【产品】650V超结功率MOSFET TPU65R1K5M,品质因数非常低

2019-10-08 无锡紫光微

超结功率MOSFET是一种基于SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。650V超级结功率MOSFET TPU65R1K5M是由无锡紫光微电子公司设计的一款价格性能优化的产品,能够针对消费者和照明市场中对成本敏感的应用。


特性:

非常低的品质因数(品质因数FOM为导通电阻RDS(on)和栅极电荷Qg的乘积)

经过100%雪崩测试

符合RoHS

集成ESD保护二极管


应用:

开关电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
功率因数校正(PFC)



MOSFET TPU65R1K5M 性能参数:


注:

    1.  重复额定值:脉冲宽度受最大结温的限制。

    2. IAS = 0.6A, VDD = 50V, RG = 25Ω, 开始于 TJ = 25°C

    3. 低压侧和高压侧开关的RG相同。

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  • 学习 Lv4. 资深工程师 2019-10-09
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