• 在使用SiC组成的逆变电源中,测试发现运行过程中SiC的DS之间电压尖峰很高,请问有什么方案可以吸收尖峰电压?

  • 创建于2016-03-31

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  • 世强技术 (0)

    在SiC MOSFET运行在开关状态时,由于MOSFET的源极与滤波电容之间的铜排存在杂散电感,该电感会在MOSFET关断时产生尖峰电压,此时需要在MOSFET两端并联WIMA吸收电容,以有效吸收尖峰电压。电容值按照公式:C≥L*I*I/dU*dU选取,其中L代表连接铜排的杂散电感,I代表流过MOSFET源极最大电流,dU代表母线纹波电压值。

    创建于2016-03-31

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