活动EPC全新集成驱动GaN IC,频率超100 MHz,脉宽<2 ns

2021-03-29 世强
激光驱动器IC,GaN FET,GaN IC,EPC21601

EPC宣布推出首个激光驱动器IC EPC21601,在单个芯片上集成了40 V、10 A的场效应晶体管、栅极驱动器和3.3 V逻辑电平输入,面向飞行时间(ToF)激光雷达系统,用于机器人、监控保安系统、无人机、全自动驾驶汽车和吸尘器。外形小巧且集成了多个功能,比分立器件的解决方案占板面积小36%。


EPC21601激光驱动器IC系列中首个产品,采用芯片级封装(CSP)。集成多个器件于单个芯片上的好处是易于设计、布局和组装,并且节省占板面积、提高效率和降低成本。该系列的产品将推动在更广泛的最终用户应用中,采用ToF技术的激光雷达解决方案能够更快被采纳和得以普及。


EPC9154开发板采用EPC21601 eToF™激光驱动器IC,主要用于驱动具有窄且大电流脉冲的激光二极管。其优势包括小于2 ns的最小脉宽、10 A峰值电流和30 V总线额定电压。

EPC21601产品特点:

· Vlaser额定值可高达30V

· 峰值电流:10A· 开关频率可高于100MHz

· 电压切换时间小于500ps

· 标称逻辑电源:5V

· 兼容3.3V逻辑输入控制

· 最小输入脉冲宽度:2ns

· 输入到输出延迟时间:2.9ns


除了上述新产品,EPC还有更多的GaN FET,其中包含100V的车规级GaN产品,如EPC2212EPC2051EPC2214EPC2203等系列。其GaN FET产品特点如下:

● 电压等级15V~350V,晶圆级芯片封装,业界尺寸最小0.9x.0.9mm。

● 超低的导通电阻(RDS(ON)),低Qg和零反向恢复损耗,低电感,实现低功耗高效率。

● 可高达G级频率,纳秒级开关速度。

● 工作温度 -40℃~150℃,部分器件通过AEC-Q101认证。


EPC首席执行官兼共同创始人Alex Lidow表示:“我们的氮化镓集成电路技术的最新进展有望改变飞行时间激光雷达系统的设计方法。在单个芯片上集成氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)和驱动器,可产生功能强大、速度超快的IC,并且缩小系统的尺寸和降低成本,从而在消费类应用中得以普及。全新的氮化镓集成电路系列将显着提升性能,同时缩小飞行时间激光雷达系统的尺寸和降低成本。”

活动资料            


【选型】EPC(宜普)硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南

【数据手册】EPC21601–40V、10A ETOF™激光驱动器IC


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活动时间:2021年3月30日-4月29日

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