• 应用在高压继电保护项目中,系统采用DDR3存储器,容量需求达到8GB,运行速度为800MHZ,封装为FBGA,是否有合适的DDR3?

  • 创建于2015-10-28

    FBGA,存储器,继电器,AS4C256M32D3-12BIN

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AS4C;AS4C2M32SA系列

2M x 32 3.3V 166MHz 86pin TSOP II SRAM

86pin TSOP II

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SRAM

AS4C;AS4C4M16SA系列

4M x 16 3.3V 166MHz 54ball FBGA SRAM

54ball FBGA

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DRAM

AS4C64M16D2A系列

64M x 16 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM)

FBGA

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SRAM

AS4C;AS4C64M16D2A系列

1G - A DIE 64M x 16 1.8V 400MHz 800Mbps/pin 84ball FBGA SRAM

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32 bit Synchronous DRAM;SDRAM

AS4C2M32S系列

2M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM)

TFBGA

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世强先进(深圳)科技股份有限公司

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世强先进(深圳)科技股份有限公司

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SRAM

AS4C;AS4C8M16SA系列

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AS4C128M16D3LA-12BIN

Alliance

新款产品中尽量不要使用该元件

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AS4C;AS4C128M16D3LA系列

128M x 16 1.35V 800MHz DDR3-1600bps/pin Industrial (-40 ~ 95°C) 96-ball FBGA

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AS4C;AS4C128M16D3LA系列

128M x 16 1.35V 800MHz DDR3-1600bps/pin Commercial (Extended) (0 ~ 95°C) 96-ball FBGA

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