【产品】达林顿互补硅功率晶体管CZTA14、CZTA64,专为需要极高增益应用

2018-11-09 CENTRAL

Central Semiconductor (美国中央半导体公司)推出了两款由外延平面工艺制造的达林顿互补硅功率晶体管 —— CZTA14CZTA64。它们采用表面贴装的环氧树脂SOT-223封装,实物如图1所示,专为需要极高增益的应用而设计。该晶体管热阻最大额定值为62.5°C / W,工作和存储结温范围为-65℃至150℃,可以承受极端环境温度并能够正常运行,从而可以保证晶体管具有高可靠性。

图1:CZTA14和CZTA64达林顿互补硅功率晶体管外观图


CZTA14和CZTA64达林顿互补硅功率晶体管在高增益电路中具有优异表现,适合在需要高增益的电路中使用。当该晶体管集电极 - 基极电压VCB=30V时,集电极-基极电流ICBO最大值为100nA;当发射极 - 基极电压VEB=10V时,发射极 - 基极电流IEBO最大值为100nA,通过电流较小,可以保证低发热和低能耗,提高产品的可靠性和节能性。当连续集电极电流IC=100mA, 连续基极电流IB=0.1mA时,VCE(SAT)最大值为1.5V;当集电极 - 发射极电压VCE=5.0V,连续集电极电流 IC=100mA 时,VBE(ON) 最大值为2.0V。当集电极 - 发射极电压VCE=5.0V, 连续集电极电流 IC=10mA, f=100MHz 时,fT为125MHz。该系列晶体管最大功耗为2W,能够满足大多用户对电路的功耗需求。

 

CZTA14和CZTA64达林顿互补硅功率晶体管最大额定值

· 集电极 - 基极电压VCBO: 30 V

· 集电极 - 发射极电压VCEO :30 V

· 发射极 - 基极电压VEBO :10 V

· 连续集电极电流IC :500 mA

· 功耗PD  :2.0 W

· 工作和存储结温TJ,Tstg :-65℃至+ 150°C

· 热阻ΘJA :62.5°C / W

 

CZTA14和CZTA64达林顿互补硅功率晶体管应用场景

· 需要极高增益的应用

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  • Votangroom Lv3 . 高级工程师 2018-11-09
    好东西,谢谢分享
  • 床上的你好美 Lv3 . 高级工程师 2018-11-09
    学习,签到
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