工业变频、充电桩、光伏逆变器、储能、UPS等领域、服务器电源、射频电源、电能质量改善设备、电焊机、车载空调系统等领域。

选型表  -  高特 高特提供肖特基二极管、肖特基桥、标准整流二极管、标准整流桥、快速恢复整流二极管、快速恢复整流器桥、高效整流二极管、超快恢复整流二极管选型。肖特基二极管，金属硅结，多数载流子导电，适用于表面安装应用，低功率损耗，高效率，高正向浪涌电流能力，适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。

选型表  -  灿阳科技 该选型表提供灿阳科技瞬态电压抑制二极管&低电容TVS产品选型，涵盖SMA、SMB、SMC以及DO形态多种封装，PPK (W)范围：400~100000。EIC 提供极其广泛的分立产品选择，拥有 10,000 多个部件号和 40 多种封装类型。所有产品的制造都严格注重高质量和可靠性。

选型表  -  海明微半导体 海明微半导体提供多款 RD整流管（快恢复二极管/整流二极管）系列产品，电压量程覆盖 1000V、1200V、1600V，正向电流 IF 范围 10A 至 30A，正向压降 VF 为 1.02V 至 1.2V（依型号不同），最大功率范围 227W 至 483W（2H20100A6A 无功率数据）。该系列 RD 整流管具有低正向导通压降、高耐压特性，适用于光伏逆变器、储能、不间断电源、伺服驱动、风机驱动、白色家电、变频器、机器人、PFC等领域。

选型表  -  macrocore semiconductor macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的碳化硅肖特基二极管选型:涵盖650V、1200V、1700V耐压范围，正向电流从1A至80A，工作温度范围-55℃至175℃，所有型号均通过工业级认证。具备低正向压降（1.2V至1.48V）和高浪涌电流能力（最高570A），产品封装包括TO-220、TO-247、TO-252、SOD123、DFN等，满足不同功率密度需求，支持多种封装形式，包括隔离封装、全包封装及表面贴装。产品线交期为3个月，最小起订量灵活，支持大规模量产。

选型表  -  库顿 提供库顿高质量和多应用适配功率器件，负载电压50~1200V,使用直接焊接铝板的可靠散热、大余量、高阻燃等级的耐热塑料设计，严格按UL，TUV，3C，CE等国内外安全标准设计并通过测试，通过严苛的功率循环试验，生产自动化控制，及生产过程100%的老化测试控制，确保产品在严酷场合应用的高可靠性，产品拥有完整的安规认证

选型表  -  海明微半导体 海明微半导体提供多款系列型号的碳化硅肖特基二极管 (SiC Schottky Diode) 选型，额定电压 VRM 为 650V~1200V，正向电流 IF 为 2A~80A，正向压降 VF 为 1.28V~1.49V， 低电容电荷 Qc为11nC~274nC，反向漏电流 IR为1A~100A，高浪涌电流 IFSM为24A~600A。此类碳化硅肖特基二极管凭借宽禁带材料特性，可实现极快开关速度与低开关损耗，主要应用于电源PFC、充电桩、光伏逆变器、微型逆变器、数据中心服务器电源、新能源汽车、储能、UPS、工业变频、LED电源等。