全球&国产第三代宽禁带半导体顶尖品牌,15-650V耐压等级GaN产品,650-3300V耐压等级SiC产品

2020-05-27 世强

世强元件电商代理10家国内外顶级SiC/GaN品牌,包括ROHM,Littelfuse,UnitedSiC,EPC,CALY,英诺赛科,泰科天润等,GaN支持15-650V耐压等级,SiC支持650V-3300V耐压等级,供货有保障,价格优惠。

本次活动所有厂牌的型号,都支持免费样品申请,并且保证100%原厂正品。

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另外,我们会从下载任意一本选型指南或数据手册的VIP用户中,抽取1位送飞利浦空气净化器,5位送小米螺丝刀套装!
活动时间:5月28日-7月1日
参与方式:
1. 点击“SiC/GaN”区域下载任意一本选型指南即可参与活动
2. 点击我的-我的活动中查看是否参与成功(系统延时<30分钟)
3. 中奖用户会在7月3日下午公布。
4. 中奖用户将会收到短信通知提醒领奖

   SiC


ROHM(罗姆)是SiC技术的领导者,2010年开始SIC业务,2018年全球市场份额位居第二,是全球第一家拥有沟槽式SIC MOS和全SIC 模块的的厂家。有自己的晶圆厂——SiCrystal是欧洲最大的碳化硅单晶晶圆制造商,2014年开始批量生产6英寸的晶圆,其SIC产品齐全,目前在市面上销售的是第二代和第三代SiC产品。查看更多>>>


SiC MOS: 电压650-1700V, 导通阻抗17mOhm-1150mOhm,覆盖度广,封装齐全。

SiC SBD: 电压650V/1200V, 电流2A-40A型号,有车规AEC-Q101,封装齐全。

SiC Module: 全碳化硅模块,电压1200V, 导通阻抗3mOhm- 34mOhm


【选型】ROHM(罗姆)SiC功率器件选型指南(中文)


力特公司强力进军工业和汽车用功率半导体元件市场,收购了碳化硅技术研发领域的Monolith Semiconductor公司。 碳化硅是一种发展迅速的新兴半导体材料,与传统硅相比,能使功率元件在较高的切换频率和温度下工作, 这让逆变器和其他能源转换系统能够实现更高的功率密度、能源效率并降低成本。查看更多>>>


碳化硅肖特基分立二极管: 正温度系数可确保安全运行,并轻松并联;最高运行结温为175 °C;卓越的浪涌性能;极为迅速、不受温度影响的切换行为;相比硅双极二极管,切换损耗显著减少。
碳化硅MOSFET:专为高频、高效应用优化;极低栅极电荷和输出电容;低栅极电阻,适用于高频开关;在各种温度条件下保持常闭状态;超低导通电阻;符合RoHS标准、无铅、不含卤素。


【选型】Littelfuse(力特)LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET数据手册

【选型】Littelfuse(力特)LSIC1MO120E0160 碳化硅MOSFET官方数据手册

【选型】Littelfuse(力特) LSIC1MO170E1000 1700 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET 数据手册


UnitedSiC(联合碳化硅)成立于1999年,是美国一家专业的碳化硅(SiC)功率半导体制造商,也是全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商。UnitedSiC开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管(FET)、碳化硅结型场效应晶体管(JFET)和碳化硅肖特基二极管(Schottky Diode)等功率半导体器件,且可定制。2019年,UnitedSiC获得ADI战略投资并签订长期供应协议。查看更多>>>


SiC FETs:全球独有的Cascode结构,业界最低的RDS(on),驱动电压0-12V,最大承受电压±25V,内置低压MOS,可在不改变驱动电路设计基础上直接替换硅的超结MOS
SiC JFETs:工作电压650V-1700V,具有零待机功耗,在应对重复的雪崩和短路时具有非常强大的能力,是大型反激式AC-DC应用市场的理想选择
SiC Schottky Diodes:业界领先的Qrr,工作电压650V~1700V,全部产品都通过AEC-Q101认证


【选型】UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南


CALY(卡利)成立于2014年,专注于SiC的法国公司,2018年获得美尔森(MERSEN,810M Euros)集团战略投资,占股49%。可提供SiC定制的全套服务。用于浪涌和防雷应用的SIC限流装置(CLD)系列,以及适用于1200V,1700V和3300V应用的扩展浪涌电容SiC肖特基二极管都是CALY的最具优势和特色的产品。查看更多>>>


SIC限流装置(CLD):耐压1200V/1700V,爬电能力强;低电流饱和度。插件和贴片封装可选。
SiC肖特基二极管:最高3300V耐压,高电流浪涌能力;最大工作温度175℃;0反向恢复时间


【选型】CALY SiC肖特基二极管选型指南

【选型】CALY SiC限流装置(CLD)选型指南


Vincotech(威科)起源于德国西门子机电集团,现由三菱电机控股。作为独立的功率模块供应商,Vincotech能够提供市场上最好的半导体组合功率模块解决方案。除了最主要的IGBT模块业务,还有SiC模块产品。SiC MOSFET技术有5种不同的来源,可确保客户从供应链多样性和可靠性中获益。目前在太阳能和UPS中已有大量成功应用。查看更多>>>


【选型】新型基于碳化硅的功率模块选型指南


 泰科天润(GPT)是中国碳化硅(SIC)功率器件产业化的倡导者之一,也是国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商与应用方案提供商。拥有一座完整的半导体晶圆厂和目前国内唯一一条批量化面对市场的碳化硅器件生产线,可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。查看更多>>>


碳化硅肖特基二极管:650V-3300V的工作电压,正温度系数可确保安全运行,最高运行结温为175℃,10倍的浪涌电流能力,极短的反向恢复时间(基本为零);反向恢复电荷量(Qrr)小,可降低开关损耗


【选型】泰科天润碳化硅肖特基二极管选型指南


 基本半导体(BASIC)是中国第三代半导体领军企业,研发团队由剑桥大学、瑞典皇家理工学院、清华大学等知名高校博士组成。推出的全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、首款国产工业级碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品,性能达到国际先进水平,可广泛应用于新能源发电、新能源汽车、轨道交通、5G通讯、智能电网等领域。查看更多>>>


碳化硅MOSFET:电压规格1200V;短路耐受时间可达6us;导通电阻Rds(on):18~160mΩ;栅极开启电压Vth≥2.9V

碳化硅肖特基二极管(SiC JBS):电压规格650V-1700V;电流2A~40A;反向漏电低至uA,比传统碳化硅二极管低三个数量级;抗浪涌电流能力超过8倍额定电流


【选型】基本半导体(BASiC) SiC碳化硅功率器件 选型指南


美浦森(Maplesemi)是一家集研发、设计、生产、销售和服务于一体的完整型产业链科技公司,目前8 英寸月产能12000片,6寸产能10000片,是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线。公司2009年获得韩国政府ITVENTURE企业认可,目前VDMOSFET和碳化硅产品获得韩国政府60多项技术专利。查看更多>>>


高压MOSFET(VDMOS):电压200-900V;TO-220/TO-247/TO-251/TO-252/TO-262等封装;融合仙童制程和工艺;同种规格产品在EMI表现高6DB左右,抗冲击表现高10%。

碳化硅二极管(SiC DIODE):电压650-1200 V,电流2-40A ;TO-252/TO220/TO247等封装;符合车规AEC-Q101标准;VF值低至1.35 V,650V系列反向耐压达到850V以上,1200V系列反向耐压达到1600 V以上。

超结MOSFET(SJMOS):电压500V/600V/650V/800V,电流5A-76A;TO-220/TO-247/TO-251/TO-252/TO-262等封装;使用多层外延工艺,同等型号和条件下,EAS、EMI和稳定性更好;导通电阻低至42mΩ。


【选型】美浦森(Maplesemi)VD MOSFET/Super-JMOS/SIC Diode选型指南

【选型】美浦森(Maplesemi)高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南


 中电国基南方(CETC)是中国电科的全资子公司,以中国电科55所为主体组建,其硅器件及电力电子产品事业部,成立了“ 宽禁带半导体电力子器件国家重点实验室 ”,具备完整、集中的 4、6英寸 SiC电力电子器件生产能,净化面积4000平方米,能够批量生产 SiC 肖特基二极管系列和 SiC MOSFET产品,供货能力 5000 万只 /年。查看更多>>>


SiC肖特基二极管:650V~3300V的工作电压,2A~50A的工作电流

SiC MOSFET产品: 650V~1700V的工作电压,17mΩ~1000mΩ的导通电阻


【选型】中电国基南方SiC电力电子器件选型指南


   GaN


 EPC(宜普电源转换公司)是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC推出全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管。GaN器件在速度,损耗,效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。查看更多>>>


单路eGaN FET:BGA封装,业界尺寸最小。
半桥eGaN FET:低功耗高效率,内含36个PN结,超低的导通电阻(RDS(ON))。
同步启动的双路eGaN FET:高可靠性,800万器件小时应力测试无失效。


【选型】EPC 硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南


 英诺赛科(Innoscience)— 世界领先的8英寸硅基氮化镓产业化平台。英诺赛科Innoscience是第三代半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件,产品设计及性能均达到国际先进水平。英诺赛科Innoscience的IDM产业化模式及其首创的8英寸硅基氮化镓功率与射频器件大规模量产线使其产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。查看更多>>>


单管GaN FET:最小尺寸1x1mm,WLCSP、ECP、TOLL、DFN多种封装,配合驱动IC使用
半桥GaN FET:上下管晶圆级集成,体积小,更易于PCB布板,具有更小的功率环路寄生电感
GaN IC:驱动IC和GaN FET晶圆级集成,易于PCB布板,具有更快驱动速度,更小驱动环路寄生电感


【选型】英诺赛科(Innoscience)公司及产品介绍



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参与流程

1.点击SiC/GaN区域下载任意一本选型资料即可参与活动

2.点击我的-我的活动中查看是否参与成功(系统延时<30分钟)

3.活动结束后由软件自行抽奖,抽奖结果会在结束当周的周五公布在本活动页面

4.中奖用户将会收到短信通知提醒领奖


活动时间

2020年5月28日-7月1日


 奖品设置

 空气净化器                1个

 小米螺丝刀                5个                 

  活动说明

 ·仅限世强元件电商VIP用户参与

 ·成功参与的用户可从我的活动列表中查看活动(系统延迟< 30分钟)

 ·7月3日公布中奖名单,届时请留意活动页面公示

 ·名单公布后2周未按说明领取奖品的用户,则视为自动放弃

 ·线下抽奖由软件自动完成,过程公平公正,结果公开透明

 ·关于活动有任何疑问可以点击下方相关服务中的提问按钮进行提问  

 ·礼品如有质量问题,请在签收后7天之内,联系客服:400-887-3266      


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  • 用户13282637 Lv4. 资深工程师 11:44:53
    永不中奖的我
  • 用户65282464 Lv2. 工程师 2020-06-30
    学习了
  • 行走的鸡毛掸子 Lv4 2020-06-30
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  • 159******45 Lv4. 资深工程师 2020-06-29
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  • 雷神 Lv7. 资深专家 2020-06-25
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