【产品】瑞萨电子推出新一代高性能磁阻随机存取存储器(MRAM),支持4Mb到16Mb高存储密度

2020-06-10 Renesas

瑞萨电子通过利用垂直磁隧道结STT(自旋转移矩效应)这一技术,推出了新一代的磁阻随机存取存储器MRAM),以实现同类最佳的非易失性存储器,并具有长数据保留,持久性和快速串行接口等特性。 瑞萨的MRAM具有较高的存储密度和较高的工作温度,适用于从需要快速备份数据检索的工厂自动化设备到具有长期数据存储要求的医疗数据单元的各种应用。

图1 评估板示意图


产品特性:

从4Mb到16Mb的高存储密度
低有效读写电流
提供SDR和DDR模式的SPI、DPI、QPI的可配置接口,最高108MHz
1.71V至3.6V的低工作功率,-40°C至105°C的工作温度


应用领域:

· 工业控制和监视:存储用途包括实时数据存储,快速备份数据检索和机器操作程序代码;
· 多功能打印机:控制代码和用户设置存储,用于维护计划的使用情况数据日志以及用于检索单个事务的缓存缓冲区;

· 机器人:控制代码,配置文件和设置。通常非易失性存储器越大,机器人可以执行的指令越多;
· 数据交换机和路由器:存储系统配置,用户设置和固件。 安全性和身份验证设置也将被存储;
· 助听器:将不同的用户操作设置存储在用户喜欢的各种活动和声音响应中。用户喜欢的设置,例如在不同使用和环境条件下的音量和音频频率,会被存储和激活;
· 数据驱动器:MRAM很快将广泛实现为固态存储(SSD)。 它将取代DRAM内存,以去除使DRAM非易失的大型超级电容器,并减小驱动器的尺寸。

与非易失性存储器相比,MRAM在读写速度,存储器密度,耐久性和低电压方面具有优势。与电池备份SRAM相比,一些成本考虑因素不仅在于电池本身,还包括更换时的成本、电源管理固件和所占用空间等等。 FRAM的性能类似于MRAM,但是瑞萨的MRAM器件可提供更高的密度和更高的耐久性。


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  • zwjiang Lv7. 资深专家 2020-07-08
    学习学习
  • DF302 Lv5. 技术专家 2020-07-03
    了解
  • maomao Lv8. 研究员 2020-06-18
    不错的资料~~
  • 意外之外 Lv6. 高级专家 2020-06-12
    学习
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