【产品】瑞萨推出新款100V半桥MOSFET驱动器HIP2211、HIP2210,超强抗噪性、超低传输延迟及高系统效率

2020-06-29 Renesas

2020 年 6 月 29 日- 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211HIP2210。HIP2211 半桥MOSFET驱动器是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品;新款HIP2210提供三电平PWM输入,以简化电源和电机驱动器设计。HIP2211和HIP2210非常适用于48V通讯电源、D类音频放大器、太阳能逆变器和UPS逆变器。该产品坚固耐用,可为锂离子电池供电的家用和户外产品、水泵及冷却风扇中的48V电机驱动器供电。

HIP221x驱动器专为严苛工作条件下的可靠运行而设计,其高速、高压HS引脚可承受高达-10V的持续电压,并以50V/ns速度转换。全面的欠压保护与HIP2210的可编程防击穿保护协同工作,以确保其驱动的MOSFET不会因电源或其它外部故障而损坏。瑞萨HIP221x驱动器具有强大的3A驱动拉电流和4A驱动灌电流,以及极快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,是高频开关应用的最佳解决方案。HIP2210和HIP2211两款产品均旨在搭配瑞萨先进的DC/DC及无刷电机驱动系统中的微控制器而设计。


瑞萨电子工业与通信事业部副总裁Philip Chesley表示:“创新的HIP221x延续了我们在Harris智能电源(HIP)半桥驱动器研发领域25年行业领先的辉煌历史。强大且稳健的抗噪性、超低传输延迟及高系统效率是我们的客户对整个HIP半桥MOSFET驱动器系列所依赖的关键特性。”


HIP2211和HIP2210 半桥MOSFET驱动器的关键特性:

· 15VDC自举电源最大电压(最大绝对值为120V HS)可支持100V半桥架构

· 宽VDD电压,工作范围为6V至18V(最大绝对值为20V)

· HS引脚可承受高达-10V的电压和50V/ns电压转换速率

· 集成0.5Ω典型自举二极管,无需使用外部分立二极管

· VDD和引导UVLO防止低栅极电压驱动NFET

· 通过RDT引脚(仅适用于HIP2210)的可调死区时间延迟可防止击穿,单电阻可调范围为35ns至350ns

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  • maomao Lv8. 研究员 2020-07-01
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  • 薛雨 Lv7. 资深专家 2020-06-30
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