【产品】具有±3A灌/拉电流能力的DDR线性终端稳压器，仅需20uF输出电容即可维持输出电压的稳定

时间： 2021-03-10 来源：思瑞浦

DDR（double data rate）是双数据速率的SDRAM内存的简称，DDR内存已经成为今天存储器技术的重要选择之一，广泛应用在服务器、PC、交换机、网关、基站、安防等应用领域中。

在不同的应用中，DDR电源架构基本一致，通常需要提供三类电源：主电源VDDQ、参考电压VREF、终端电压VTT。

· VDDQ就是主电源，由大电流开关电源供电

· VREF跟随VDDQ変化，大小为VREF=1/2×VDDQ，通常采用高精度分压电阻从VDDQ做二分之一分压而成

· VTT为终端电压，主要为DDR的地址提供终端电阻电源，大小为VTT=1/2×VDDQ。DDR的电源设计中，VTT的电流要求通常比较大，需要同时具有抽/灌电流的能力，可以使用具有灌/拉电流能力的线性终端稳压器 TPL51200供电。

TPL51200系列是思瑞浦针对DDR终端电源提供的新一代的线性终端稳压器产品，具有±3A灌/拉电流能力，针对DDR供电进行了特殊优化，支持输出负载电流快速跳变，同时仅需要20uF输出电容，就可以维持输出电压的稳定。

产品特性

· IN工作电压范围：2.375V~5.5V，支持2.5V、3.3V、5V电压轨

· LDOIN工作电压范围：1.1V~3.5V

· 支持REFIN直通或电阻分压输出

· 内置MOSFET，具有±3A灌/拉电流电流能力

· 支持输出负载快速跳变

· 内置开漏结构的Power Good

· 内置UVLO、过流保护、过温保护

· 支持DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LP DDR3和DDR4的终端电源

· 工作温度范围：-40℃~+125℃

· 封装：3mm×3mm DFN-10

产品优势

· 在±2A以内条件下，TPL51200的负载调整率最大值远小于±25mV。

· TPL51200支持输出负载快速跳变，±1.5A的负载跳变条件下，输出电压VTT的电平变化仅为8mV。

产品应用

下图是TPL51200在DDR4应用中的典型应用电路图

· REFIN为参考电压输入，VDDQ经过高精度电阻分压得到VREF，作为TPL51200的参考输入

· LDOIN为TPL51200主输入电压，来自VDDQ，为线性稳压器输出提供驱动能力

· OUT为TPL51200的输出，和DDR的VTT相连，提供VTT终端电压

应用领域

· 服务器

· PC

· 交换机

· 网关

· 基站

· 安防

【数据手册】TPL51200 Series 3-A Sink and Source DDR Termination Regulator

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