【产品】全波交流控制应用双向可控硅,非重复峰值断态电压最高可达720V
SHINDENGEN(新电元)半导体公司推出的KD3SF60E系列双向可控硅,具有高电压及高敏感度的特性,以及稳定的通态浪涌电流能力。其操作温度范围为-40~150℃,储存温度范围为-55~150℃,较宽的温度范围使得其可以稳定工作在较恶劣的工业温度环境下。KD3SF60E系列双向可控硅尤适用于全波交流控制应用领域。
当TC=25℃(除特殊说明外)时,KD3SF60E系列双向可控硅具有高电压的优势,其重复断态峰值电压和非重复峰值断态电压的最大值分别为600V和720V,可满足高电压使用环境的需求。其栅极触发电压的最大值为1.5V,栅极不触发电压的最小值仅为0.1V,具有高敏感度。另外,其平均栅源功耗的最大值仅为0.5W,具有节能的突出优势。KD3SF60E系列双向可控硅的最大额定参数和电子特性可详见表1、2。
表1 KD3SF60E系列双向可控硅的最大额定参数
| 参数 | 条件 | 最大值 |
| 重复断态峰值电压VDRM | 600V | |
| 非重复峰值断态电压VDSM | 720V | |
| 开态浪涌电流ITSM | TJ=25℃、60Hz、正弦波、非重复性的1周期峰值 | 30A |
| 栅源耗散峰值PGM | f=60Hz、周期≤10% | 5W |
| 平均栅源耗散PG(AV) | 0.5W | |
| 储存结温Tstg | -55~150℃ | |
| 操作温度TJ | -40~150℃ | |
| 栅源电压峰值VGM | 10V |
表2 KD3SF60E系列双向可控硅的电子特性
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 断态电流IDRM | VD=600V、脉冲测量 | 10µA | ||
| 开态电压VTM | ITM=4.5A、脉冲测量 | 1.5V | ||
| 栅极触发电压VGT | VD=6V、RL=10Ω、T1-、T2+、G+ | 1.5V | ||
| VD=6V、RL=10Ω、T1-、T2+、G- | 1.5V | |||
| VD=6V、RL=10Ω、T1+、T2-、G- | 1.5V | |||
| 栅极不触发电压VGD | TJ=150℃、VD=1/2 VDRM | 0.1V | ||
| 保持电流IH | IT=1A | 100mA | ||
| 热阻抗Rth(j-c) | 接头带散热片 | 2.62℃/W |
KD3SF60E系列双向可控硅的接线图跟机械尺寸:

图1 KD3SF60E系列双向可控硅接线图

图2 KD3SF60E系列双向可控硅尺寸
KD3SF60E系列双向可控硅突出特点与优势
·高电压
·高灵敏度
·稳定的通态浪涌电流能力
·最高工作温度150摄氏度
KD3SF60E系列双向可控硅应用领域
·全波交流控制应用
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产品型号
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品类
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VDRM(V)
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IT(AV)(A)
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ITSM(A)
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Tj(℃)
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VT(max.)(V)
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VGT(max.)(V)
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IGT(max.)(µA)
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Package(House Name)
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KC3FB40H
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可控硅模块
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400
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3
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40
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-40~125
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1.4
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0.8
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100
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FB
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产品型号
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品类
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Vᴅʀᴍ(V)
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Iᴛ(A)
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Iᴛsᴍ(A)
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Iɢᴛ(µA) Max
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Vᴛᴍ(V)
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Die Size(mm×mm)
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Wafer Size
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JCR0044P
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单向可控硅芯片
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2024-10-11 - 产品 随着智能化设备和工业自动化的发展,电力控制系统对元器件的要求也越来越高。双向可控硅(Triac)作为一种高效、稳定的电力开关元件,凭借其低功耗、高性能的特点,在电力转换、电机控制、调光控制等领域得到了广泛应用。时科电子的BAT04A双向可控硅,凭借其卓越的技术参数和独特的性能优势,成为了智能电气设备和工业控制系统中的重要选择。
【产品】通态电流为1A的双向可控硅HTT1A80,反向重复峰值电压高达800V,可用于中小电阻型电力负载应用
2023-06-22 - 产品 HTT1A80是SemiHow推出的一款1A双向可控硅,采用SOT-223-2L封装。在TJ=25℃条件下,断态重复峰值电压VDRM为800V,反向重复峰值电压VRRM也为800V。在TC=75℃条件下,RMS通态电流IT(RMS)为1A。 HTT1A80具有低保持和锁存电流,特别推荐用于中小电阻型电力负载等应用场景。
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提供有硅和无硅两类高导热垫片定制服务,导热系数0.8-15W/m•K,厚度0.25-20mm可选,满足消费电子、汽车电子、通讯设备等多领域散热需求及无硅洁净环境要求。
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可定制导热胶的导热系数1~6W、粘度范围3000~250000cps、固化方式可加热、仅室温、可UV;施胶方式:点胶机、手工、喷胶、转印;支持颜色、硬度、固化时间等参数的个性化定制。
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