【技术】UMS PH25 GaAs工艺流程,低噪声、低成本、高频、高带宽集成电路

2018-09-12 UMS

PH25 GaAs工艺是UMS最为成功的工艺流程,它具有低成本、高效率、方便易用等特点,特别适用于低噪声、高带宽、大容量、高成品率的单片微波集成电路的制作,如低噪声放大器CHA3666-QAGCHA3666-FAACHA3688AQDG、高频开关(HP07)、混频器(CHX3068-QDG),倍频器(CHX2092A99F)、降频变频器(CHR3693-QDGCHR3762-QDG)以及单片接收器等,最高频率可达45GHz。相关集成电路主要应用于无线通讯、光电网络、自动驾驶中的防撞雷达以及空间通讯系统等。


PH25已通过空间应用评估,并已成功入选被欧洲航天局的欧洲优选器件清单EPPL


PH25的主要特征:

元件

参数

典型值

测试条件

FET

Idss (mA/mm)

340

Vds = 2.5VVgs = 0V


Gm (mS/mm)

550

Vds = 2.5VVgs = 0V


Vbds (V)

7,5

Ids = Idss / 100


Vp(V)

-0.75

Vds = 2.5VIds =   Idss / 100

MIM 电容

密度pF/mm2

330

@1MHz

MIM 电容-高密度

密度pF/mm2

625

@1MHz

TaN 电阻

方块电阻Ω/

30


TiWSi电阻

方块电阻Ω/

1000


GaAs电阻

方块电阻Ω/

120



Ft截止频率)(GHz)

90




UMS每年都会提供若干常规工艺流程(参见下表),设计者可以很容易地将自己的设计集成到制作工艺中,及时完成他们的项目规划。

2017-2018

四月

七月

十月

一月

PH15 低噪声

版图



交付









PH10 低噪声


版图



交付








PPH15X-20高功率



版图



交付







BES 肖特基二极管






版图



交付




PH25低噪声







版图



交付



HP07 MESFET








版图



交付


UMS共享工艺流程的年度计划表


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全部评论

  • 北冥之鲲 Lv7 2019-01-17
    PH25是0.25微米的砷化镓工艺,可用于X到Ka波段的MMIC设计包括低噪放和功放等器件,UMS还可提供流片服务。
  • CharlesJi Lv8. 研究员 2019-03-29
    学习了
  • 乔峰 Lv7. 资深专家 2019-03-14
    学习
  • 186******33 Lv5. 技术专家 2019-03-10
    学习
  • 盈盈 Lv7. 资深专家 2019-02-07
    了解了解
  • 小乐 Lv6. 高级专家 2019-01-24
    学习了,
  • redsky Lv4. 资深工程师 2019-01-03
    很好
  • 火锅工程师 Lv5. 技术专家 2018-12-31
    不错
  • 张妞妞 Lv5. 技术专家 2018-12-25
    很好
  • yingqiming Lv7. 资深专家 2018-12-24
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