【产品】新突破!额定电压高达900V的碳化硅MOSFET

2016-12-30 世强

——为用户提供更小尺寸、更快速度、更低温度、更高效率的电源解决方案


功率和射频器件的行业领先者Cree公司推出一款新的碳化硅(SiC)MOSFET功率产品——C3M0065090J。其额定工作电压高达900V,最大工作电流为35A(25℃),极大地拓展了终端系统的功率范围,为用户提供更小尺寸、更快速度、更低温度、更高效率的电源解决方案。


C3M0065090J采用全新的C3M SiC MOSFET技术和N沟道增强型工作模式,由于MOSFET靠多数载流子工作导电,因此C3M0065090J具有快速开关能力,接通延迟时间为7.2ns,上升时间为6.5ns;断开延迟时间为15ns,下降时间为5ns,可满足用户针对高频率开关的设计需求。除此之外,由于SiC材料具有优良的导热系数和极低的热膨胀系数,当C3M0065090J的栅-源电压VGS=15V、漏极电流ID=20A时,在25℃温度条件下MOSFET的额定导通电阻低至65 mΩ,在150℃温度条件下MOSFET的额定导通电阻仅为90mΩ。可见C3M0065090J能够在高温时提供低导通电阻,从而可有效地减小功耗并且降低系统对于冷却器的需求。


C3M0065090J不仅拥有业界标准的TO247-3/TO220-3封装,还能够提供低阻抗D2Pak-7L表面贴片封装,同时采用开尔文(Kelvin)连接以帮助减小栅极振荡。C3M0065090J适用于高频电力电子应用,包括可再生能源、电动汽车蓄电池充电器、高电压直流/直流转换器和开关模式电源等。

产品特征:
 采用全新的C3M SiC MOSFET技术,N沟道增强型场效应晶体管技术

高阻断电压和90mΩ低导通电阻

接通延迟时间仅为7.2ns的高速开关和低电容

具有驱动源的新低阻抗封装D2Pak-7L

应用快速体二极管,反向恢复时间短

工作温度:-55℃~+150℃

焊接温度不超过260℃

 封装:标准TO247-3/TO220-3,及低阻抗 D2Pak-7L表面贴封装

无卤素、通过无铅认证


产品优势:
更高的系统效率

减少冷却要求

更高的功率密度

高开关频率

相关元件供应 以下元器件世强均有代理,采购服务热线:40088-73266

C3M0065090J CREE 库存190 购买 询价

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  • LEE Lv7 . 资深专家 2017-12-13
    学习了
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