应用在继电保护项目中，系统需要DDR3存储器，要求器容量需求达到2G，运行速度为800MHz，封装为FBGA，是否有合适的DDR3？
创建于2015-09-17
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- _世强 (0)
推荐DDR3存储器AS4C256M8D3L-12BIN，其容量达到2G，运行速度为800MHz，封装为78-ball FBGA，满足设计要求。
- 创建于2015-09-17
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| 型号 | 描述 | 价格（含增值税） | |
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256Mx8 1.8V400MHz 84ball FBGA 原厂认证 世强代理 |
现货50 价格¥ 53.1838 |
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2Gbit 256M x 8 1.5V 800MHz DDR3-1600bps/pin 原厂认证 世强代理 |
现货50 价格¥ 57.1528 |
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Synchronous DRAM 原厂认证 世强代理 |
现货30 价格¥ 51.5963 |
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DDR3-1600bps/pin Industrial (-40 ~ 95°C) 供货保障 原厂认证 世强代理 |
现货30 价格¥ 49.2149 |
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256M x 8 1.35V 800MHz DDR3-1600bps/pin Automotive(-40°C~105°C) 78-ball FBGA 供货保障 原厂认证 世强代理 |
现货30 价格¥ 52.3901 |
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Synchronous DRAM 原厂认证 世强代理 |
现货8 价格¥ 45.2460 |
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256M x 8 1.5V 800MHz DDR3-1600bps/pin Automotive(-40°C~105°C) 78-ball FBGA 原厂认证 世强代理 |
现货0 价格¥ 62.7093 |
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