【IC】 EPC GaN FET配以ADI控制器可实现具有最高功率密度的稳压DC/DC转换器，使氮化镓场效应晶体管效率达96.5%
宜普电源转换公司(EPC)和Analog Devices(ADI)公司携手新推的参考设计采用经过全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管，可实现超过96.5%的效率。
宜普电源转换公司(EPC)宣布新推EPC9158，这是一款工作在500 kHz开关频率的双输出同步降压转换器参考设计，可将48 V~54 V的输入电压转换为12 V稳压输出，可提供高达每相25 A电流或50 A总连续电流。ADI的新型LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效GaN FET相结合，可为高功率密度应用提供占板面积小且非常高效的解决方案。该解决方案在48 V/12 V 、50 A连续电流下可实现 96.5%的效率。
高功率密度使该解决方案成为需要小尺寸和高效率的计算、工业、消费和电信电源系统的理想选择。eGaN® FET开关快、效率高和尺寸小，可满足这些前沿应用对高功率密度的严格要求。
EPC9158参考设计采用100 V的增强型氮化镓场效应晶体管(EPC2218) 和LTC7890两相模拟降压控制器，并带有集成式氮化镓驱动器。
LTC7890 是一款100 V、具有低 Iq、双路、两相的同步降压控制器，它经过全面优化，可驱动 EPC的GaN FET，并集成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，以及可编程开关频率可高达3 MHz。 5 uA 的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅限CH1）可实现非常低的待机功耗和卓越的轻负载效率。
EPC2218是一款100 V 的GaN FET，具有 3.2 mOhm 最大导通电阻、10.5 nC QG、1.5 nC QGD、46 nC QOSS 和没有反向恢复（QRR），占位面积超小，只有3.5 mm x 1.95 mm，可提供高达60 A的连续电流和231 A的峰值电流。优越的动态参数可以在500 kHz开关频率下，实现非常小的开关损耗。
EPC9158的效率在12 V输出和48 V输入时超过96.5%。除了轻载工作模式和可调死区时间外，该板还提供欠压锁定、过流保护和power good输出。
宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow 说:“GaN FET能够实现具有最高功率密度的DC/DC转换器。我们很高兴与ADI公司合作，将其先进控制器与EPC的高性能氮化镓器件相结合，可以为客户提供具有最高功率密度和采用少量元件的解决方案，从而提高效率、增加功率密度和降低系统成本。”
ADI公司高级产品营销经理Tae Han 说:“ADI公司的LTC7890可充分发挥EPC eGaN FET的高性能优势，用于高功率密度解决方案。LTC7890可实现更高的开关频率和经过优化的死区时间，与市场上现有的解决方案相比，性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器，客户可以发挥氮化镓器件的高速开关优势，从而实现最高的功率密度。"
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