【产品】650V超级结功率MOSFET TPV65R040M和TPW65R040M

2019-10-09 无锡紫光微

超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。 SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的,性能优化的产品,能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的TPV65R040MTPW65R040M是2款650V超级结功率MOSFET,分别采用了TO-3PN和TO-247封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。


产品特点:

•极低FOM RDS(on) x Qg

•100%雪崩测试

•符合RoHS标准

 

产品应用

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)


器件的的封装和内部电路:


器件的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃,可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为650V,栅源电压最大额定值为±30V,脉冲漏极电流最大额定值为216A,重复雪崩能量最大额定值为3.31mJ。连续漏极电流在25℃时最大额定值为72A,在100℃时最大额定值为43.2A。单脉冲雪崩能量最大额定值为2185mJ,雪崩电流最大额定值为13.7A,具有较好的抗浪涌性。功耗最大额定值为500W。


器件标记和封装信息:

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