【产品】达林顿互补硅功率晶体管CZTA14、CZTA64，专为需要极高增益应用
Central Semiconductor （美国中央半导体公司）推出了两款由外延平面工艺制造的达林顿互补硅功率晶体管 —— CZTA14和CZTA64。它们采用表面贴装的环氧树脂SOT-223封装，实物如图1所示，专为需要极高增益的应用而设计。该晶体管热阻最大额定值为62.5°C / W，工作和存储结温范围为-65℃至150℃，可以承受极端环境温度并能够正常运行，从而可以保证晶体管具有高可靠性。
图1：CZTA14和CZTA64达林顿互补硅功率晶体管外观图
CZTA14和CZTA64达林顿互补硅功率晶体管在高增益电路中具有优异表现，适合在需要高增益的电路中使用。当该晶体管集电极 - 基极电压VCB=30V时，集电极-基极电流ICBO最大值为100nA；当发射极 - 基极电压VEB=10V时，发射极 - 基极电流IEBO最大值为100nA，通过电流较小，可以保证低发热和低能耗，提高产品的可靠性和节能性。当连续集电极电流IC=100mA, 连续基极电流IB=0.1mA时，VCE(SAT)最大值为1.5V；当集电极 - 发射极电压VCE=5.0V,连续集电极电流 IC=100mA 时，VBE(ON) 最大值为2.0V。当集电极 - 发射极电压VCE=5.0V, 连续集电极电流 IC=10mA, f=100MHz 时，fT为125MHz。该系列晶体管最大功耗为2W，能够满足大多用户对电路的功耗需求。
CZTA14和CZTA64达林顿互补硅功率晶体管最大额定值
· 集电极 - 基极电压VCBO： 30 V
· 集电极 - 发射极电压VCEO ：30 V
· 发射极 - 基极电压VEBO ：10 V
· 连续集电极电流IC ：500 mA
· 功耗PD ：2.0 W
· 工作和存储结温TJ，Tstg ：-65℃至+ 150°C
· 热阻ΘJA ：62.5°C / W
CZTA14和CZTA64达林顿互补硅功率晶体管应用场景
· 需要极高增益的应用
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