100V导通电阻1.8mΩ，百兆频率，主流GaN FET及IC盘点

时间： 2022-12-01 来源：世强

GaN器件高工作频率，低阈值电压等优势更适合高频率、小体积、导通电阻低的领域。EPC带来在100V耐压下导通电阻低至1.8mΩ的氮化镓场效应晶体管，和频率超100MHz的集成驱动IC。以及英诺赛科、聚能创芯、派恩杰等耐压可高达650V的氮化镓器件，满足消费类电子、5G 通信、汽车、照明、雷达和卫星等领域的应用。

品牌及产品介绍

低压氮化镓行业国际领先地位——EPC（宜普）

低压GAN FET&IC：电压等级15V～350V，晶圆级芯片封装，小尺寸低导通阻抗，低Qg和零反向恢复损耗，低电感，实现低功耗高效率。纳秒级开关速度，工作温度 -40℃~150℃，部分器件通过AEC-Q101认证。

氮化镓FET EPC2302：100V耐压，Rds（on）低至1.8m Ohm，尺寸可达3mm*5mm, QFN封装，更易焊接。

集成驱动GaN IC EPC21601：在单个芯片上集成了40V、10A的场效应晶体管、栅极驱动器和3.3V逻辑电平输入，频率超100MHz，脉宽＜2ns，输入到输出延迟时间仅2.9ns。

【选型】EPC（宜普）硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南

EPC21601 EPC21601–40 V、15 A、ETOF™激光驱动器IC规格书

世界领先的8英寸硅基氮化镓产业化平台——英诺赛科（Innoscience）

eGAN FET电压涵盖30V~650V，导通电阻低至3.2mOhm，工作频率可达数十M，持续脉冲电流可达70A，有DFN封装产品，利于散热。

英诺赛科致力于第三代半导体硅基氮化镓功率与射频器件的研发与产业化，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力，产品性能达到国际领先水平，具有高性能、低成本、高可靠性等优势。

【选型】英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表

专业高品质氮化镓（GaN）电子器件IDM公司——聚能创芯（Cohenius）

氮化镓功率器件：高、低压氮化镓器件，电压650V，电流7~23A，导阻55~350mΩ，封装PQFN8*8mm、PQFN5*6mm。

氮化镓外延片：6英寸GaN-on-Si，8英寸GaN-on-Si，6英寸GaN-on-SiC，包含HVA650/HVA700等型号，高低温保持低漏电，使用时长在650/700V 25℃条件下突破10^9小时，均通过JEDEC的标准级应用认证。

【数据手册】CGK65R400B 50V增强型氮化镓功率晶体管

【数据手册】CGL65R190B 650V增强型氮化镓功率晶体管

【数据手册】CGK65R190B 650V增强型氮化镓功率晶体管

国内领先的第三代半导体功率器件设计公司——派恩杰（PN Junction）

GaN HEMT：650V氮化镓增强型功率晶体管，可应用于消费型SMPS，基于半桥拓扑的高密度充电器，图腾极PFC、高频LLC和反激。

派恩杰是一家第三代半导体功率器件设计公司，主要产品包含氮化镓三极管，碳化硅MOS，碳化硅SBD等。成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业空白。19年成为JC-70标准委员会成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件的国际标准。

【数据手册】P1H06300D8氮化镓高电子迁移率晶体管650V氮化镓增强型功率晶体管

同时具备氮化镓、碳化硅及砷化镓芯片工艺技术创新解决方案的公司——泰高（Tagore）

GaN电源产品：650V氮化镓FET与驱动电路集成一体，0-20V PWM输入，不需要额外Vcc供电（发明专利），RDSON系列90~360mΩ，传播延时时间<20ns，纳秒级上升/下降沿时间，最大开关频率2MHz，小尺寸QFN封装。

泰高主要从事基于第三代半导体氮化镓基及碳化硅基材料技术的集成电路的研发和销售，并且是世界上第一家同时具备氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）及砷化镓（GaAs）芯片工艺技术创新解决方案的公司。

【数据手册】TP44400SG-360mΩ、650V氮化镓电源场效应管

【数据手册】TP44100SG-90mΩ，650V氮化镓场效应晶体管

国内高性能模拟及数模混合集成电路专业制造商——富满（FM）

FM2842 氮化镓主控芯片：空载功耗低于30mW，最大开关频率可调，最高可达500kHz，频率的提高，可以使得变压器体积相对传统方案体积更小。VCC工作范围宽9~28V，VCC超过28V触发过电压保护。工作结温-40~125℃，应用于AC-DC电源适配器中反激控制器。

【选型】富满电子（FM）电源管理产品选型指南

同步整流IC国内市占率超30%电源制造商——东科半导体

GaN DK0XXG全系列：效率高达94%，25k~250kHz PWM开关频率，待机功耗低于50mW，Vcc电压范围 7.5V~28V，采用QR式反激工作模式，具有专门的谷底检测电路，具有退磁检测电路，抖频功能可改善EMI，内置高低压功率补偿电路，保证在低电压及大功率输出时的电路稳定。

东科半导体专注高频高效绿色电源IC和大功率电源IC的设计、生产、制造和销售，发布了国内首颗合封GaN的电源管理芯片 DKG045Q系列，国内首家掌握氮化镓功率器件与电源管理芯片合封技术。推出的同步整流芯片采用全球首创的独特“两引脚”封装技术。

【数据手册】DK0xxG 高性能氮化镓电源芯片

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