【应用】绝缘电压达5KV IGBT驱动光耦,可完美替代同类驱动光耦

2018-03-08 世强

目前在工业领域中大量运用到光耦驱动芯片来驱动IGBTRenesas推出的不带保护的驱动芯片PS9031,能够完美的替换目前市场上的同类型驱动光耦。相比其他光耦,PS9031的优势主要如下:


1.驱动输出电流上能达到2.5A,相对于小功率的驱动,可以在不加推挽的情况可以直接驱动IGBT,降低设计成本;

2.副边侧供电电压为15-30V,可以兼容市场其他的驱动芯片,可以实现pin to pin替换;

3.共模抑制比CMTI达50KV/us,相对于其他驱动芯片只有35KV/us,PS9031具有更好的抗干扰性;

4.工作温度可达-40℃-125℃,满足宽的工作温度范围;

5.信号传输延时时间为175ns,信号能迅速进行传递,控制效果更好;

6.绝缘电压达5KV,保证芯片的绝缘可靠性要求;

7.最大工作绝缘有效电压可以到1130V,满足副边工作绝缘电压的要求;


图1为PS9031的结构图,属于SOP封装,兼容市场SO-6封装的驱动光耦芯片。

 

图1:PS9031结构图


该芯片满足UL,CSA,VDE等安全标准,在可靠性上有保证;该驱动芯片在使用时注意如下:


1.本产品采用高速集成电路设计,抗静电能力弱,设计时需考虑到防静电;


2.布板设计时参考如下


(1)在器件附近的VCC和GND之间使用大于1.0μF的旁路电容。另外,确保距离:光电耦合器和电容器的引线之间的距离不超过10毫米。

(2)在设计印制线路板时,确保IGBT集电极/发射极的图形不要太大,靠近光电耦合器的输入块图案。如果模式太靠近输入模块并发生耦合,则电压突然波动,IGBT输出端可能会影响光电耦合器的LED输入,导致故障或退化特点。


3.确保正向电流的上升/下降时间小于或等于0.5μs。


4.为了避免故障发生,确保电源电压的上升/下降斜率为3 V /s或更低。


5.避免在高温和高湿度下储存。


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