【产品】Wolfspeed® SiC MOSFET,较Si IGBTs和超结MOSFET具有更低的导通/关断切换损耗

2019-07-12 Wolfspeed

提高电源电子逆变系统中功率密度边界的3个关键因素:增大切换频率、提高效率、优化热管理。WOLFSPEED® SiC MOSFET为高速、多数载流子器件,它较Si IGBTs和超结MOSFET具有更低的导通/关断切换损耗。对于硬切换逆变器/变换器,这一优势可使得设计人员在相同切换频率的情况下能够获得更高的效率,或者在相同净损耗的情况下能够实现更好的切换频率。由于与Si同类产品相比,其阻断电压较高,导通电阻较低,以及导热性较好,从而使得采用SiC  MOSFET的电源变换器具有更高的功率密度。


对于高性能器件,若无高的可靠性,即使系统成本降低也没有任何意义。Wolfspeed公司的MOSFET产品始于稳健的设计,而其设计则是建立在一个成熟和可靠的SiC技术平台之上。所有的MOSFET均具有额定“雪崩”,且抗闩锁。上述结果明显表明:Wolfspeed公司处于行业领先,且拥有最广泛的市售合格的SiC MOSFET产品组合。


Wolfspeed® SiC MOSF的特征:

· 坚固、可靠,具有5年以上的市售SiC MOSFET的生产经验

· 低电容,高速切换

· 低RDS(ON),高阻断电压

· 具有低反向的快恢复二极管


Wolfspeed® SiC MOSF的优势:

· 在降低尺寸、重量和成本的同时,提高系统的可靠性

· 实现更高的系统效率

· 减少散热要求

· 实施新的拓扑结构(而这些对于以前是不可能实现的)


1200V IGBT vs. SIC MOSFETs

(1)


(2)更低的切换损耗

Wolfspeed公司革命性的SiC技术使得开关损耗降低。

竞争器件:1,200V  IGBT  80A@Tc=25℃

Wolfspeed®器件:C2M0025120D  90A@Tc=25℃


(3)更低的传导损耗

在大多数应用中正常工作点处,IGBT曲线更类似于PIN二极管,而MOSFET才表现更像一个“真正”的电阻。这样,可使得在实际应用中传导损耗降低。

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