QSPI速率最高达480Mbit/s闪存,涵盖DDR、FLASH、EERPOM、企业级SSD等


世强先进汇聚SMART、ATP Electronics、聚辰半导体、大普微电子、泽石科技、澜智等知名厂商,带来高可靠闪存产品,包括企业级SSD、DDR、FLASH、EERPOM等,其中聚辰半导体FLASH的QSPI速率最高可达480Mbit/s,各类产品满足车规级存储、服务器领域、消费电子等各应用传输性能和容量的不同需求。
品牌及产品介绍
全球专业存储芯片及存储解决方案的领导者——SMART(世迈科技)
SSD:产品规格2.5”/mSATA/M.2,支持-40~85℃宽温, 支持p Fail断电导护Security TCG-OPAL/AES 256/Military Security/HW Erase;应用于服务器,工业,监控,航空等行业
DRAM:产品规格DDR3/DDR4 with ECC Registered ;支持-40~85℃宽温;包含SODIMM/RDIMM/VLP RDIMM/UDIMM/MIP等产品系列;DRAM Speed Rate:2666/2933/3200
DRAM DDR5:产品规格SODIMM/RDIMM/UDIMM;4.8 to 6.4Gbps data rate,IO Voltage 1.1V,Density 8GB~64GB
【选型】SMART(世迈科技)DuraFlash™闪存产品选型指南
超过30 年专注于工业级内存和嵌入式存储领域的研发——ATP Electronics(华腾国际)
凭借着高可靠性的优势在工业场景中广泛应用,常规温度下,可靠性指标MTBF(Mean Time Between Failure)超过2000000小时, A750Pi、A650Si/Sc系列SATA SSD内置3D TLC闪存颗粒, 同样以TLC为存储介质的情况下TBW 比常规SSD高66%,以pSLC为介质则高出50%。
【选型】 ATP(华腾国际)DRAM存储模块和NAND 闪存产品选型指南
全球领先的非易失性存储芯片厂商——聚辰半导体(Giantec)
EEPROM:国内出货量TOP1,全球出货量TOP3,2kb~1Mb全系列全封装皆可提供工规(85℃)、车规(105℃、125℃)级产品。
Nor Flash:32Mb容量以下车规品均已量产。QSPI速率最高达480Mbit/s。基于独具特色的NORD工艺平台开发了具有自主知识产权的NOR Flash产品,相较于市场同类产品,具有更可靠的性能和更强的温度适应能力,耐擦写次数提升到20万次以上,数据保持时间超过50年,适应的温度范围达-40℃~125℃,ESD可达6.5KV,并在功耗、数据传输速度、LU等其他关键性能指标方面达到国际前沿水平,极具市场竞争优势。广泛应用于中控、仪表盘、ADAS、HUD、三电等汽车市场。
【选型】聚辰半导体(Giantec)汽车级EEPROM存储器选型指南
国内领先的存储领域Fabless供应商——澜智(ZETTA)
澜智集成电路(ZETTA)是一家致力于通用类 IC 芯片工艺开发、芯片设计、应用和销售的无晶圆厂设计公司。闪存和内存芯片累计出货量超过20亿颗。现已建成芯片成品测试与应用分析中心,完成自研存储器芯片测试系统V1.0。其中NOR Flash、NAND Flash等产品已通过 ISO9001等管理体系的认证。
NOR Flash:容量可达2Mb~1Gb,SPI接口,可擦写次数达10万次
EEPROM:容量可达2Kb~1Mb,可擦写次数达300万次
NAND Flash:容量可达1Gb~8Gb,支持内嵌的4bits/256bytes的ECC处理,支持标准SPI口以及SLC,可擦写次数达10万次
【选型】澜智(ZETTA)闪存、DDR3(L)和电源管理芯片选型指南
领先的企业级固态硬盘及控制器芯片制造商——大普微电子(DapuStor)
Haishen3-XL系列企业级SSD:采用业界最新XL-Flash介质,具备20μs极低读延时,以及830K/350K超高IOPS性能,采用特殊优化的SLC级别Fast NAND,具备高达30DWPD耐久性
嵘神5企业级NVMe SSD:3.2—15.36TB容量选择,带宽高达7500/6100MB/s,IOPS(SS):1800/550K,随机读延时<65μs,随机写延时<10μs
【选型】大普微电子(DapuStor)Haishen3/Haishen3-XL系列企业级固态硬盘SSD选型表
拥有可以1秒内立即将系统还原的开发专有技术CoreSnapshot,同时具备双向安全验证/CloudPro、CoreDestroyer销毁技术。Apacer独家CoreLife技术,提升SSD耐用度与使用寿命。支持端对端数据保护以及多重供电,具备完善的电源稳定与数据安全防护技术,减轻客户的维保成本。
DDR4笔记本电竞内存,XR-DIMM/LRDIMM/:拥有通过航天RTCA DO-160G与军规MIL-STD-883K抗震防蚀双认证。
ARM架构32Bits专用内存:DDR4/DDR3笔记本内存,位宽32位/涂层保护,底部填充/抗硫化(Apacer专利)
中科院微电子所孵化的高科技存储公司,基于信创环境的SSD数据存储全产业链研制厂商——泽石科技
IS5X系列:国内首款同时具备宽温支持(-40~85℃工作温度), 配置最大4TB容量 , 全国产核心元器件的工业级SATA-III SSD,支持稳定读写和掉电保护,可满足不同工业级用户不同应用场景需求。甄选长江存储3D NAND闪存,采用SATA-III接口规范,搭载DDR3L外置缓存,并结合泽石自研固件,提供每秒达550/450MB的优异效能和低功耗运作, 支持240GB,480GB,960GB,1920GB,3840GB多种容量规格,并提供2.5"、M.2和mSATA等多种外观接口供选择。
【选型】泽石(ZETTASTONE)SSD(固态存储硬盘)选型表
获韩国中小企业和创业部的“韩国小巨人公司”认证,全球领先的非商品存储提供商——NETSOL
MRAM:Serial (S3Axxxx) 、Parallel (S3Rxxxx)
以52MB/秒的速度读取和写入,QuadI/O使用双用途引脚来保持低引脚数,在标准、单SPI模式和高速四SPI模式下运行,具有四路地址输入和四路I/O的快速四路读写,支持四外设接口(QPI)模式以增强原位执行(XIP)操作的系统性能;
断电时自动数据保护,具备双3.3vVDD/1.8vVDDQ电源,MSL级别3;篡改检测功能将检测来自外部磁场的可能的数据修改;可用于下一代RAID控制器、服务器系统日志、存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序存储器。
国内少有设计研发、生产制造和自营销售为一体的IDM国产品牌,致力于助力中国芯——英锐芯(IDCHIP)
EEPROM:串行电可擦除编程只读存储器AD24C02,存储器可存储256个字节数据;具有低功耗CMOS技术,自定时编程周期最大5ms;擦写次数可达100万次,保存时间100年;接口方便,体积小,数据掉电不丢失,在仪器仪表及工业自动化控制中得到广泛的应用。
集半导体器件研发、封装、测试为一体的国家高新企业——华冠半导体(HGSEMi)
存储IC:产品有EEPROM IC和FLASH IC。工作电压涵盖1.7~5.5V,频率:1~108MHz。存储容量1K~128Mb。支持传统的SPI单位串行输入和输出(单I/O或SIO),以及可选的两位(双I/O或DIO)和四位(四I/O或QIO)串行协议。
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