ROHM的SiC MOSFET产品SCT3xxxxxHR系列荣获2019全球电子成就奖之“年度创新产品奖”

2019-11-15 ROHM

由全球电子产业媒体集团ASPENCORE主办的2019“全球电子成就奖”颁奖典礼于近日举办,罗姆(ROHM)凭借SiC MOSFET第三代产品“SCT3xxxxxHR系列“荣获年度创新产品奖。


SCT3xxxxxHR系列产品图片

获奖产品简介

“SCT3xxxxxHR系列”产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,产品阵容丰富,拥有13个机型。罗姆于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产,在SiC功率元器件领域,罗姆始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场,罗姆也及时确立车载品质,并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特基势垒二极管(SBD)、于2017年开始供应车载充电器和DC/DC转换器用的SiC MOSFET。


目前,罗姆实施量产的SiC SBD和SiC MOSFET已达到34个机型,拥有傲人的业界领先阵容。在SiC MOSFET领域,拥有650V、1200V耐压的产品阵容,可为客户提供先进的解决方案。


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本文由宝丁转载自ROHM,原文标题为:罗姆荣获2019全球电子成就奖之“年度创新产品奖”,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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  • KYO1981 Lv4. 资深工程师 2019-11-19
    学习学习
  • 幸福 Lv7. 资深专家 2019-11-19
    不错
  • 叫我铁岭哥 Lv4. 资深工程师 2019-11-19
    学习
  • Q群543715918资料共享电气人 Lv4. 资深工程师 2019-11-19
    学习学习
  • 181******38 Lv5. 技术专家 2019-11-19
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  • 崇乾 Lv7. 资深专家 2019-11-19
    学习了
  • wmaxy86 Lv4. 资深工程师 2019-11-19
    不错,SIC会越来越普及。
  • 小乐 Lv7. 资深专家 2019-11-19
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  • 小乐 Lv7. 资深专家 2019-11-19
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