【元件】 英诺赛科2款FCQFN 150V Single GaN打入工业应用市场，具备高频高效、低导阻等优越特性
氮化镓凭借高频、高效、高功率和耐高压等特性，被称作是第三代半导体的明星材料。如今，随着氮化镓技术及供应链方面的不断成熟，成本呈现下降趋势，氮化镓在低功率消费电子领域的应用逐渐进入红海市场。同时，得益于高工作频率、高转化效率、低导通阻抗等优越特性，氮化镓在大功率高频应用中有着广阔的应用前景，目前正朝着中大功率储能、微型逆变器、通讯基站、数据中心等领域拓展。
为了推进氮化镓在高频市场中的应用，英诺赛科基于150V电压平台推出了INN150FQ032A和INN150FQ070A两款中低压GaN，该平台产品满足工业级可靠性要求，主要应用于太阳能系统优化器和微型逆变器，PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等。
首款产品INN150FQ032A采用FCQFN 4mmx6mm封装，体积小巧，且开关损耗低，具有良好的效率表现，目前已成功量产。基于150V电压平台技术，英诺赛科近日再次强势推出150V/7mΩ器件INN150FQ070A，采用FCQFN 4mmX6mm Pin to pin兼容引脚设计，已通过小批量试产，客户可基于不同应用需求进行规格选型。
INN150FQ032A & INN150FQ070A
产品特性
●工业级应用
●超低的栅极电荷
●超低导通电阻
●小体积，FCQFN封装4mmx6mm
应用领域
●高频DC-DC转换器
●太阳能系统优化器和微型逆变器
●PD充电器和PSU同步整流
●通信电源
●电机驱动
INN150FQ032A和INN150FQ070A延续了InnoGaN导通电阻低、开关速度快、无反向恢复等诸多特性，在太阳能系统优化器和微型逆变器，PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等应用中，更能充分地体现其高频高效、低导阻等优越特性。
INN150FQ032A规格书首页
INN150FQ070A规格书首页
英诺赛科150V Single GaN系列推出的两款不同导通电阻FCQFN封装芯片，不仅为客户设计选型提供更多参考，且有力推进了氮化镓在工业领域的应用。
基于大规模8英寸硅基氮化镓技术的研发、制造与迭代，英诺赛科的产品质量和成本优势均已在行业中得到体现。消费电子是氮化镓规模化应用的第一站，工业领域虽然渗透较低，但其需求也在逐步攀升，英诺赛科期待与合作伙伴共同推进更多领域的应用，构建氮化镓生态。
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