如何为手机SIM卡接口ESD防护选择一款合适的过压保护器件？
因手机SIM卡接口裸露在最外面，为避免SIM卡接口因带电插拔或人体静电导致相关敏感电子器件被静电打死，一般需要在手机SIM接口与芯片间的信号线加入ESD防护元件做保护，而SIM卡通信的信号线有5路，分别为I/O、Clock、Reset、VCC、GND等，故，可以采用一款小型化5路TVS阵列实现ESD防护，此TVS阵列选型参数考量如下：
1、 电压考量：SIM卡VCC供电电压一般有3.3V和5V两种，故选择一款最高耐压6V的TVS阵列即可；
2、 抗ESD考量：通过IEC-61000-4-2最低±8kV直接接触放电和空气放电测试标准；
3、 抗雷击浪涌测试，通过IEC-61000-4-5,4.5A（8/20μs）测试认证；
4、 更宽的工作温度范围；
5、 小尺寸表面封装。
针对如上设计考量，推荐一款LITTELFUSE（力特）推出的超低电容型四通道TVS阵列SP3002-04UTG，内部采用轨到轨二极管与附加的齐纳二极管组合在一起的封装形式，其实物图、内部功能框图和pin脚定义参考如下图1所示，其中IO1~IO4可以只用3路去做I/O、Clock、Reset线路ESD防护，而VCC连接VCC pin即可，GND连接GND即可。
图1：SP3002-04UTG TVS阵列实物图、内部功能框图和pin脚定义
SP3002-04UTG TVS阵列，最大反向工作电压VRWM为6V，最大反向漏电流ILEAK为0.5μA，最大钳位电压13V，IEC61000-4-2（Contact）ESD耐受电压最低为±12kV，IEC61000-4-2（Air）ESD耐受电压最低为±15kV，每次输入/输出的电容为二极管结电容典型值仅为0.85pF，具体电性参数参考如下图2所示。
图2：SP3002-04UTG四通道TVS阵列典型电性参数
SP3002-04UTG TVS阵列具有出色的抗雷击浪涌保护能力，可承受峰值浪涌电流Ipp达4.5A，通过IEC61000-4-5，第二版4.5A（8/20μs）测试认证，工作温度范围-40℃~125℃，存储温度-55℃~150℃，绝对最大额定电性参数参考如下图3所示。
图3：SP3002-04UTG TVS阵列绝对最大额定电性参数
SP3002-04UTG TVS阵列采用小型化μDFN-6封装，封装尺寸长x宽x厚=1.6mm x1.6mm x 0.5mm，可节省板面空间，具体尺寸图参考如下图4所示。
图4：SP3002-04UTG TVS阵列封装尺寸图
最后，总结下Littelfuse（力特）SP3002-04UTG TVS阵列器件竞争优势：
1、 低电容：每次输入/输出的典型结电容低至0.85pF；
2、 通过IEC-61000-4-2最低±12kV直接接触放电和±15kV空气放电测试标准
3、 电压5V时的（最大）低泄漏电流低至0.5μA
4、 小型封装可节省面板空间
5、 世强常备库存，供货交期均具有竞争优势
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|
产品型号
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品类
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AEC-Q101 Qualified
|
Standoff Voltage (V)
|
ILeak (μA)
|
ESD Contact (kV)
|
ESD Air (kV)
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Lightning Immunity (8x20μs) (A)
|
Clamp Voltage
|
CI/OTYP (pF)
|
Polarity
|
Channels
|
MIN VBR@IT (V)
|
Package
|
|
AQ1003-01ETG
|
TVS Diode Arrays
|
AEC-Q101
|
5
|
0.1
|
±30
|
±30
|
7
|
11.4V@6A/12V@7A
|
30
|
Unidirectional
|
1
|
6
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SOD882
|
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