国产紧凑型表面贴片封装DFN8*8全新上线,无引脚设计,封装高度仅1mm

2021-01-04 美浦森
超结MOSFET,SLL65R170E7,美浦森

随着半导体技术快速的发展,5G时代的到来,各类现代化产品不断向着高压、大电流、高功率、高频率的方向发展;小体积,低能耗,高效率的产品外形需求也日益强烈。作为开关电源、PC电源、服务器电源、适配器、光伏逆变器、UPS、照明电源、OBC、充电桩等产品不可缺少的部分,对具有更小体积、更高效率的封装的功率半导体器件的渴求日益增高。国产品牌美浦森半导体应时代所需,及时推出紧凑型表面贴片封装DFN8*8。

 

目前大功率表面贴片外形主流集中在TO-252(DPAK)、TO-263(D2-PAK)、DFN5*6等外形上,但是由于封装本身尺寸及封装能力限制,新一代高效,小体积产品需求的表面贴片外形现有封装很难以满足,DFN8*8外形封装则针对以上痛点应运而生。


一、DFN8*8外形封装特点:

■ 表贴封装

■ 封装高度仅有1mm

■ 爬电距离增加到2.75mm

■ 无引脚设计

■ 加大式的基岛

■ 优异的热性能,与TO-263(D-2PAK)类似

■ 体积小,便捷贴合


二、封装尺寸对比:

DFN8*8与传统TO-252、TO-263封装尺寸相比,拥有更多的优点和特性:

1、TO-252封装尺寸为6.6*10*2.3(mm);

TO-263封装尺寸为10.2*15.15*4.7(mm);

DFN8*8封装尺寸为8*8*1.0(mm),粘贴方面拥有更小体积占比。


2、TO-252、TO-263和DFN8*8占电路板面积分别为66mm2、154mm2和64mm2

DFN所占电路板面积比TO-263减小50%以上。

  

3、TO-252、TO-263和DFN8*8背部散热片面积分别约为23mm2、47mm2和34mm2

DFN8*8背部散热片面积比TO-252增加50%左右。

  

4、TO-252、TO-263和DFN8*8高度分别为2.3mm、4.7mm和1mm,DFN8*8

高度均小于TO-252与TO-263。


三、对比传统插件封装:

与传统的TO-220和TO-247,TO-3PN封装相比,贴片封装外形大大减少了封装尺寸大小,优化了体积和空间占比,DFN8*8更因为其无引脚设计,相对于TO-252和TO-263而言,寄生电感更低,主要的冷却路径是通过裸露的金属焊盘到PCB,提高封装的散热能力。

■ 加大式的基岛设计,在封装上满足近似插件功率器件的要求;

■ 优异的导热性能,与TO-263(D-2PAK)类似,直接随PCB贴合散热;

■ 小体积设计,可以大大减少产品空间占用;

■ SiC Diode、MOSFET(Super Junction,SiC MOSFET)同步封装上市,满足更多行业需求;

■ 优良的RDSON和VFSD直接应用更多高要求项目;


四、实用项目展示:

下面展示一下美浦森美浦森半导体新推出的DFN8*8外形的超结MOSFETSLL65R170E7在PD快充行业的应用实例。

图1、拓扑图

图2、应用实拍

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