【产品】TO-220F封装的1200V超结功率MOSFET TPA120R800A,导通电阻仅0.8Ω

2019-10-22 无锡紫光微电子

TPA120R800A无锡紫光微电子推出的1200V超结功率MOSFET。该产品采用TO-220F封装,封装尺寸较小,可节约空间成本。TPA120R800A具有极低的品质因数,通过了100%雪崩测试,可靠性高,符合RoHS标准,对环境友好,适用于于开关电源不间断电源功率因数校正

图1   TPA120R800A的产品图及电路图


电气参数方面,TPA120R800A的漏源电压高达1200V,栅源电压为±30V,耐压性能出色,可应用于高电压应用。连续漏极电流为12A(@25℃),脉冲漏极电流为36A,耐流性较好。耗散功率为34W。工作结温和存储温度范围均为-55~150℃,可应用于严苛的温度环境。导通电阻低,最大仅0.8Ω。总栅极电荷为60nC。


图2   TPA120R800A的电气参数图


TPA120R800A的特点:

极低品质因数
通过了100%雪崩测试
符合RoHS标准


TPA120R800A的应用:

开关电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
功率因数校正(PFC)

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  • 力挽狂澜 Lv5. 技术专家 2019-10-23
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  • 桃梅 Lv7. 资深专家 2019-10-22
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