在使用SiC组成的逆变电源中，测试发现运行过程中SiC的DS之间电压尖峰很高，请问有什么方案可以吸收尖峰电压？
创建于2016-03-31
1个回答
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- zyliuliu_世强 (0)
在SiC MOSFET运行在开关状态时，由于MOSFET的源极与滤波电容之间的铜排存在杂散电感，该电感会在MOSFET关断时产生尖峰电压，此时需要在MOSFET两端并联WIMA吸收电容，以有效吸收尖峰电压。电容值按照公式：C≥L*I*I/dU*dU选取，其中L代表连接铜排的杂散电感，I代表流过MOSFET源极最大电流，dU代表母线纹波电压值。
- 创建于2016-03-31
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